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公开(公告)号：CN103456778A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310212006.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN106098766A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610680376.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H02M7/00
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00 , H01L29/0615 , H01L29/083 , H02M7/003
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN105789162A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610022831.8
申请日：2016-01-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
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公开(公告)号：CN106098766B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610680376.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H02M7/00
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN104576738A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410551101.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/78 , H01L22/30 , H01L29/7393
Abstract: 半导体器件和处理方法。根据各种实施例的用于处理半导体器件的方法可包括：提供具有第一焊盘和与第一焊盘电分离的第二焊盘的半导体器件；向第一焊盘和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在施加所述至少一个电测试电位之后将第一焊盘和第二焊盘相互电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246820A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910474923.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
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公开(公告)号：CN104576738B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410551101.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件和处理方法。根据各种实施例的用于处理半导体器件的方法可包括：提供具有第一焊盘和与第一焊盘电分离的第二焊盘的半导体器件；向第一焊盘和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在施加所述至少一个电测试电位之后将第一焊盘和第二焊盘相互电连接。
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公开(公告)号：CN103456778B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310212006.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN110246820B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910474923.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
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公开(公告)号：CN105789162B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610022831.8
申请日：2016-01-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
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