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公开(公告)号：CN110361445A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910696445.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N27/12 , G01B11/00
Abstract: 本发明公开了一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法，本发明采用SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等半导体金属氧化物，将其同时用作CMUTs上电极以及敏感识别材料，利用其吸附气体后同时引起薄膜质量及上电极电阻变化的特性，实现物理、化学性质相近或相似气体分子的高选择性敏感。薄膜质量的变化会引起CMUT谐振频率的变化；上电极电阻的变化会引起CMUT上下电极间交流电压幅值的变化，进而引起CMUT薄膜振动幅值的变化，通过谐振频率和薄膜振动位移幅值这两种输出参数的变化可实现气体分子的高选择性检测。此外，由于半导体氧化物敏感材料在温度调节下具有可重复使用性，因此本发明CMUT气体传感器除了具有高选择性外，还具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN110361445B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910696445.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N27/12 , G01B11/00
Abstract: 本发明公开了一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法，本发明采用SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等半导体金属氧化物，将其同时用作CMUTs上电极以及敏感识别材料，利用其吸附气体后同时引起薄膜质量及上电极电阻变化的特性，实现物理、化学性质相近或相似气体分子的高选择性敏感。薄膜质量的变化会引起CMUT谐振频率的变化；上电极电阻的变化会引起CMUT上下电极间交流电压幅值的变化，进而引起CMUT薄膜振动幅值的变化，通过谐振频率和薄膜振动位移幅值这两种输出参数的变化可实现气体分子的高选择性检测。此外，由于半导体氧化物敏感材料在温度调节下具有可重复使用性，因此本发明CMUT气体传感器除了具有高选择性外，还具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN119727681A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411891487.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅MOSFET的保护电路、装置及方法，属于保护电路技术领域。本发明提供的保护电路，能够及时识别并处理短路故障，为高压碳化硅MOSFET提供全面的电路保护，通过完全开通检测电路和栅极电压检测电路的协同工作，实现了硬开关短路故障的识别，通过完全开通检测电路和漏源电压检测电路的设置，实现了负载短路故障的识别；当识别到待保护高压碳化硅MOSFET存在硬开关短路故障或者负载短路故障时，逻辑处理电路能够迅速接收相关信号并作出准确判断，对外部PWM控制信号进行闭锁，输出相应的电平信号，电平信号通过第一驱动电路和第二驱动电路，实现对MOSFET的快速关断，有效保护器件。
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公开(公告)号：CN118091201A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410230748.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R1/04 , H01R13/02 , H01R13/53 , H01R13/40 , G01R31/327
Abstract: 本发明涉及中高压电子器件领域，尤其涉及一种于中高压领域的防止空气闪络的双脉冲测试用直流电容母排。该母排结构由若干层绝缘层及若干层母排组成，可实现电容的串并联，可并联电阻实现均压。第一层母排具有正接线端，最后一层母排具有负接线端，用以与待测器件连接。第一层及最后一层绝缘层表面通过采用激光飞秒工艺刻蚀微型结构，能够在极小的爬电距离下防止空气下的沿面闪络。母排正负接线连接处采用防闪络板，有效避免连接被测件后的沿面闪络。本发明可以降低直流母排的寄生参数，同时可以减小沿面闪络的风险，提升中高压情况下母排使用的可靠性。
