公开(公告)号：CN104167350A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410186521.0

申请日：2014-05-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·科勒 ,  F·玛利亚尼 ,  K·乌明格

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1994 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明涉及从载体去除衬底，提供了从载体去除衬底方法和装置，其中向衬底的至少一个部分施加脱模剂。从载体去除衬底的至少一个部分。

公开(公告)号：CN107958878A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710963085.7

申请日：2017-10-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·阿伦斯 ,  K·乌明格 ,  C·冯克布林斯基

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/645 ,  H01L25/112 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L23/13 ,  H01L23/485

Abstract: 涉及一种HF组件，具有块体半导体衬底，该块体半导体衬底具有至少一个集成的HF构件，其被集成在块体半导体衬底的第一主表面区域的块体半导体衬底中，其中，所述块体半导体衬底还包括第二主表面区域和侧面区域，HF组件还具有绝缘体结构，其包围块体半导体衬底的侧面区域，其中所述绝缘体结构还包括第一和第二相对主表面区域。HF组件还具有布线层堆叠，其具有至少一种嵌入在绝缘材料中、结构化的金属化层，其被布置在所述的块体半导体衬底和与其相邻的绝缘体结构的第一主表面区域上，以及HF组件还具有在绝缘体结构的第二主表面处的载体结构，其中该载体结构和绝缘体结构具有不同的材料。