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公开(公告)号：CN106098766B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610680376.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H02M7/00
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN109671697A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811208414.8
申请日：2018-10-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/525 , H01L21/66
Abstract: 公开了电可验证熔丝和熔丝验证方法。半导体晶片包括具有由切块区域彼此分离开的多个管芯区域的半导体衬底。每个管芯区域包括：在半导体衬底上的一个或多个金属层；以及形成在一个或多个金属层中的至少一个中的多个熔丝结构。每个熔丝结构包括在第一熔丝端头和第二熔丝端头之间的熔丝区域。每个管芯区域还包括连接到熔丝结构中至少一些的第一熔丝端头的不同区域的第一接触对。可以沿着切块区域将晶片单体化成单独的管芯。还提供了对应的熔丝验证方法。
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公开(公告)号：CN103579179A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310345301.3
申请日：2013-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： D.博纳特
IPC: H01L23/522 , H01L21/02 , H01L29/92
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L27/0629 , H01L27/0811 , H01L29/1608 , H01L29/66181 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 本发明涉及电容器布置和制造电容器布置的方法。在各种实施例中，电容器布置被提供，其可以包括衬底；多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，其中第一掺杂区域用第一导电类型的掺杂剂掺杂而第二掺杂区域用相反于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂掺杂，并且其中多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域在衬底中被紧挨着彼此交替布置；被部署在多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域之上的电介质层；被部署在电介质层之上的电极；被电耦合到多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域的每个掺杂区域的第一端子；以及被电耦合到电极的第二端子。
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公开(公告)号：CN103456778A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310212006.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN108242429A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711406021.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： D.博纳特
IPC: H01L23/31
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L23/5226 , H01L24/06 , H01L2224/05582 , H01L2924/36
Abstract: 本发明公开了具有密封结构的半导体装置。所公开的是一种半导体装置。半导体装置包括：具有第一表面、内部区和边缘区的半导体主体，其中边缘区围绕内部区；在第一方向上与半导体主体的第一表面间隔开的附连层；布置在半导体主体的第一表面与附连层之间的中间层；以及至少一个第一类型密封结构。密封结构包括第一屏障、第二屏障和第三屏障。第一屏障布置在中间层中并且在第一方向上与附连层间隔开。第二屏障布置在中间层中、在第一方向上与第一表面间隔开、并且在第二方向上与第一屏障间隔开。第三屏障在第二方向上从第一屏障延伸到第二屏障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098766A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610680376.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H02M7/00
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00 , H01L29/0615 , H01L29/083 , H02M7/003
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN105789162A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610022831.8
申请日：2016-01-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
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公开(公告)号：CN108242429B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201711406021.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： D.博纳特
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明公开了具有密封结构的半导体装置。所公开的是一种半导体装置。半导体装置包括：具有第一表面、内部区和边缘区的半导体主体，其中边缘区围绕内部区；在第一方向上与半导体主体的第一表面间隔开的附连层；布置在半导体主体的第一表面与附连层之间的中间层；以及至少一个第一类型密封结构。密封结构包括第一屏障、第二屏障和第三屏障。第一屏障布置在中间层中并且在第一方向上与附连层间隔开。第二屏障布置在中间层中、在第一方向上与第一表面间隔开、并且在第二方向上与第一屏障间隔开。第三屏障在第二方向上从第一屏障延伸到第二屏障。
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公开(公告)号：CN110246820A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910474923.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。
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公开(公告)号：CN103456778B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310212006.0
申请日：2013-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02J7/14 , H02J7/242 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。
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