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公开(公告)号：CN115692357A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210881868.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 黄志洋 , E·里德尔 , J·V·苏赛普拉卡萨姆
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 一种电子系统(100)包括：至少部分导电的载体(102)；电子部件(104)；和金属间连接结构(106)，其连接载体(102)和部件(104)并且包括处于金属间连接结构(106)的中心部分中的金属间网状物结构(108)和没有金属间网状物并且分别相应地布置在金属间网状物结构(108)与载体102或部件(104)之间的相反的外部结构(110、112)。
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公开(公告)号：CN114334893A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111141251.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/60 , H05K1/18
Abstract: 本发明涉及具有带有焊盘偏移特征的芯片载体的半导体封装。一种半导体封装包括：载体，具有电绝缘主体和在电绝缘主体的第一侧处的第一接触结构；以及半导体管芯，具有附接到载体的第一接触结构的第一焊盘，第一焊盘处于源极或发射极电位。第一焊盘与半导体管芯的边缘向内隔开第一距离。半导体管芯具有在边缘和第一焊盘之间的边缘终止区域。载体的第一接触结构与半导体管芯的边缘向内隔开大于第一距离的第二距离，使得在半导体管芯的正常操作期间在载体的方向上从边缘终止区域发出的电场不会到达载体的第一接触结构。还提供了制造方法。
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公开(公告)号：CN111192856B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201911106822.7
申请日：2019-11-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种封装体，所提供的是封装体的示例及其制造方法。如本文所描述的封装体可以包括：封装结构，该封装结构限定出界定内部体积的内表面和被指向封装体的外部的外表面；至少一个声传感器元件，该至少一个声传感器元件被应用于至少一个内表面，以将来自封装体的外部的声波转换为呈电信号的形式的声学信息；多个毫米波感测元件，该多个毫米波感测元件被应用于至少一个外表面，以接收来自封装体的外部的对象的所反射的雷达信号；以及电路，该电路被应用于封装结构的至少一个内表面，其中，电路被电气地连接到至少一个声传感器元件和多个毫米波感测元件以处理声学信息和所反射的雷达信号。
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公开(公告)号：CN111192856A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911106822.7
申请日：2019-11-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种封装体，所提供的是封装体的示例及其制造方法。如本文所描述的封装体可以包括：封装结构，该封装结构限定出界定内部体积的内表面和被指向封装体的外部的外表面；至少一个声传感器元件，该至少一个声传感器元件被应用于至少一个内表面，以将来自封装体的外部的声波转换为呈电信号的形式的声学信息；多个毫米波感测元件，该多个毫米波感测元件被应用于至少一个外表面，以接收来自封装体的外部的对象的所反射的雷达信号；以及电路，该电路被应用于封装结构的至少一个内表面，其中，电路被电气地连接到至少一个声传感器元件和多个毫米波感测元件以处理声学信息和所反射的雷达信号。
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公开(公告)号：CN111564415B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202010079564.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装，包括框架，该框架具有：具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的绝缘主体；第一主表面处的第一多个金属迹线；以及绝缘主体中的第一腔体。导热和/或导电材料填充绝缘主体中的第一腔体，并且具有与第一多个金属迹线不同的成分。导热和/或导电材料在绝缘主体的第一主表面和第二主表面之间提供导热和/或导电路径。在绝缘主体的第一主表面附接到框架的半导体管芯电连接到第一多个金属迹线并且电连接到填充绝缘主体中的第一腔体的导热和/或导电材料。还描述了一种对应的制造方法。
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公开(公告)号：CN108100985B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201711099535.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。
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公开(公告)号：CN113013121A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011492811.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体器件包括：导电框架，其包括基本平面的管芯附接表面；半导体管芯，其包括在后表面上的第一端子以及设置在主表面上的第二端子；设置在管芯附接表面上的第一导电接触结构；以及主表面上的第二导电接触结构。第一导电接触结构垂直延伸超过半导体管芯的主表面的平面。第一导电接触结构通过电隔离结构与半导体管芯的主表面电隔离。电隔离结构的上表面在半导体管芯的主表面下方。
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公开(公告)号：CN107230641B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201710182449.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 提供一种基板，所述基板具有第一侧，所述第一侧具有升高部分、侧向包围所述升高部分的凹进部分和从所述凹进部分延伸至所述升高部分的竖直面。至少所述竖直面的一部分覆盖有金属层。模制化合物结构形成在所述第一侧之上，所述金属层设置在所述第一侧与所述模制化合物结构之间，使得所述模制化合物结构包括侧向包围凹进部分的升高部分和从所述凹进部分竖直地延伸至升高部分的相反边缘面。随后去除所述基板的至少一部分，使得所述模制化合物结构的所述凹进部分从所述基板暴露，并使得所述金属层保留在所述模制化合物结构的至少一个未被覆盖的部分之上。
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公开(公告)号：CN107230641A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710182449.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 提供一种基板，所述基板具有第一侧，所述第一侧具有升高部分、侧向包围所述升高部分的凹进部分和从所述凹进部分延伸至所述升高部分的竖直面。至少所述竖直面的一部分覆盖有金属层。模制化合物结构形成在所述第一侧之上，所述金属层设置在所述第一侧与所述模制化合物结构之间，使得所述模制化合物结构包括侧向包围凹进部分的升高部分和从所述凹进部分竖直地延伸至升高部分的相反边缘面。随后去除所述基板的至少一部分，使得所述模制化合物结构的所述凹进部分从所述基板暴露，并使得所述金属层保留在所述模制化合物结构的至少一个未被覆盖的部分之上。
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公开(公告)号：CN119480648A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411089655.0
申请日：2024-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 黄志洋 , 蔡国耀 , N·奥斯曼 , M·莫斯托菲扎德 , J·V·苏赛普拉卡萨姆
Abstract: 一种用于制造一个或多个半导体封装体的方法，所述方法包括：提供包括一个或多个电接触区域(1A)的衬底层(1)；将半导体裸片(2)与电接触区域(1A)中的一个连接；提供包括一个或多个接触区(3A)的散热构件(3)；将带(4)附接到散热构件(3)的背侧，使得带(4)的相反端部延伸超过散热构件(3)的相反侧边缘；通过将至少一个接触区与半导体裸片(2)耦合来将散热构件(3)的前侧与半导体裸片(2)连接；将模制工具(5)放置在散热构件(3)和衬底层(1)上方，其中，带(4)的相反端部延伸到模制工具(5)之外，使得可从模制工具(5)外部将带(4)移除；将包封材料(6)填充到模腔中；以及移除带(4)。
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