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公开(公告)号:CN102863024A
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201210382272.3
申请日:2012-10-10
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01G33/00
Abstract: 一种柱状铌酸锶钠微晶粉体的制备方法,采用一步熔盐法制备铌酸锶钠微晶粉体。在实验过程中,首先合成形貌各向异性的铌酸锶钾微晶粉体,然后通过钠离子与钾离子的交换得到最终产物——柱状铌酸锶钠微晶粉料。制得的铌酸锶钠粉体无其他杂质,为四方钨青铜结构的单相微晶粉体,具有形貌各向异性的柱状外形,其长度约11-87微米、直径约3-9微米,微晶粉体互不粘连、颗粒均匀、分散性好。本发明制备方法简便,所得产物纯度高、尺寸可控,无团聚,符合各向异性模板所需要求,机械污染小,配方偏差小,工艺过程易于控制以及产品的重现性和稳定性好,易于产业化。
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公开(公告)号:CN101913860A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010258362.2
申请日:2010-08-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出一种钛酸铋基高居里温度压电陶瓷及其制备方法。用传统固相烧结法制备(1-x)(0.6Bi4Ti3O12-0.4BaTiO3)-xPbTiO3陶瓷,其中,x=0.02~0.10。本发明以熔盐法制备的Bi4Ti3O12、分析纯的BaTiO3、Pb3O4、TiO2为原料制备的高居里温度压电陶瓷。粉料经混合球磨、烘干、预烧、二次球磨、造粒、成型、排胶,最后在1050~1100℃中烧结2h~4h,制备出所需的陶瓷材料。本发明采用传统压电陶瓷制备方法,所制备出的钛酸铋钡基压电陶瓷其居里温度均在450℃以上并且制备工艺稳定可靠,电性能已经达到压电陶瓷实用化要求,能够应用在航空航天、石油化工等特殊高温环境下。
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公开(公告)号:CN102863024B
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201210382272.3
申请日:2012-10-10
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01G33/00
Abstract: 一种柱状铌酸锶钠微晶粉体的制备方法,采用一步熔盐法制备铌酸锶钠微晶粉体。在实验过程中,首先合成形貌各向异性的铌酸锶钾微晶粉体,然后通过钠离子与钾离子的交换得到最终产物——柱状铌酸锶钠微晶粉料。制得的铌酸锶钠粉体无其他杂质,为四方钨青铜结构的单相微晶粉体,具有形貌各向异性的柱状外形,其长度约11-87微米、直径约3-9微米,微晶粉体互不粘连、颗粒均匀、分散性好。本发明制备方法简便,所得产物纯度高、尺寸可控,无团聚,符合各向异性模板所需要求,机械污染小,配方偏差小,工艺过程易于控制以及产品的重现性和稳定性好,易于产业化。
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公开(公告)号:CN102584232A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210007055.6
申请日:2012-01-11
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种近零谐振频率温度系数超低温烧结微波介质陶瓷,分别以分析纯的ZnO和Nb2O5,TiO2和TeO2制备Zn3Nb2O8和TiTe3O8预烧粉体。以0.7ZnNb2O6-0.3Zn3Nb2O8为基体材料,采用两种不同工艺分别添加0.3~0.5mol的TiO2、TeO2氧化物或TiTe3O8化合物,经球磨、烘干并添加5~10wt%的PVA造粒压制成型,于650-700℃烧结后获得谐振频率温度系数近零且具有良好微波介电性能的陶瓷材料。本发明在微波介质陶瓷的低温烧结上取得很大进步,且克服了陶瓷谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性,降低了成本,满足LTCC工艺技术的要求,对实现微波元器件的小型化、轻量化、集成化等具有重要意义。
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公开(公告)号:CN102276255A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110147939.7
申请日:2011-06-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 本发明提出了一种片状钛酸钡微晶粉体的制备方法,首先通过熔盐法制备片状前驱物钛酸铋钡BaBi4Ti4O15,之后以NaCl-KCl熔盐为介质制备出保持前驱物BaBi4Ti4O15形貌的片状BaTiO3粉体。制得的前驱物BaBi4Ti4O15粉体具有非常明显的片状形貌,其尺寸平均为8×8×1μm,是非常适宜的前驱物;制得的BaTiO3粉体具有尺寸分布均匀的片状外形,其尺寸平均为6×6×2μm。本发明所采用的步骤较少,方法较为简单,所得产物符合各向异性模板所需要求,可以作为大量生产模板的方法。
