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公开(公告)号：CN114536732B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111640484.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法，其包括如下步骤：S1：将GD414C硅橡胶样品放置于真空室中的样品台上，将真空室抽真空；S2：真空室加热至85℃；S3：样品台4底部和上方的电压平板加电压，并通过样品台上方射频电源对GD414C硅橡胶样品进行电子轰击。本发明采用了在高温真空环境下对GD414C硅橡胶进行电子轰击的办法，目前的真空技术及电子轰击技术装置已经相当成熟，所以本发明易于实现，且成本较低。
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公开(公告)号：CN114552363B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111643346.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
Inventor： 曾璞 , 罗杰平 , 温锋 , 张伟 , 周忠燕 , 罗辉 , 刘从吉 , 陈君润 , 袁菲 , 余吉庆 , 胡少沛 , 王杰 , 刘海淞 , 张祎景 , 石磊 , 郑皓予 , 赖冬寅 , 龚磊
Abstract: 本发明属于固体激光器技术领域，具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间，然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间，共同区间的最小封锁电压值表示为Vmin，最大封锁电压值Vmax；计算出共同封锁区间的最小封锁电压和最大封锁电压的中间值V＝(Vmax+Vmin)/2，则将V设置为激光器的铌酸锂封锁电压值。该方法对铌酸锂封锁电压设置方法进行了优化，使得在同样质量的铌酸锂晶体条件下，仅仅通过改变其封锁电压的调试设置方法，便可以提高铌酸锂晶体合格率，满足激光器使用要求。
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公开(公告)号：CN114552363A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111643346.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
Inventor： 曾璞 , 罗杰平 , 温锋 , 张伟 , 周忠燕 , 罗辉 , 刘从吉 , 陈君润 , 袁菲 , 余吉庆 , 胡少沛 , 王杰 , 刘海淞 , 张祎景 , 石磊 , 郑皓予 , 赖冬寅 , 龚磊
Abstract: 本发明属于固体激光器技术领域，具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间，然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间，共同区间的最小封锁电压值表示为Vmin，最大封锁电压值Vmax；计算出共同封锁区间的最小封锁电压和最大封锁电压的中间值V＝(Vmax+Vmin)/2，则将V设置为激光器的铌酸锂封锁电压值。该方法对铌酸锂封锁电压设置方法进行了优化，使得在同样质量的铌酸锂晶体条件下，仅仅通过改变其封锁电压的调试设置方法，便可以提高铌酸锂晶体合格率，满足激光器使用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114536732A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111640484.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种GD414C硅橡胶红外吸收谱改变方法，其包括如下步骤：S1：将GD414C硅橡胶样品放置于真空室中的样品台上，将真空室抽真空；S2：真空室加热至85℃；S3：样品台4底部和上方的电压平板加电压，并通过样品台上方射频电源对GD414C硅橡胶样品进行电子轰击。本发明采用了在高温真空环境下对GD414C硅橡胶进行电子轰击的办法，目前的真空技术及电子轰击技术装置已经相当成熟，所以本发明易于实现，且成本较低。
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公开(公告)号：CN109719493A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811607993.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: B23P19/10
Abstract: 本发明属于零件加工误差控制技术领域，具体涉及一种轴上零件间隙消除方法。该方法使用两个压圈分别锁紧左右轴承外圈，百分表测试轴上间隙后，加入调整垫圈，使轴承内外圈端面高度差值等于轴承游隙，再分别使用两个调节螺母锁紧轴承内圈，垫圈达到定位预紧目的，完全消除轴上间隙，轴系结构刚性好，并且转动灵活。本发明一次性测量轴上零件制造误差和轴承游隙，间隙测试完成后，增加调整垫圈厚度，消除轴上零件间隙，保证结构刚性。增加调整垫圈后满足零件加工制造误差与装配选用的两端轴承游隙值相等。
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公开(公告)号：CN119556485A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411941356.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种空间合束反射镜组的快速装调装置，其包括氦氖激光器(1)、带中心孔全反镜(2)、转台模拟机构(3)、反射镜光阑(4)、自准直仪(5)、内部光阑(6)、合束箱(7)、主镜(8)；转台模拟机构(3)上，由上至下同轴安装氦氖激光器(1)、带中心孔全反镜(2)、内部光阑(6)；转台模拟机构(3)安装在合束箱(7)顶面中心，主镜(8)布置在合束箱(7)内且位于内部光阑(6)正下方；主镜(8)的镜面上安装反射镜光阑(4)；自准直仪(5)架设于合束箱(7)外，自准直仪(5)出射光线与主镜(8)反射光路一致。本发明采用自准直仪代替不同波段的激光，不受限于装调目标波段，适用于组合式空间合束系统装调，应用范围广，实用性强。
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公开(公告)号：CN112820795A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011592450.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0288 , C23C16/24 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其中，包括：采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅材料，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间；反应腔体内采用热丝控制气体温度，在辉光放电前，先将沉积室温抽真空到5x10‑4Pa；然后在辉光放电沉积过程的反应室中，通入少量N2O与硅烷作为非晶硅材料反应气体，并且在反应过程中使反应腔中保持46Pa～55Pa的压强，对衬底进行加热到300℃，让上下平板间出现电容耦合式的气体放电，将氧原子掺杂入非晶硅材料中，使氧原子在非晶硅中与Si形成新键，形成含氧的氢化非晶硅。本发明提出的一个非晶硅材料电阻率的调节方法，简单可行。
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公开(公告)号：CN111373873B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201518007354.4
申请日：2015-11-20
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明提出了一种非接触式测量装置及测量方法，通过光学系统对被测物体进行“直瞄”方式，结合其他高精度测量装置对其进行高度差测量。本发明所涉及的测量装置主要由支撑系统、照明系统、光学系统、被测量系统、滑台系统、显示系统与测量系统组成，结构简单、布局合理，可以很好的支撑本发明所提到的非接触式高度测量方法，对不同规格的被测物体进行高精度的高度测量；操作简单易行，系统柔性好、成本低、精度高，快速高效。
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