公开(公告)号：CN102468156B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201110361020.8

申请日：2011-11-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.梅纳特 ,  B.舒德雷尔 ,  H.温特

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片。所述方法包括对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片。每个所述半导体芯片包括第一主面和多个侧面。在第一主面与各侧面之间的过渡处形成凹入。

公开(公告)号：CN106169533B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201610336431.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.普吕格尔 ,  W.拉贝格 ,  A.施特拉泽 ,  H.温特

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法。一种磁阻设备可以包括磁阻堆叠和设置在所述磁阻堆叠上的蚀刻停止层（ESL）。一种制造磁阻设备的方法可以包括：在基底上沉积磁阻堆叠、ESL和掩模层；执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。所述方法可以进一步包括：在所述第一蚀刻过程之前，在所述硬掩模上沉积光致抗蚀剂层；以及在所述第一蚀刻过程之后，从所述硬掩模去除所述光致抗蚀剂层。第一和第二蚀刻过程可以是不同的。例如，所述第一蚀刻过程可以是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程可以是非反应蚀刻过程。

公开(公告)号：CN103377880B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201310137524.0

申请日：2013-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.菲舍尔 ,  M.梅纳特 ,  H.温特

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H01F17/00 ,  H01F17/02 ,  H01F41/04 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01F17/02 ,  H01F41/042 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/64 ,  H01L27/08 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  Y10T29/4902 ,  H01L2924/00014

Abstract: 线圈和用于制造线圈的方法。公开了一种制造电子器件的方法和一种电子器件。在实施例中，该方法包括在隔离层中形成开口，各向同性地蚀刻该开口，从而形成具有弯曲侧壁的扩展开口，并且在开口中形成导电材料。

公开(公告)号：CN102468156A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110361020.8

申请日：2011-11-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.梅纳特 ,  B.舒德雷尔 ,  H.温特

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片。所述方法包括对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片。每个所述半导体芯片包括第一主面和多个侧面。在第一主面与各侧面之间的过渡处形成凹入。

公开(公告)号：CN106169533A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610336431.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.普吕格尔 ,  W.拉贝格 ,  A.施特拉泽 ,  H.温特

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁阻设备和用于制造磁阻设备的方法。一种磁阻设备可以包括磁阻堆叠和设置在所述磁阻堆叠上的蚀刻停止层（ESL）。一种制造磁阻设备的方法可以包括：在基底上沉积磁阻堆叠、ESL和掩模层；执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。所述方法可以进一步包括：在所述第一蚀刻过程之前，在所述硬掩模上沉积光致抗蚀剂层；以及在所述第一蚀刻过程之后，从所述硬掩模去除所述光致抗蚀剂层。第一和第二蚀刻过程可以是不同的。例如，所述第一蚀刻过程可以是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程可以是非反应蚀刻过程。

公开(公告)号：CN103377880A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310137524.0

申请日：2013-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.菲舍尔 ,  M.梅纳特 ,  H.温特

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64 ,  H01F41/06

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01F17/02 ,  H01F41/042 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/64 ,  H01L27/08 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  Y10T29/4902 ,  H01L2924/00014

Abstract: 线圈和用于制造线圈的方法。公开了一种制造电子器件的方法和一种电子器件。在实施例中，该方法包括在隔离层中形成开口，各向同性地蚀刻该开口，从而形成具有弯曲侧壁的扩展开口，并且在开口中形成导电材料。