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公开(公告)号:CN101747037A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200810232456.5
申请日:2008-11-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明是一种高Q值复相微波介质陶瓷及其制备方法,一般表达式为(1-x)ZnNb2O6+xZn3Nb2O8,其中0.1≤x≤0.4。将ZnO和Nb2O5预烧制成ZnNb2O6;将ZnO和Nb2O5预烧制成Zn3Nb2O8;在合成的ZnNb2O6和Zn3Nb2O8中添加3wt%~8wt%的PVA造粒并压制成型;对坯体进行烧结,得到高Q值复相微波介质陶瓷。本发明在微波频段下具有高Q×f值与低烧结温度,同时介电常数为22~24。利用本发明提供的高Q值复相微波介质陶瓷,可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适合更高频率与更大功率的应用。同时由于低烧结温度,可以使用价格更低廉的电极材料,节约大量的能源,降低应用成本。
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公开(公告)号:CN103664164B
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201310648927.1
申请日:2013-12-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出一种高织构度钛酸锶热电陶瓷及其制备方法,本发明以微晶模板Sr3Ti2O7与基体粉料、有机溶剂和粘结剂混合生成最终的钛酸锶热电织构陶瓷,其中,织构陶瓷的微晶模板是用碳酸锶、二氧化钛以及氯化钾为原料生成形貌为片状的Sr3Ti2O7粉体;基体粉料包括纳米钛酸锶和氧化铋;经过球磨制浆、流延、叠压、热水等静压、切割、烧结以及打磨抛光工序,最终生成钛酸锶热电织构陶瓷。本发明的优点在于可以利用工厂现有的片式电子元件生产设备,同时制备工艺简单,制备过程符合绿色环保的要求,所制备出的钛酸锶热电陶瓷其织构度高达0.87,为提高钛酸锶热电材料的热电性能奠定了基础。
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公开(公告)号:CN103420673B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201310337876.0
申请日:2013-08-05
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/63
Abstract: 一种铌酸锶钾无铅致密织构陶瓷及其制备方法。所述铌酸锶钾无铅致密织构陶瓷以针状铌酸锶钾微晶粉体、助烧剂、有机溶剂和粘结剂为原料,采用熔盐法合成针状微晶粉体陶瓷铌酸锶钾,将铌酸锶钾此粉体同助烧剂、有机溶剂和粘结剂混合,获得具有一定粘度的浆料,浆料经流延工艺制备成为膜片,膜片通过叠压和热水等静压以及切割工艺获得素坯样片,经排胶后烧结,最终制得铌酸锶钾无铅铁电致密织构陶瓷。本发明工艺简单,配方偏差小,产品的重现性和稳定性好,并可利用现有的片式电子元件生产设备,易于产业化。
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公开(公告)号:CN103420673A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201310337876.0
申请日:2013-08-05
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/63
Abstract: 一种铌酸锶钾无铅致密织构陶瓷及其制备方法。所述铌酸锶钾无铅致密织构陶瓷以针状铌酸锶钾微晶粉体、助烧剂、有机溶剂和粘结剂为原料,采用熔盐法合成针状微晶粉体陶瓷铌酸锶钾,将铌酸锶钾此粉体同助烧剂、有机溶剂和粘结剂混合,获得具有一定粘度的浆料,浆料经流延工艺制备成为膜片,膜片通过叠压和热水等静压以及切割工艺获得素坯样片,经排胶后烧结,最终制得铌酸锶钾无铅铁电致密织构陶瓷。本发明工艺简单,配方偏差小,产品的重现性和稳定性好,并可利用现有的片式电子元件生产设备,易于产业化。
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公开(公告)号:CN102584232B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201210007055.6
申请日:2012-01-11
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种近零谐振频率温度系数超低温烧结微波介质陶瓷,分别以分析纯的ZnO和Nb2O5,TiO2和TeO2制备Zn3Nb2O8和TiTe3O8预烧粉体。以0.7ZnNb2O6-0.3Zn3Nb2O8为基体材料,采用两种不同工艺分别添加0.3~0.5mol的TiO2、TeO2氧化物或TiTe3O8化合物,经球磨、烘干并添加5~10wt%的PVA造粒压制成型,于650-700℃烧结后获得谐振频率温度系数近零且具有良好微波介电性能的陶瓷材料。本发明在微波介质陶瓷的低温烧结上取得很大进步,且克服了陶瓷谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性,降低了成本,满足LTCC工艺技术的要求,对实现微波元器件的小型化、轻量化、集成化等具有重要意义。
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