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公开(公告)号：CN1495293A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156788.6
申请日：2003-09-12
Applicant: PTS公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1160186C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3)，包含在连续空隙中的硅柱网络，可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙-柱形态可以用沉积条件控制，孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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公开(公告)号：CN1379712A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3),包含在连续空隙中的硅柱网络,可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙－柱形态可以用沉积条件控制,孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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公开(公告)号：CN103373700A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310133319.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 凯-亚历山大·施雷贝尔 , 安德烈亚斯·贝伦特 , 索克拉蒂斯·斯古里迪斯 , 伯恩哈德·温克勒 , 马丁·泽加加
CPC classification number: B81C1/00531 , B81B3/0021 , B81B3/0094 , B81B2203/033 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C2201/0139 , H01L21/3063
Abstract: 一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔。这种方法还包括鉴于后续湿法蚀刻过程在半导体基底表面和该至少一个临时空腔的空腔表面沉积保护材料。另外，这种方法包括至少在该至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除保护材料，以便露出该半导体基底。然后，在该至少一个临时空腔的底部的露出的部段处对半导体基底进行电化学蚀刻。用于生产微机械传感器系统的方法已经同样被公开，在微机械传感器系统中采用这种空腔形成方式。此外，还公开了相应的微机电系统（MEMS）。
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公开(公告)号：CN103373700B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310133319.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 凯-亚历山大·施雷贝尔 , 安德烈亚斯·贝伦特 , 索克拉蒂斯·斯古里迪斯 , 伯恩哈德·温克勒 , 马丁·泽加加
CPC classification number: B81C1/00531 , B81B3/0021 , B81B3/0094 , B81B2203/033 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C2201/0139 , H01L21/3063
Abstract: 一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔。这种方法还包括鉴于后续湿法蚀刻过程在半导体基底表面和该至少一个临时空腔的空腔表面沉积保护材料。另外，这种方法包括至少在该至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除保护材料，以便露出该半导体基底。然后，在该至少一个临时空腔的底部的露出的部段处对半导体基底进行电化学蚀刻。用于生产微机械传感器系统的方法已经同样被公开，在微机械传感器系统中采用这种空腔形成方式。此外，还公开了相应的微机电系统（MEMS）。
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公开(公告)号：CN1495293B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN03156788.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 阿尔特拉公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。
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