公开(公告)号：CN118814279A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410816221.X

申请日：2024-06-24

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 刘珂静 ,  康哲 ,  刘金波 ,  殷子昂 ,  张香港 ,  王涛 ,  赵清华

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明提供了一种降低LaBr3:Ce闪烁晶体中Alpha本底的方法，解决现有消除LaBr3:Ce闪烁晶体中固有本底的方法均为间接剔除信号，克服额外的核电子学系统设计要求、算法及参数设计依赖过高、对操作人员要求高等不足之处。本发明利用溴化镧原料中的放射性核素227Ac与LaBr3材料在不同温度下饱和蒸气压的差异特点，通过温度场调节，建立温度与227Ac去除效率之间的关系，将二者成功分离，获得低227Ac本底的溴化镧原料，制备低本底辐射探测晶体。

公开(公告)号：CN107564641A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710716875.5

申请日：2017-08-21

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 苏力宏 ,  万彩霞 ,  刘金波

IPC: H01C7/04 ,  H01C7/00

Abstract: 本发明提供了一种NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物，包括至少两种过渡族金属的氧化物和至少一种添加物质的氧化物，所述的添加物质为锡时，过渡族金属总量和锡的摩尔比为100：(0.01～25)；所述的添加物质为镓时，过渡族金属和锡的摩尔比为100：(0.001～15)；所述的添加物质为锡和镓时，过渡族金属和添加物质的摩尔比为100：(0.011～25)，其中锡的比例不低于0.01，镓的比例不低于0.001。本发明能够对电阻阻值和热敏指数B作出调整，降低陶瓷组合物烧结成型制备NTC电阻器件的温度，使得制成的NTC电阻阻值一致性进一步提高。

公开(公告)号：CN118130402A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410249822.7

申请日：2024-03-05

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 王涛 ,  郭士轩 ,  刘珂静 ,  蔡卓辰 ,  张香港 ,  殷子昂 ,  刘金波 ,  康哲 ,  刘毅 ,  赵清华 ,  王虎

IPC: G01N21/31

Abstract: 本发明提供了一种基于自吸收效应无损快速检测掺杂发光晶体掺杂浓度的方法，解决现有掺杂发光晶体掺杂浓度测试方法存在破坏性以及费时昂贵的问题。本发明仅需对任意尺寸样品的进行无损的自吸收光致发光检测和常规光致发光检测，通过对比建立的该测试截面厚度下掺杂元素浓度‑自吸收系数标准定量曲线，便可快速得到其掺杂浓度，不需要通过将样品转化为离子，然后使用质谱仪＝进行测量，解决了常规方法需要破坏样品，且检测周期长的缺点，本发明方法测试时间可以控制在1min内。