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公开(公告)号：CN114411251B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210064013.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
Abstract: 本发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法，依据Cs2LaBr5‑LiBr相图，分别制备了符合CLLB计量比的致密多晶料、可以直接析出CLLB晶体比例的溶剂区致密多晶料，之后利用符合CLLB计量比的致密多晶料和溶剂区致密多晶料，通过调整出特定的温场形状令只有溶剂区多晶料融化，熔体扩散和对流中使得符合CLLB计量比的多晶料在溶解界面溶解，然后在生长界面析出，采用THM法，随着炉体和晶体的相对移动，溶剂区缓慢的上移，最终全部符合CLLB计量比的多晶料融化通过溶剂区并在生长界面析出结晶，生长出结晶质量良好的CLLB单晶体。本发明可以使熔体始终维持在可以析出CLLB晶体的比例，又能避免熔区溶质浓度降低导致的结晶界面失稳，提高LiBr的利用率。
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公开(公告)号：CN114411251A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210064013.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
Abstract: 本发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法，依据Cs2LaBr5‑LiBr相图，分别制备了符合CLLB计量比的致密多晶料、可以直接析出CLLB晶体比例的溶剂区致密多晶料，之后利用符合CLLB计量比的致密多晶料和溶剂区致密多晶料，通过调整出特定的温场形状令只有溶剂区多晶料融化，熔体扩散和对流中使得符合CLLB计量比的多晶料在溶解界面溶解，然后在生长界面析出，采用THM法，随着炉体和晶体的相对移动，溶剂区缓慢的上移，最终全部符合CLLB计量比的多晶料融化通过溶剂区并在生长界面析出结晶，生长出结晶质量良好的CLLB单晶体。本发明可以使熔体始终维持在可以析出CLLB晶体的比例，又能避免熔区溶质浓度降低导致的结晶界面失稳，提高LiBr的利用率。
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公开(公告)号：CN118814279A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410816221.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种降低LaBr3:Ce闪烁晶体中Alpha本底的方法，解决现有消除LaBr3:Ce闪烁晶体中固有本底的方法均为间接剔除信号，克服额外的核电子学系统设计要求、算法及参数设计依赖过高、对操作人员要求高等不足之处。本发明利用溴化镧原料中的放射性核素227Ac与LaBr3材料在不同温度下饱和蒸气压的差异特点，通过温度场调节，建立温度与227Ac去除效率之间的关系，将二者成功分离，获得低227Ac本底的溴化镧原料，制备低本底辐射探测晶体。
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公开(公告)号：CN114808133B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202210279837.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种优化化合物半导体晶体中空位缺陷的掺杂方法，解决现有化合物半导体晶体中空位缺陷的优化效果不好的技术问题，本发明在现有装料和晶体生长方法的基础上，摒弃了直接将掺杂元素In加入到Cd、Zn、Te等原料中或是CdTe、CZT多晶料中的方法，而是先将计算好掺杂比例的In和Te元素提前在高温下反应化合，再按照晶体中各元素的比例装料，重新在高温下混合均匀得到CZT或CdTe多晶料，最后采用晶体生长设备制备CZT和CdTe单晶体。
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公开(公告)号：CN118130402A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410249822.7
申请日：2024-03-05
