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公开(公告)号：CN116202630A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211680291.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01J5/80
Abstract: 本发明涉及一种用于空间站静电悬浮实验的单色红外温度标定方法，结合特征温度对已有的温度数据进行标定，可得到修正的单色红外发射率以及标定的温度，解决了空间站静电悬浮无容器实验得到的单色红外温度的标定问题。此外，针对空间站静电悬浮无容器实验难以快速准确调节单色红外发射率的问题，本发明提出的方法有助于实现空间站静电悬浮无容器实验的单色红外发射率快速校准，提高空间站静电悬浮无容器实验的效率。本发明不需借助热电偶即可快速确定单色红外发射率，避免了热电偶在静电场中的失效问题，为快速准确获取空间站静电悬浮无容器实验的温度变化。适用于高温环境下单色红外温度的标定，标定的单色红外温度在特征温度误差小范围内。
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公开(公告)号：CN107935616B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201711312460.8
申请日：2017-12-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/591 , C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种CVD/CVI法制备透波型BN纤维增韧Si‑B‑N陶瓷基复合材料的方法，首先采用CVD/CVI法，在经过预处理的BN纤维预制体内制备一定厚度、均匀连续的BN界面；然后采用CVD/CVI法，在适合的温度范围内通过控制先驱体系统中Si源、B源和N源的反应气比例，在含有BN界面的BN纤维预制体内制备具有多层成分梯度结构的Si‑B‑N基体，每层基体的元素组成呈梯度变化，由近BN界面至复合材料表面Si含量逐渐提高、B含量逐渐降低；最后采用CVD/CVI法，在复合材料表面制备一定厚度、均匀连续的Si3N4涂层。由此获得介电和力学性能可控的透波型BNf/Si‑B‑N复合材料。
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公开(公告)号：CN107686366B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710593990.8
申请日：2017-07-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/622 , C04B35/571
Abstract: 本发明涉及一种纳米线和晶须协同增韧陶瓷基复合材料的制备方法，首先将SiC晶须通过凝胶注模成型制备晶须素坯，干燥后采用低温空烧排胶，获得SiC晶须预制体；在SiC晶须预制体上原位生长SiC纳米线，构建纳米线‑晶须多尺度、三维网状多孔预制体；在网状多孔预制体中引入陶瓷基体，最终获得一种各向同性、网状陶瓷基复合材料。本发明适合制备大型、形状复杂的构件，在微观上通过SiC晶须上原位生长SiC纳米线，创新性的将晶须和纳米线结合构成各向同性、微‑纳米多尺度、三维网状增强体，而后通过致密化工艺，最终制备获得一种各向同性、高强韧陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN111320484A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010250016.3
申请日：2020-04-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/589 , C04B35/622 , C04B35/624 , H01Q1/42
Abstract: 本发明涉及一种各向同性氮化硅晶须增强氮化物复合材料天线罩的制备方法，首先依据天线罩几何尺寸完成凝胶注模模具设计和制造，然后通过凝胶注模工艺成型氮化硅晶须预制体，分别通过粉体包埋法和高温氧化处理对晶须预制体进行干燥和除胶后，采用先驱体浸渍裂解工艺在预制体孔隙中制备氮化物基体，最后经氧化除碳和精加工获得氮化硅晶须增强氮化物复合材料天线罩。采用氮化硅晶须作为增强体，能够实现各向同性。采用组合式模具避免采用一体式模具时浆料流经狭窄通道或薄壁处混入气泡的问题。采用粉体包埋法防止形状畸变和开裂等问题。采用原位生长氮化硅纳米线的方法进而能够抵抗后续基体制备过程中的收缩应力。
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公开(公告)号：CN108840694A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810867509.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B41/87
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/584 , C04B41/5066 , C04B41/87 , C04B41/4535 , C04B41/4531 , C04B41/0072
Abstract: 本发明涉及一种透波型Si3N4f/Si3N4复合材料表面涂层的制备方法，在不同密度的Si3N4f/Si3N4复合材料内部孔隙或表面采用循环浸渍-CVI或者多次Dip-coating的方法引入不同体积分数的Si3N4晶须浆料涂层；最后根据引入的Si3N4晶须体积分数，在合适的沉积温度、沉积时间范围内在Si3N4w涂层表面CVD Si3N4保护层，获得与基体结合良好的晶须Si3N4晶须涂层。通过在Si3N4f/Si3N4复合材料表面引入一种涂层结构，来改善其环境性能不足等缺点。通过调控浆料Si3N4w体积分数、Si3N4w引入时机、浸渍次数控制浆料涂层厚度，控制沉积温度及沉积时间来控制CVD Si3N4的渗透性及厚度，有助于填充由预制体结构残留的孔隙以及CVI瓶颈工艺的孔隙，提高复合材料的致密度，提高复合材料的防吸潮、耐磨、抗氧化及抗烧蚀等性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116140593A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310103088.9
