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公开(公告)号：CN117275862A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311126935.X
申请日：2023-09-04
Applicant: 衢州学院
Abstract: 本发明公开了一种基于Cr2TiC2Tx的长程有序反铁磁材料及其制备方法，其中长程有序反铁磁材料包括Cr2TiC2Tx材料层，在所述Cr2TiC2Tx材料层的下表面结合有基底层，在所述Cr2TiC2Tx材料层的上表面形成有调控层，所述基底层由元素周期表内第五周期第Ⅷ族或第六周期第Ⅷ族中的任一元素形成，所述调控层由元素周期表内第五周期第Ⅷ族或第六周期第Ⅷ族中的任一元素形成。其显著效果是：通过金属覆盖调控形成长程有序的二维反铁磁磁性材料，进而使其能够应用于超薄自旋阀(厚度仅为1纳米)、太赫兹振动频率的器件领域。
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