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公开(公告)号：CN117790441A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311847551.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于相变均热的高压高频功率器件基板结构，包括平行设置的铜基板和DBC基板，铜基板上开设有凹槽，凹槽内部设有凸台；DBC基板架设于凹槽上，铜基板和凸台均与DBC基板的下铜层连接；DBC基板的上铜层用于连接高压高频功率器件；当铜基板与DBC基板连接后，凹槽在DBC基板的覆盖下形成散热空腔；散热空腔内部充设有相变工质，且散热空腔内部预设真空度。本发明通过注入相变工质后抽一定程度真空形成相变传热循环，显著提高了基板的散热效率。通过减少DBC基板下层铜的面积并配合散热基板，有效减少了功率模块的对地寄生电容，提升了模块整体的电热综合稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507226A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410862537.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种高绝缘强度低耦合电容的高频变压器结构及隔离栅极驱动器，包括铁氧体磁芯、变压层、固定夹片、引出原副边绕组的金属引脚和外壳，两个固定夹片平行相对设置，变压层固定于两个固定夹片之间，铁氧化磁芯竖直嵌设于变压层中，变压层包括交错平行放置的绕组层和多个绝缘夹层，铁氧化磁芯的两端伸出金属引脚与绕组层焊接，金属引脚用于引出原副边接线端子，外壳套设于固定夹片外侧，且外壳与固定夹片之间的缝隙灌封有硅凝胶。本发明通过多片PCB分离原副边绕组，采用PTFE绝缘与硅凝胶灌封的方式，提高变压器的绝缘强度，减少变压器的原副边耦合电容，提升了模块整体的绝缘性能与高频性能。
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公开(公告)号：CN118228656A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410378594.3
申请日：2024-03-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/3323
Abstract: 本发明公开了一种适用于中高压碳化硅功率模块的芯片邻域电场等效模型及建模方法，包括DBC子结构模型、芯片子结构模型和灌封材料子结构模型；所述DBC子结构模型包括第一、第二金属层和第一绝缘介质层，第一绝缘介质层的上层和下层分别为第一和第二金属层；所述芯片子结构模型包括第三、第四金属层和第二、第三、第四、第五、第六绝缘介质，第三金属层左上层为第二绝缘介质层，第三和第四绝缘介质层位于第二绝缘介质层内部，第三绝缘介质层左上层设置有第四金属层，第三金属层和第二绝缘介质层上层分别设置有第五和第六绝缘介质层；所述灌封材料子结构模型为第七绝缘介质层。本发明求解效率高，对不同封装结构适用性较好，有利于结构的高效优化。
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公开(公告)号：CN118899287A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411072927.6
申请日：2024-08-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性互连的高压功率器件结构及制备方法和电力设备，属于电力半导体封装技术领域。本发明提供的基于柔性互连的高压功率器件互连结构为双面封装结构，通过融合中部形变段和两端固定段的导电弹片，克服了现有技术中双面互连封装因刚性构造固有的局限性，将传统技术中刚性的多芯片互连结构转化为柔性结构，实现固定铜板和活动铜板的柔性连接；基于柔性连接，通过导电弹片对由于芯片、焊层、金属垫块等加工公差导致的高度差异变化，加以补偿，避免了多芯片互连时，上表面高度差对于焊接质量的影响；同时，通过基于柔性互连的高压功率器件结构设计，提升高压功率器件的通流能力、可靠性及对抗热应力老化的能力。
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