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公开(公告)号：CN1158404C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN00800061.1
申请日：2000-01-10
Applicant: 英特维克公司
CPC classification number: H01J37/3178 , C23C16/26 , C23C16/513 , H01J2237/08 , H01J2237/0822 , H01J2237/3142
Abstract: 一种基片处理系统包括处理室(10)、设置在该室中的基片支架(12)、该室输送生成气体的气源(54)、位于该室中的至少一个离子源(20)和能量源，该能量源通过对阳极(30)施加正偏压和阴极(32)施加负偏压来给离子源输送能量，在每个实例中偏压都是相对于该室的。离子源使生成气体离子化以产生用于处理设置在室中的基片支架上的基片的离子。一个实施例包括两个这种离子源。在这种情况下，能量源以时分多路的方式给第一和第二阳极(30，40)和阴极(32，42)提供能量，以使在任何时候仅有一个第一或第二离子源通电，因而消除了离子源之间的相互作用。
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公开(公告)号：CN106688075B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201580049124.1
申请日：2015-07-31
Applicant: TEL艾派恩有限公司
Inventor： 马修·C·格温 , 阿夫鲁姆·弗赖特西斯 , 罗伯特·K·贝克尔
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/305 , H01J2237/006 , H01J2237/0206 , H01J2237/061 , H01J2237/0812 , H01J2237/0822 , H01J2237/3151
Abstract: 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的喷嘴组件。具体地，喷嘴组件包括两个或更多个圆锥形喷嘴，这些圆锥形喷嘴对准成使得它们都用于产生同一GCIB。第一圆锥形喷嘴可以包括最初形成GCIB的喉部，并且第二喷嘴可以形成可附加至第一圆锥形喷嘴的较大圆锥形腔。可以在两个圆锥形喷嘴之间设置过渡区域，该过渡区域可以是大致圆柱形的并且略大于第一圆锥形喷嘴的最大直径。
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公开(公告)号：CN1300524A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN99806093.3
申请日：1999-05-07
Applicant: 英特维克公司
Inventor： 特丽·布鲁克 , 詹姆斯·H·罗杰斯 , 肖恩·P·迈克金尼斯
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/26 , H01J37/3178 , H01J2237/08 , H01J2237/0822 , H01J2237/3142
Abstract: 一种衬底处理系统包括处理室(10)、位于处理室中的衬底支架(12)、用于给处理室供应处理气体的气体源(54)、位于处理室中的第一和第二离子源(20,22)、用于激发所说第一和第二离子源的电源(50)。每个离子源都电离处理气体,产生处理设于衬底支架上的衬底的离子。第一和第二离子源分别包括第一和第二阳极(30、40)。电源按多路复用方式激发第一和第二阳极,以便在任何时间所说第一和第二离子源中只有一个被激发,避免了离子源间的相互作用。
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公开(公告)号：CN1293717A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00800061.1
申请日：2000-01-10
Applicant: 英特维克公司
CPC classification number: H01J37/3178 , C23C16/26 , C23C16/513 , H01J2237/08 , H01J2237/0822 , H01J2237/3142
Abstract: 一种基片处理系统包括处理室(10)、设置在该室中的基片支架(12)、该室输送生成气体的气源(54)、位于该室中的至少一个离子源(20)和能量源,该能量源通过对阳极(30)施加正偏压和阴极(32)施加负偏压来给离子源输送能量,在每个实例中偏压都是相对于该室的。离子源使生成气体离子化以产生用于处理设置在室中的基片支架上的基片的离子。一个实施例包括两个这种离子源。在这种情况下,能量源以时分多路的方式给第一和第二阳极(30,40)和阴极(32,42)提供能量,以使在任何时候仅有一个第一或第二离子源通电,因而消除了离子源之间的相互作用。
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公开(公告)号：CN106098521A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610270946.9
申请日：2016-04-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/081 , H01J2237/0822 , H01J37/317
Abstract: 本公开涉及用于金属注入的离子源及其方法，具体地，用于注入机的离子源包括设置在离子源室中的第一固态源电极。第一固态源电极包括耦合至第一负电位节点的源材料。第二固态源电极设置在离子源室中。第二固态源电极包括耦合至第二负电位节点的源材料，并且第一固态源电极和第二固态源电极被配置为产生通过注入机注入的离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104094377A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280062842.9
申请日：2012-10-17
Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32055 , H01J37/32064 , H01J37/32596 , H01J37/32669 , H01J37/32807 , H01J2237/0822 , H01J2237/152 , H01J2237/327 , H05H1/48
