公开(公告)号：CN106169533A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610336431.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.普吕格尔 ,  W.拉贝格 ,  A.施特拉泽 ,  H.温特

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法。一种磁阻设备可以包括磁阻堆叠和设置在所述磁阻堆叠上的蚀刻停止层（ESL）。一种制造磁阻设备的方法可以包括：在基底上沉积磁阻堆叠、ESL和掩模层；执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。所述方法可以进一步包括：在所述第一蚀刻过程之前，在所述硬掩模上沉积光致抗蚀剂层；以及在所述第一蚀刻过程之后，从所述硬掩模去除所述光致抗蚀剂层。第一和第二蚀刻过程可以是不同的。例如，所述第一蚀刻过程可以是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程可以是非反应蚀刻过程。

公开(公告)号：CN106169533B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201610336431.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.普吕格尔 ,  W.拉贝格 ,  A.施特拉泽 ,  H.温特

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法。一种磁阻设备可以包括磁阻堆叠和设置在所述磁阻堆叠上的蚀刻停止层（ESL）。一种制造磁阻设备的方法可以包括：在基底上沉积磁阻堆叠、ESL和掩模层；执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。所述方法可以进一步包括：在所述第一蚀刻过程之前，在所述硬掩模上沉积光致抗蚀剂层；以及在所述第一蚀刻过程之后，从所述硬掩模去除所述光致抗蚀剂层。第一和第二蚀刻过程可以是不同的。例如，所述第一蚀刻过程可以是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程可以是非反应蚀刻过程。

公开(公告)号：CN105527451A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510663825.6

申请日：2015-10-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.拉贝格 ,  A.施特拉泽

IPC: G01P3/44

CPC classification number: G01R33/091 ,  G01P3/487

Abstract: 本发明涉及磁阻器件。一种磁阻器件包括多个磁阻感测元件。多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。自由层具有带有长宽比为2或更大的圆形凸面轮廓。

公开(公告)号：CN105527451B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201510663825.6

申请日：2015-10-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.拉贝格 ,  A.施特拉泽

IPC: G01P3/44

Abstract: 本发明涉及磁阻器件。一种磁阻器件包括多个磁阻感测元件。多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。自由层具有带有长宽比为2或更大的圆形凸面轮廓。