碳化硅晶圆电化学研磨盘

    公开(公告)号:CN116657232A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310801892.4

    申请日:2023-06-30

    Applicant: 衢州学院

    Abstract: 本发明涉及半导体研磨加工技术领域,具体地涉及一种碳化硅晶圆电化学研磨盘,研磨盘的研磨面上开设若干间隔设置的反应槽,反应槽内设置放电电极,放电电极通电在研磨晶圆时对晶圆表面进行放电。通过设置于研磨盘中的电极间放电,释放出高能离子与瞬间高温,产生大量等离子体、氢基、羟基、自由基等。利用放电生成的高氧化性物质加速碳化硅表面的氧化,在碳化硅基板表面产生化学反应,生成氧化层。然后再用研磨面配合研磨液内的磨料去除氧化层。

    一种多相合金塑性本构模型及建模方法

    公开(公告)号:CN119649963A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411703830.0

    申请日:2024-11-26

    Applicant: 衢州学院

    Abstract: 本发明公开了一种多相合金塑性本构模型及建模方法,所述多相合金塑性本构模型建模方法通过设计霍普金森压杆实验获取了不同温度下的动态应力‑应变数据,采用考虑了流动软化效应的JC‑TANH本构模型,基于实验数据拟合并验证了该模型参数,构建了大变形条件下的数据集,并基于该数据集对本发明所建立的塑性应力本构模型进行参数确定,最终完成了考虑动态再结晶效应的合金塑性本构模型的构建,该模型不仅描述了相变对材料性能的影响,而且能够体现因动态再结晶导致的材料软化,本方法为考虑微观组织效应的材料本构建模方法提供的指导,对深入揭示切削加工材料变形及去除机理的微观本质具有重要意义。

    基于行波介电泳效应的抛光磨粒、抛光设备及抛光方法

    公开(公告)号:CN117182767A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202211719100.0

    申请日:2022-12-30

    Applicant: 衢州学院

    Abstract: 本发明提供了基于行波介电泳效应的抛光设备,包括抛光盘和抛光夹具,抛光盘的内部由内向外环形设有电极,电极在通电时产生行波电场,导线上设有导电滑环,抛光液内含有抛光磨粒。本发明提供了基于行波介电泳效应的抛光磨粒,包括磨粒和软质粒子,磨粒包覆于软质粒子上且软质粒子的介电常数大于磨粒的介电常数。本发明提供了基于行波介电泳效应的抛光方法,高压电源对电极通电使电极在抛光盘的上方产生行波电场,复合磨粒置于抛光液内受行波电场的行波介电泳力作用,行波介电泳力与复合磨粒受到的离心力相互作用,提高抛光液与抛光工件的接触时间。本发明可减小或消除离心力对抛光加工过程的影响,提高抛光效率与抛光质量。

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