Abstract: 本发明涉及一种用于产生空心阴极电弧放电等离子体的装置，由两个等离子体源（11；12）组成，所述等离子体源分别包括空心阴极（13；14）和属于空心阴极（13；14）的电极（15；16），该电极具有穿过该电极（15；16）延伸的开口，其中两个等离子体源（11；12）的空心阴极（13；14）被连接到脉冲发生器（17）上，所述脉冲发生器在两个空心阴极（13；14）之间产生双极中频脉冲电压。在此，在两个等离子体源（11；12）中所述空心阴极（13；14）直接地或在中间连接至少一个限制电流方向的元件（38；39）的情况下与所属的电极（15；16）导电连接。
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公开(公告)号：CN106688075A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580049124.1
申请日：2015-07-31
Applicant: TEL艾派恩有限公司
Inventor： 马修·C·格温 , 阿夫鲁姆·弗赖特西斯 , 罗伯特·K·贝克尔
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/305 , H01J2237/006 , H01J2237/0206 , H01J2237/061 , H01J2237/0812 , H01J2237/0822 , H01J2237/3151
Abstract: 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的喷嘴组件。具体地，喷嘴组件包括两个或更多个圆锥形喷嘴，这些圆锥形喷嘴对准成使得它们都用于产生同一GCIB。第一圆锥形喷嘴可以包括最初形成GCIB的喉部，并且第二喷嘴可以形成可附加至第一圆锥形喷嘴的较大圆锥形腔。可以在两个圆锥形喷嘴之间设置过渡区域，该过渡区域可以是大致圆柱形的并且略大于第一圆锥形喷嘴的最大直径。
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公开(公告)号：CN104094377B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280062842.9
申请日：2012-10-17
Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32055 , H01J37/32064 , H01J37/32596 , H01J37/32669 , H01J37/32807 , H01J2237/0822 , H01J2237/152 , H01J2237/327 , H05H1/48
Abstract: 本发明涉及一种用于产生空心阴极电弧放电等离子体的装置，由两个等离子体源（11；12）组成，所述等离子体源分别包括空心阴极（13；14）和属于空心阴极（13；14）的电极（15；16），该电极具有穿过该电极（15；16）延伸的开口，其中两个等离子体源（11；12）的空心阴极（13；14）被连接到脉冲发生器（17）上，所述脉冲发生器在两个空心阴极（13；14）之间产生双极中频脉冲电压。在此，在两个等离子体源（11；12）中所述空心阴极（13；14）直接地或在中间连接至少一个限制电流方向的元件（38；39）的情况下与所属的电极（15；16）导电连接。
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公开(公告)号：CN1190111C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN99806093.3
申请日：1999-05-07
Applicant: 英特维克公司
Inventor： 特丽·布鲁克 , 詹姆斯·H·罗杰斯 , 肖恩·P·迈克金尼斯
IPC: H05H1/00 , C23C16/00 , B05C5/00 , H01J37/317
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/26 , H01J37/3178 , H01J2237/08 , H01J2237/0822 , H01J2237/3142
Abstract: 一种衬底处理系统包括处理室(10)、位于处理室中的衬底支架(12)、用于给处理室供应处理气体的气体源(54)、位于处理室中的第一和第二离子源(20，22)、用于激发所说第一和第二离子源的电源(50)。每个离子源都电离处理气体，产生处理设于衬底支架上的衬底的离子。第一和第二离子源分别包括第一和第二阳极(30，40)。电源按多路复用方式激发第一和第二阳极，以便在任何时间所说第一和第二离子源中只有一个被激发，避免了离子源间的相互作用。
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公开(公告)号：CN1397151A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN01804421.2
申请日：2001-01-23
Applicant: 英特维克公司
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01J37/3178 , H01J37/3233 , H01J2237/08 , H01J2237/0822 , H01J2237/3142
Abstract: 一种基片加工系统包括一个加工腔(10)，一个安置在腔内的电浮置的基片支撑架(12)，一个为该腔提供处理气体的气体源(54)，至少一个位于腔内离子源(20)，与一个以一个脉冲序列使阳极(40)正偏和阴极(22)负偏给离子源提供能量的电源19(b)，该脉冲序列具有可选择变化的占空因数和大小，以保持一个选择的时间平均电流，每个情况下的偏置都是相对于腔而言的。离子源(20)电离处理气体，产生离子以加工放置在腔内浮置的基片支撑架(12)上的基片。浮置基片上的偏置电压与它上面的净电荷一致，而净电荷受高能电子束流控制。一种实施方案包括两个这样的离子源(22，42)。在这种情况下，电源以一种时间复用的方式给第一和第二阳极(30，40)以及阴极(22，42)提供能量，以致在任何时间内只有第一或者第二离子源中的一个被提供能量，从而消除了离子源之间的相互作用。
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