公开(公告)号：CN114975144A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210177737.5

申请日：2022-02-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  P·A·A·卡洛 ,  谢征林 ,  蔡国耀 ,  吕志鸿 ,  李瑞家 ,  龙登超 ,  J·纳拉亚纳萨米 ,  K·C·A·苏

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L25/18

Abstract: 用于制造电模块的方法(10)包括：提供包括可镀覆包封材料的底部单元(11)；激活所述底部单元的所选区域并进而将它们变成导电区域(12)；提供包括外部接触元件的至少一个电器件(13)；将所述电器件放置在所述底部单元上，使得所述外部接触元件定位在导电区域的至少第一子集上方(14)；以及在导电区域上执行镀覆工艺以用于生成镀覆区域并用于将所述外部接触元件与所述镀覆区域的至少第一子集电连接(15)。

公开(公告)号：CN110729199B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN201910639898.X

申请日：2019-07-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·阿布德哈米德 ,  J·克里希南 ,  M·M·林 ,  J·纳拉亚纳萨米 ,  F·施诺伊 ,  T·施特克 ,  C·施廷普福

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分；以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后，在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，所述平面金属散热器界面表面：从所述模制化合物主体暴露；以及基本上没有所述金属涂层。

公开(公告)号：CN112216667A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010661136.2

申请日：2020-07-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·纳拉亚纳萨米 ,  庄铭浩 ,  E·S·霍尔加多 ,  蓝志民 ,  S·K·穆鲁甘 ,  A·纳瓦雷特纳辛加姆 ,  陈凯杨 ,  王莉双

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种具有用于改善的阻挡条分隔的凹槽的封装引线设计。本发明公开了一种引线框架，其包括：管芯焊盘；第一引线，所述第一引线远离管芯焊盘延伸；外围结构，所述外围结构机械地连接到第一引线和管芯焊盘；以及第一凹槽，所述第一凹槽在第一引线的外表面中。第一凹槽远离管芯焊盘沿着第一引线纵向延伸。

公开(公告)号：CN116130428A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211409139.2

申请日：2022-11-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·纳拉亚纳萨米 ,  R·P·恩韦尔加 ,  方炽胜 ,  蓝志民 ,  S·K·穆鲁甘 ,  S·塞尼瓦桑

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了一种双功能热性能半导体封装及相关的制造方法。一种模制半导体封装包括：半导体管芯；衬底，其附接到半导体管芯的第一侧；多个引线，其电连接到在半导体管芯的与第一侧相对的第二侧处的焊盘；散热器夹，其热耦合到焊盘；以及模制化合物，其包封半导体管芯、引线的部分、散热器夹的部分、以及衬底的至少部分。模制化合物具有第一主侧、与第一主侧相对并且衬底设置在其处的第二主侧、以及在第一主侧和第二主侧之间延伸的边缘。引线从模制化合物的边缘的相对的第一面和第二面伸出。散热器夹从模制化合物的边缘的相对的第三面和第四面伸出。

公开(公告)号：CN114420575A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111191664.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·纳拉亚纳萨米 ,  S·阿布德哈米德 ,  庄铭浩 ,  M·R·戈多伊 ,  蓝志民 ,  A·R·穆罕默德 ,  S·K·穆鲁甘 ,  T·施特克

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  B23K26/38

Abstract: 一种用于制造功率半导体封装体的方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；通过激光切割而切穿至少一个系杆，从而形成切割表面；以及在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。

公开(公告)号：CN114334893A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111141251.8

申请日：2021-09-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 黄志洋 ,  E·菲尔古特 ,  颜台棋 ,  吕志鸿 ,  J·纳拉亚纳萨米 ,  R·奥特伦巴 ,  S·韦策尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明涉及具有带有焊盘偏移特征的芯片载体的半导体封装。一种半导体封装包括：载体，具有电绝缘主体和在电绝缘主体的第一侧处的第一接触结构；以及半导体管芯，具有附接到载体的第一接触结构的第一焊盘，第一焊盘处于源极或发射极电位。第一焊盘与半导体管芯的边缘向内隔开第一距离。半导体管芯具有在边缘和第一焊盘之间的边缘终止区域。载体的第一接触结构与半导体管芯的边缘向内隔开大于第一距离的第二距离，使得在半导体管芯的正常操作期间在载体的方向上从边缘终止区域发出的电场不会到达载体的第一接触结构。还提供了制造方法。

公开(公告)号：CN110729199A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910639898.X

申请日：2019-07-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·阿布德哈米德 ,  J·克里希南 ,  M·M·林 ,  J·纳拉亚纳萨米 ,  F·施诺伊 ,  T·施特克 ,  C·施廷普福

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分；以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后，在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，所述平面金属散热器界面表面：从所述模制化合物主体暴露；以及基本上没有所述金属涂层。