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公开(公告)号：CN115001398B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210461668.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种弧形函数发生器及晶体振荡器，包括：弧形函数发生电路、弧形函数调整电路和线性函数发生及调整电路；弧形函数发生电路用于生成弧线信号，弧形函数调整电路用于调整弧线信号的大小及方向，线性函数发生及调整电路用于生成线性信号并调整线性信号的大小和方向，调整后的线性信号与调整后的弧线信号相加输出；弧形函数发生器适用于恒温晶振的温度补偿，以解决三次函数电压不适用于恒温晶振的温度补偿的问题。
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公开(公告)号：CN114429099B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210101247.7
申请日：2022-01-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/367 , G06N5/01 , G06N7/01 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种模拟集成电路参数优化方法及系统，所述方法包括以下步骤：获取待参数优化的模拟集成电路的电路结构、性能指标要求、基于gm/ID设计方法学的电路设计参数及其取值范围、ID/W‑gm/ID查找表、迭代停止条件；根据获取的所述基于gm/ID设计方法学的电路设计参数及其取值范围，采样得到训练样本集；将所述训练样本集中的每个样本分别输入电路仿真器进行仿真，获得对应的训练响应集；基于所述训练样本集和训练响应集进行迭代处理，实现模拟集成电路参数优化。本发明的方法相当于在电路的特征空间对电路进行优化，能够显著提高算法的优化效果与加速收敛速度。
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公开(公告)号：CN113328754B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110627441.4
申请日：2021-06-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明提供一种环路延迟补偿电路及Sigma Delta模数转换器，通过调整DAC1～DAC4的输入信号码值，控制差分输入对输入时钟信号的工作电流，而时钟CKP1与时钟CKP2相位相差90度，时钟CKP1与时钟CKN1相位相差180度，这四组时钟信号同时在电阻R1和R2上叠加生成的信号在CKP1一个时钟周期内存在延时，通过调节DAC1 ～DAC4 的输入码值即可控制延迟时间大小。该电路可以通过设置DAC1～DAC4的输入码值调节高频采样时钟一个周期内的延迟时间用于环路延迟的补偿，以解决过量环路延迟问题。
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公开(公告)号：CN110989758B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201911312751.6
申请日：2019-12-18
Applicant: 西安交通大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带高阶补偿电路的基准源电路结构，包括：pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，p型MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8，n型MOS管M9，M10，电阻R1、R2、R3，以及单端输出运放A1；p型MOS管M1、M2、M3，单端输出运放A1，电阻R1，以及pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4构成正温度系数电流产生电路，用于产生包含一阶项和高阶项的电流；其中，Q1并联在Q2上，Q3并联在Q4；p型MOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10，电阻R3，以及pnp型三极管Q5构成零温度系数电流产生电路，用于为Q3提供电流偏置；p型MOS管M4，电阻R2，以及pnp型三极管Q5构成输出支路，用于输出基准电压。本发明的结构设计简便且温度系数较低。
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公开(公告)号：CN110768670B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910919360.4
申请日：2019-09-26
Applicant: 西安交通大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于逐次逼近型模数转换器的数字分段线性校准方法，属于数字模拟混合集成电路设计技术领域。利用实际量化曲线与理想量化曲线的数学关系，将实际量化曲线修正到理想量化曲线上。通常的校准技术主要校准电容的失配误差，对于工作中产生的动态误差则无法校准，本发明的校准技术在现有校准技术的基础上补偿了模拟部分在工作中产生的新的误差，一方面有效地提高了逐次逼近型模数转换器的线性度，另一方面该校准算法可以通过简单的加法和移位运算实现，极大地减小了硬件开销。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111190452A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010010397.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电路芯片温度系数的测试方法，包括以下步骤：步骤1，将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；步骤2，将保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热基准电路芯片至预设温度；将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；其中，预设温度的取值范围为27℃～85℃。本发明测试方法简单，对测试仪器要求较低，测试结果可靠性高。
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公开(公告)号：CN110768671A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910990297.3
申请日：2019-10-17
Applicant: 西安交通大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于逐次逼近型模数转换器的片外校准方法及系统，包括：包括以下步骤：向待校准ADC输入一正弦波；所述正弦波的频率与待校准ADC的采样频率满足相干采样的关系；采集待校准ADC的比较器的输出码值，根据比较器的输出码值计算获得所述正弦波数字码值；通过校准算法校准获得的所述正弦波数字码值，得到待校准ADC的电容阵列实际权重，将所述电容阵列实际权重写入待校准ADC的权重寄存器，完成校准；所述校准算法中，通过待校准ADC的信噪失真比的大小来衡量电容权重的失配程度。本发明能够在不影响ADC的正常工作模式下且无需要进行额外功能配置下，通过计算调节电容权重的方式，达到高精度的模数转换。
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公开(公告)号：CN110649924A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911032351.X
申请日：2019-10-28
Applicant: 西安交通大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于模拟集成电路设计领域，公开了一种逐次逼近型模数转换器的数字自校准装置及方法，数字自校准装置包括校准开关、比较器和逻辑控制单元；数字自校准方法包括采样，选取首位校准电容单元进行电荷重分配，通过逻辑控制电容的下极板接地或者基准电压之间的切换，逐次逼近首位校准电容单元进行电荷重分配带来的电压差，通过比较器的输出进行量化计算，按照量化结果进行校准计算，得到校准结果作为校准权重值，存在寄存器中用于模数转换器征程工作使用，重复进行完成所有高位电容的校准。本方法通过复用计算电路，减少了电路面积，同时保证了模数转换器的高精度量化。
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公开(公告)号：CN109187375A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810940061.4
申请日：2018-08-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明提供的一种基于标准CMOS工艺的芯片级光谱检测器件，包括利用标准CMOS集成电路工艺集成的光谱检测芯片本体，该光谱检测器件具有体积小、重量轻、成本低等优点；而且，该器件可以和大规模集成电路完美兼容，便于后续信号的采样、处理和传输；光谱检测芯片本体包括入射光准直衍射模块和光强度感应模块，光强感应模块设置在入射光准直衍射模块的底部，用于接收通过入射光准直衍射模块衍射后的入射光；其中，入射光准直衍射模块包括m个平行排列的光学微腔体，光学微腔体的顶部形成有双层狭缝；通过不同的场强分布信息区分入射光的波长信息，从而实现光谱分析功能。
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公开(公告)号：CN105044610A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510405504.6
申请日：2015-07-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/36
Abstract: 本发明公开了一种基于端口电压无需电流检测的高精度电池电量估算方法，包括以下步骤：1)利用Thevenin模型等效电池的实际电路，则t时刻电池的开路电压VOC(t)的表达式；2)获取电池在t1时刻和t2时刻对应的端口电压Vb1和Vb2，得端口电压Vb1和Vb2差值的绝对值；3)根据步骤2)得到的端口电压Vb1和Vb2差值的绝对值得到Vc及Vd的值，然后将Vc及Vd的值代入到电池的开路电压VOC(t)的表达式中，得t时刻电池的开路电压VOC(t)；4)根据步骤3)当t时刻电池的开路电压VOC(t)得t时刻电池的剩余电量。本发明能够准确得到电池的剩余电量。
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