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明提供了一种基于自吸收效应无损快速检测掺杂发光晶体掺杂浓度的方法，解决现有掺杂发光晶体掺杂浓度测试方法存在破坏性以及费时昂贵的问题。本发明仅需对任意尺寸样品的进行无损的自吸收光致发光检测和常规光致发光检测，通过对比建立的该测试截面厚度下掺杂元素浓度‑自吸收系数标准定量曲线，便可快速得到其掺杂浓度，不需要通过将样品转化为离子，然后使用质谱仪＝进行测量，解决了常规方法需要破坏样品，且检测周期长的缺点，本发明方法测试时间可以控制在1min内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111304751A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010197973.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的原料除水提纯方法及装置，用以解决现有晶体行业高纯原料中普遍存在的水污染问题。该方法以高纯4N～6N金属或卤素化合物为待提纯原材料，置于本发明提供的以毛细管连接的坩埚结构上部分，再将上述坩埚结构转接固定至气路和炉体中，通入保护性气氛，加热炉体使待处理原料融化，接入卤素族或硅烷族化合物反应性气体至熔体处，使熔体中的H2O与反应性气体充分反应，生成惰性物质及尾气并随保护性气氛排出，待反应结束后，调节气体流速将熔体挤落至下坩埚中并封管。由于待处理原料中的H2O与反应性气体在高温熔体状态下充分反应，所述原料中的H2O含量下降1-2个数量级，可有效减少坩埚和晶体的润湿效应，显著提高相应晶体的光电性能。
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公开(公告)号：CN114808133A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210279837.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种优化化合物半导体晶体中空位缺陷的掺杂方法，解决现有化合物半导体晶体中空位缺陷的优化效果不好的技术问题，本发明在现有装料和晶体生长方法的基础上，摒弃了直接将掺杂元素In加入到Cd、Zn、Te等原料中或是CdTe、CZT多晶料中的方法，而是先将计算好掺杂比例的In和Te元素提前在高温下反应化合，再按照晶体中各元素的比例装料，重新在高温下混合均匀得到CZT或CdTe多晶料，最后采用晶体生长设备制备CZT和CdTe单晶体。
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公开(公告)号：CN112458535B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011265992.2
申请日：2020-11-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种合成锑化铝多晶材料工艺的装置及合成方法，将高纯锑与高纯铝装入氮化硅陶瓷坩埚，覆盖石墨垫片嵌套于石英坩埚中，石墨垫片与氮化硅陶瓷坩埚上表面之间存在气隙，在抽真空时不影响氮化硅陶瓷坩埚内达到高真空；抽真空后，焊接石英塞与石英坩埚，最后在可倾斜旋转管式炉旋转合成，实现单相锑化铝在小空腔坩埚中不外加补偿的合成，合成过程元素不损失。该工艺装置中氮化硅陶瓷坩埚在高温下不与锑化铝熔体反应，抑制锑元素蒸发，防止外石英坩埚吸附铝元素反应破裂的效果，保证合成过程中熔体组分不损失，并且在高温下石墨垫片具有吸附残余氧的效果。合成的锑化铝多晶料具有单相成分均匀的特征。
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公开(公告)号：CN111304751B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010197973.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的原料除水提纯方法及装置，用以解决现有晶体行业高纯原料中普遍存在的水污染问题。该方法以高纯4N～6N金属或卤素化合物为待提纯原材料，置于本发明提供的以毛细管连接的坩埚结构上部分，再将上述坩埚结构转接固定至气路和炉体中，通入保护性气氛，加热炉体使待处理原料融化，接入卤素族或硅烷族化合物反应性气体至熔体处，使熔体中的H2O与反应性气体充分反应，生成惰性物质及尾气并随保护性气氛排出，待反应结束后，调节气体流速将熔体挤落至下坩埚中并封管。由于待处理原料中的H2O与反应性气体在高温熔体状态下充分反应，所述原料中的H2O含量下降1‑2个数量级，可有效减少坩埚和晶体的润湿效应，显著提高相应晶体的光电性能。
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公开(公告)号：CN116202993A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310295085.X
申请日：2023-03-24
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供一种快速检测掺杂无机闪烁体掺杂元素含量分布的方法，解决现有掺杂闪烁体掺杂元素含量测试过程具有破坏性以及费时昂贵的技术问题。本发明利用掺杂无机闪烁体中掺杂元素具有特征的紫外吸收峰，且掺杂元素含量与晶体对应波长位于特征吸收峰吸收边的激光的吸收系数线性相关这一特点，通过对掺杂无机闪烁体采用特定波长的激光扫描成像，可以实时获得掺杂元素分布图片，从图片中提取透过率并转化为线吸收系数，与建立的激活剂浓度‑吸收系数标准定量曲线对应，即可获得掺杂元素含量。
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