公开(公告)号：CN112159914A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202010988738.9

申请日：2020-09-18

Applicant: 衢州学院

Inventor： 董多 ,  刘莉 ,  朱冬冬 ,  王晓红 ,  马腾飞 ,  周兆忠

IPC: C22C14/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/18

Abstract: 本发明公开了一种高压制备的TiAl微米晶及其方法，制备方法如下：S1：对海绵钛、高纯Al和高纯Nb合金分别进行预处理，随后对三者进行真空电弧熔炼，得到以at％计的Ti‑45Al‑8Nb合金铸锭；S2：对所述合金铸锭进行切割，得到合金试样；S3：对所述合金试样进行预处理，组装压块使其处于密封状态为了紧凑，得到合金压块；S4：将所述合金压块置于压机中加压至3～5GPa，随后升温至1600～1700℃并保持该温度10～15min，使合金压块在保持压力不变的条件下冷却至室温，卸压后得到TiAl微米晶。本发明的TiAl微米晶具有高硬度和优良的力学性能，且工艺简单，操作方便，适用于工业生产，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN112872523A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110062731.9

申请日：2021-01-18

Applicant: 衢州学院

Inventor： 朱冬冬 ,  董多 ,  黄鹏 ,  刘莉 ,  陈壮 ,  王晓红 ,  周兆忠

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K3/06 ,  B23K3/08

Abstract: 本发明公开了一种焊接钛基高熵合金与氮化硅陶瓷的钎焊方法，包括将银基钎料粉末与钎剂按照按9：1的质量比例制成钎料焊膏；将预处理后的钛基高熵合金和氮化硅陶瓷，按照钛基高熵合金/钎料焊膏/氮化硅陶瓷的顺序层层堆垛，得到钎焊组块；将其置于模具中，并在钎焊组块最上层放置压块后摆置于钎焊炉内；通过钎焊炉将钎焊组块阶梯升温至800℃～900℃后保温，随后降温，再随炉自然冷却到室温；完成钛基高熵合金和氮化硅陶瓷的钎焊过程。本发明通过钎焊工艺，采用银基钎料焊膏钎焊钛基高熵合金与氮化硅陶瓷，钎焊后两者之间的接头强度为21～86MPa，实现了钛基高熵合金与氮化硅陶瓷可靠连接的同时，也为钛基高熵合金的焊接提供了技术方案。

公开(公告)号：CN108856943A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810678997.4

申请日：2018-06-27

Applicant: 衢州学院

Inventor： 朱冬冬 ,  董多 ,  徐海涛 ,  刘莉 ,  陈光 ,  贺庆 ,  倪成员 ,  周兆忠

IPC: B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K103/18

CPC classification number: B23K1/008 ,  B23K1/20

Abstract: 本发明公开了一种TiAl合金(Ti‑48Al‑2Cr‑2Nb)和氮化硅的钎焊方法，方法如下：1)待钎焊的TiAl合金和氮化硅材料表面进行打磨、抛光预处理；2)将步骤1)预处理后TiAl合金和氮化硅材料进行清洗后干燥；3)干燥后的TiAl合金和氮化硅材料按照TiAl合金在上、氮化硅材料在下堆放在石墨模具中，中间放置Cu‑Ag钎料箔，然后放入真空钎焊炉中；4)对放置在上面的TiAl合金施加压力；5)对真空钎焊炉进行升温，在700℃～800℃时，保温15‑25min，在860℃～960℃时，保温5min～25min；保温结束后，降温至200℃～300℃后，随炉自然冷却到室温。本发明提供的TiAl合金和氮化硅的钎焊方法，可以实现TiAl和氮化硅之间良好的链接，具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN112122826A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010988739.3

申请日：2020-09-18

Applicant: 衢州学院

Inventor： 董多 ,  朱冬冬 ,  史康桥 ,  刘莉 ,  王晓红 ,  马腾飞 ,  张元祥

IPC: B23K35/40 ,  B23K1/00 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K35/02 ,  B23K35/30

Abstract: 本发明公开了一种钎焊钛基复合材料与氮化硅陶瓷的焊膏及其方法和应用，焊接方法如下：将钛基复合材料和氮化硅陶瓷进行预处理，将泡沫镍加工至与待焊母材相同的尺寸，按照钛基复合材料/焊膏/泡沫镍/焊膏/氮化硅陶瓷的次序堆垛于石墨模具中，得到复合钎料，压块后放入真空钎焊炉；控制真空钎焊炉的真空度不低于8.0×10‑3Pa，并依次升温至300℃并保持5～30min，升温至810℃～930℃并保持5～30min，降温至300℃并随炉冷却至室温。本发明采用泡沫镍作为中间层使接头中应力形成梯度过渡，并有效抑制了脆性化合物的生成，接头强度得到提高，并且钎焊过程操作简单，成本低廉，有较高的应用价值。

公开(公告)号：CN108856943B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201810678997.4

申请日：2018-06-27

Applicant: 衢州学院

Inventor： 朱冬冬 ,  董多 ,  徐海涛 ,  刘莉 ,  陈光 ,  贺庆 ,  倪成员 ,  周兆忠

IPC: B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K103/18

Abstract: 本发明公开了一种TiAl合金(Ti‑48Al‑2Cr‑2Nb)和氮化硅的钎焊方法，方法如下：1)待钎焊的TiAl合金和氮化硅材料表面进行打磨、抛光预处理；2)将步骤1)预处理后TiAl合金和氮化硅材料进行清洗后干燥；3)干燥后的TiAl合金和氮化硅材料按照TiAl合金在上、氮化硅材料在下堆放在石墨模具中，中间放置Cu‑Ag钎料箔，然后放入真空钎焊炉中；4)对放置在上面的TiAl合金施加压力；5)对真空钎焊炉进行升温，在700℃～800℃时，保温15‑25min，在860℃～960℃时，保温5min～25min；保温结束后，降温至200℃～300℃后，随炉自然冷却到室温。本发明提供的TiAl合金和氮化硅的钎焊方法，可以实现TiAl和氮化硅之间良好的链接，具有重要的应用前景。