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公开(公告)号：CN117448879A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311633656.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于电催化技术领域，公开了一种全过渡金属基析氧电催化剂及其制备方法、应用；其中，所述制备方法包括：将NiPS3纳米片置入钴金属盐、铁金属盐的混合水溶液中，混合均匀后离心处理，获得沉淀物；搅拌条件下，将获得的沉淀物分散在水中，获得沉淀物的混合水溶液；在室温以下的温度条件下，向所述沉淀物的混合水溶液中加入含B元素的还原剂，搅拌条件下进行反应，离心、洗涤、干燥，制备获得CoFeB/NiPS3异质结构。本发明制备的全过渡金属基析氧催化剂，相较于贵金属催化剂具有成本低廉的优点，且在催化性能和稳定性上可比肩贵金属催化剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116858140A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310813394.1
申请日：2023-07-04
Applicant: 西安交通大学 , 中国航发南方工业有限公司
IPC: G01B11/30 , G06T7/00 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种表面粗糙度自动化检测系统及其方法，沿待测工件表面的法向进行单向步进检测，采集待测工件表面的微观图像，重复采集得到沿法向的一系列表面粗糙度法向序列图像；基于清晰评价算法从采集的一系列表面粗糙度法向序列图像中选取最清晰的一张图像作为测量粗糙度值所用的图像；将得到的最清晰图像输入粗糙度回归测量模型中，得到待测工件的表面粗糙度值。本发明能够自动对表面粗糙度进行非接触测量，并具有较高的检测精度，有效排除人为误差，降低人工成本，能够适应现代化工业中，高速，高精度的测量需求。
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公开(公告)号：CN114965598A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210480855.3
申请日：2022-05-05
Applicant: 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掺锡氧化镍贵金属修饰的MEMS甲醛传感器及制备方法，在Si基底正反面制备双面氧化硅层、高频Si3N4正应力层、低频Si3N4负应力层、高频Si3N4正应力层、多孔Si3N4低热导率绝缘层；再制备出包括测温电阻、加热电极和敏感叉指电极对，沉积Cr‑Au薄膜制备敏感层图案、掺锡NiO敏感层薄膜；溅射Sn薄膜，Pt和Pd混合靶材贵金属薄膜；制备背部掩蔽层SiO2‑Si3N4；形成绝热槽；通过划片得到气体传感器芯片。通过掺锡氧化镍表面制备贵金属复合颗粒，增加薄膜的比表面积，形成P‑N异质结，提升了甲醛传感器的力学性能，具有更低的热传导系数和更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112957030A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110150393.4
申请日：2021-02-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于颈椎弯曲监测的可穿戴柔性应变智能传感系统，包括以下三个部分：能测量弯曲的柔性应变传感器，以STM32微控制器为核心的数据采集和传输集成电路，接收信号并显示输出的控制界面。柔性应变传感器编织成织物式或贴纸式紧贴颈椎部位皮肤，测得精确弯曲数据后输入到电路中，电路的测量模块接受信号并将其滤波、放大，信号经微控制器处理后，利用有线或无线传输技术输入到终端，终端界面上显示颈椎弯曲曲线，并保存历史记录以供用户参考。
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公开(公告)号：CN111537922B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010403189.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种原子磁强计的MEMS气室碱金属原子源选择方法，它属于量子精密测量领域。具体为：首先确认MEMS气室内导致原子自旋弛豫的各种机制；然后根据气室内的具体实验参数计算总的弛豫率；最后根据横向弛豫时间以及实现的难易程度，综合比较MEMS气室内各种碱金属原子的优劣，并最终确定充入气室内的碱金属原子源的种类。本发明为原子磁强计中MEMS气室原子源的选择提供了理论依据，并为原子磁强计实现及灵敏度改善提供了理论参考。
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公开(公告)号：CN110518831B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910721415.0
申请日：2019-08-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种面内双向振动体PZT能量收集器，包括外框架、L型压电悬臂梁、质量块、电极和封装外壳，外框架的形状为环形，L型压电悬臂梁和质量块设置于外框架的内圈，L型压电悬臂梁的一端与外框架连接，另一端与质量块连接；L型压电悬臂梁的内侧和外侧均设有电极，电极的一端延伸至封装外壳外部。L型压电悬臂梁上靠近外框架中心的一侧为L型压电悬臂梁内侧，远离外框架中心的一侧为L型压电悬臂梁外侧。本发明的面内双向振动体PZT能量收集器能够实现双向振动能量收集，其制备工艺简单，适合批量化生产。
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