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公开(公告)号:CN110729199B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN201910639898.X
申请日:2019-07-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法,包括:提供半导体封装,所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片,其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出,所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面;利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分;以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后,在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面,所述平面金属散热器界面表面:从所述模制化合物主体暴露;以及基本上没有所述金属涂层。
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公开(公告)号:CN110729199A
公开(公告)日:2020-01-24
申请号:CN201910639898.X
申请日:2019-07-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法,包括:提供半导体封装,所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片,其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出,所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面;利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分;以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后,在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面,所述平面金属散热器界面表面:从所述模制化合物主体暴露;以及基本上没有所述金属涂层。
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