公开(公告)号：CN106098521A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610270946.9

申请日：2016-04-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·韦尔特斯彻 ,  P·祖潘 ,  W·舒斯特德 ,  M·杰里纳克 ,  R·埃伯维恩 ,  F·科勒纳

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/0822 ,  H01J37/317

Abstract: 本公开涉及用于金属注入的离子源及其方法，具体地，用于注入机的离子源包括设置在离子源室中的第一固态源电极。第一固态源电极包括耦合至第一负电位节点的源材料。第二固态源电极设置在离子源室中。第二固态源电极包括耦合至第二负电位节点的源材料，并且第一固态源电极和第二固态源电极被配置为产生通过注入机注入的离子。

公开(公告)号：CN106128953B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610294432.7

申请日：2016-05-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·杰里纳克 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德 ,  M·斯塔特穆勒

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。

公开(公告)号：CN107093553B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

公开(公告)号：CN106856159A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201611116107.8

申请日：2016-12-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·杰里纳克 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6835 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/67011

Abstract: 公开了用于离子注入的装置和方法。在一个实施例中，该装置包括：接受器，被配置为支持晶片；掺杂源，被配置为向晶片的注入区域选择性地提供掺杂剂；以及辐射源，被配置为选择性地辐射注入区域。

公开(公告)号：CN107093553A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

公开(公告)号：CN106128953A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610294432.7

申请日：2016-05-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·杰里纳克 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德 ,  M·斯塔特穆勒

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。