申请日：2023-02-10
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种静电悬浮合金熔体凝固条件的控制方法，解决了静电悬浮无容器条件下合金熔体凝固条件难以控制的问题，实现了合金熔体冷却速率和过冷度的主动控制：(1)自然冷却过程中，减小合金熔体尺寸可使其冷却速率增大；在合金熔体冷却过程中，施加激光，可使其冷却速率减小。据此可控制合金熔体在多种不同冷却速率条件下凝固。(2)通过热平衡方程和PID控温系统两种方法实现合金熔体温度的控制，并结合触发形核，实现了合金熔体凝固过冷度的主动控制，解决了静电悬浮条件下合金熔体过冷度随机难以调控的问题。
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公开(公告)号：CN113248263B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110570198.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种Si3N4w/Si预制体及利用该预制体制备Si3N4w/Si3N4复合材料的方法，以盐酸为pH调节剂，在酸性条件下将Si粉的引入与Si3N4晶须预制体的成型相结合，提高了比表面积较高的微米级Si粉在水基浆料中的稳定性；同时以聚乙烯醇为分散剂，实现了Si3N4晶须在酸性浆料中的稳定分散，得到了Si3N4w/Si复相高体积分数协同稳定悬浮浆料。Si粉氮化反应过程体积膨胀，可有效占据预制体中的孔隙；将多孔Si3N4w/Si预制体放入氮化炉中，通入N2，使预制体中的Si粉发生氮化反应，在Si3N4晶须上原位生成氮化硅，得到Si3N4w/Si3N4复合材料。本发明发展的方法适合用于制备大尺寸复杂形状构件，通过凝胶注模结合原位反应，可获得一种各向同性、残余应力较小的高性能陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN110156484B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910393405.9
申请日：2019-05-13
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/81
Abstract: 本发明涉及一种BN/Si3N4晶须预制体及采用凝胶注模成型的制备方法，技术特征在于包括以下步骤：步骤1：首先将BN晶须、Si3N4晶须、润湿剂、分散剂、PH调节剂、去离子水按照一定比例配料，球磨一定时间后，加入单体、交联剂继续球磨得到均匀浆料；步骤2：将步骤1得到的浆料加入引发剂，真空除泡，搅拌均匀后进行注模，震荡除泡后使浆料在一定温度交联固化，脱模得到湿坯；步骤3：将步骤2得到的湿坯在一定温度下排胶即可得到所需复相晶须预制体。本发明提供的技术方案可用于制备兼具优异透波性能和力学性能的复相陶瓷，成型复杂形状的高温透波构件，该制备工艺简单，工艺可靠性和重复性高，成本低，周期短。
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公开(公告)号：CN108840694B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810867509.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种透波型Si3N4f/Si3N4复合材料表面涂层的制备方法，在不同密度的Si3N4f/Si3N4复合材料内部孔隙或表面采用循环浸渍‑CVI或者多次Dip‑coating的方法引入不同体积分数的Si3N4晶须浆料涂层；最后根据引入的Si3N4晶须体积分数，在合适的沉积温度、沉积时间范围内在Si3N4w涂层表面CVD Si3N4保护层，获得与基体结合良好的晶须Si3N4晶须涂层。通过在Si3N4f/Si3N4复合材料表面引入一种涂层结构，来改善其环境性能不足等缺点。通过调控浆料Si3N4w体积分数、Si3N4w引入时机、浸渍次数控制浆料涂层厚度，控制沉积温度及沉积时间来控制CVD Si3N4的渗透性及厚度，有助于填充由预制体结构残留的孔隙以及CVI瓶颈工艺的孔隙，提高复合材料的致密度，提高复合材料的防吸潮、耐磨、抗氧化及抗烧蚀等性能。
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公开(公告)号：CN109265189A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811199009.4
申请日：2018-10-15
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电磁阻抗渐变基体的吸波陶瓷基复合材料快速制备方法，首先采用CVI或PIP工艺制备多孔的碳基复合材料，然后采用RMI工艺得到C-SiC基复合材料，最后采用氮化工艺，将复合材料中的残余Si转化为Si3N4，由此得到基体物相组成由内而外为C→SiC→Si3N4，与自由空间的电磁阻抗匹配性能逐渐改善；由外而内为Si3N4→SiC→C，对电磁波的损耗能力逐渐增强的吸波型陶瓷基复合材料。本发明工艺可控性强，而且与CVI和PIP法相比具有制备周期短、生产成本低。复合材料在电磁性能方面，基体材料由内而外与自由空间的阻抗匹配性能逐渐改善，由外而内对电磁波的损耗能力逐渐增强，有利于提高复合材料的吸波性能。
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