一种生长于碳素钢表面的微纳点阵二氧化硅及其生长方法

    公开(公告)号:CN115558918A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211205709.6

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种生长于碳素钢表面的微纳点阵二氧化硅及其生长方法,该生长于碳素钢表面的微纳点阵二氧化硅的阵点直径为2μm~25μm,阵点高度为0.5μm~1μm,其生长方法包括:步骤一、以正硅酸乙酯、无水乙醇、乙酰丙酮和己烷为主要原料,配制二氧化硅感光溶胶;步骤二、通过超声冷喷,将二氧化硅感光溶胶喷涂于碳素钢表面,干燥,空冷,放置掩模板,紫外曝光,溶洗,烧制,完成在碳素钢表面生长微纳点阵二氧化硅涂层。本发明利用碳素钢表面二氧化硅微纳点阵结构所特有的超疏水性能形成涂层,通过二氧化硅自身的抗腐蚀稳定性,实现微纳点阵二氧化硅与碳素钢的高强度结合,避免腐蚀介质与碳素钢接触,赋予碳素钢高的防腐蚀性能。

    一种碳素钢表面生长SiO2涂层的方法

    公开(公告)号:CN115627459B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202211205703.9

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开一种碳素钢表面生长SiO2涂层的方法,包括:步骤一、配制SiO2溶胶;步骤二、将基板平放于装有正硅酸乙酯的烧杯上,将放置有基板的烧杯置于加热台上,得到组装系统,将组装系统负压处理,烘干,完成一面蒸镀正硅酸乙酯,将基板翻转,重复操作,完成另一面蒸镀正硅酸乙酯;步骤三、将蒸镀有正硅酸乙酯的基板浸没干燥处理后进行烧制,完成碳素钢表面生长SiO2涂层。本发明在碳素钢表面生长SiO2涂层的方法,利用提拉浸渍法在蒸镀有正硅酸乙酯的碳素钢钢表面生长SiO2涂层,一次实现钢板双面涂覆均匀涂层,SiO2涂层与钢板结合性强,具有良好铺展性,可充分利用SiO2涂层化学稳定性高和防腐性好的性能实现钢板防腐。

    一种碳素钢表面生长SiO2涂层的方法

    公开(公告)号:CN115627459A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211205703.9

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开一种碳素钢表面生长SiO2涂层的方法,包括:步骤一、配制SiO2溶胶;步骤二、将基板平放于装有正硅酸乙酯的烧杯上,将放置有基板的烧杯置于加热台上,得到组装系统,将组装系统负压处理,烘干,完成一面蒸镀正硅酸乙酯,将基板翻转,重复操作,完成另一面蒸镀正硅酸乙酯;步骤三、将蒸镀有正硅酸乙酯的基板浸没干燥处理后进行烧制,完成碳素钢表面生长SiO2涂层。本发明在碳素钢表面生长SiO2涂层的方法,利用提拉浸渍法在蒸镀有正硅酸乙酯的碳素钢钢表面生长SiO2涂层,一次实现钢板双面涂覆均匀涂层,SiO2涂层与钢板结合性强,具有良好铺展性,可充分利用SiO2涂层化学稳定性高和防腐性好的性能实现钢板防腐。

    一种无机全固态电致变色器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN112305828B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202011269674.3

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 本发明一种无机全固态电致变色器件的制备方法,具体步骤如下:步骤1,制备磷酸盐质子导体层;步骤2,在磷酸盐质子导体第一侧表面制备WO3电致变色薄膜层;步骤3,在磷酸盐质子导体第二侧表面制备Nb掺杂TiO2离子存储层薄膜层,得到产品A;步骤4,在产品A的WO3电致变色薄膜层及Nb掺杂TiO2离子存储层薄膜层的外表面上分别制备一层ITO透明导电层薄膜层,得到产品B;步骤5,将步骤4制备得到的产品B在大气气氛中进行热处理,热处理温度为300~400℃,热处理时间为120~200分钟。还提供了应用上述方法制备得到的一种无机全固态电致变色器件。该无机全固态电致变色器件具有良好的电致变色性能。

    一种透明磷酸盐质子导体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112499965B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202011272097.3

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 本发明一种透明磷酸盐质子导体的制备方法,具体为:步骤1,制备透明的磷酸盐玻璃;步骤2,将步骤1得到的圆柱状透明的磷酸盐玻璃切片,再用砂纸对其中一个切面进行抛光处理;步骤3,将抛光后的切片置于超声波清洗机中清洗30min,之后,将抛光那一切面镀铂金;步骤4,将已镀铂金的切片放入已清洗的石墨坩埚内,将石墨坩埚内通入氢气,氢气的流速控制在3~6ml/min,然后在铂金上搭铝片,以熔融锡或石墨粉为底电极在石墨坩埚内进行固体电化学置换反应,温度控制在310~350℃,反应5个小时后取出,进行磨抛,即得透明的磷酸盐质子导体。该方法工艺可控。还提供了采用上述方法制备得到的一种透明磷酸盐质子导体。

    一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113816615A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111009759.2

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 本发明公开的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法,具体步骤如下:步骤1,以苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡及乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶;步骤2,将钠钙玻璃片作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜玻璃;步骤3,将步骤2得到的ITO镀膜玻璃放置于管式炉中于500~550℃氢气气氛中进行终处理,气压0.1MPa,流量4~10mL/min,保温时间10~15min,得到ITO纳米晶薄膜。该方法能够大面积制膜,适合于产业化量产。本发明公开的一种有上述方法制备的超高透明导电性ITO薄膜。

    一种无机全固态电致变色器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN112305828A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202011269674.3

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 本发明一种无机全固态电致变色器件的制备方法,具体步骤如下:步骤1,制备磷酸盐质子导体层;步骤2,在磷酸盐质子导体第一侧表面制备WO3电致变色薄膜层;步骤3,在磷酸盐质子导体第二侧表面制备Nb掺杂TiO2离子存储层薄膜层,得到产品A;步骤4,在产品A的WO3电致变色薄膜层及Nb掺杂TiO2离子存储层薄膜层的外表面上分别制备一层ITO透明导电层薄膜层,得到产品B;步骤5,将步骤4制备得到的产品B在大气气氛中进行热处理,热处理温度为300~400℃,热处理时间为120~200分钟。还提供了应用上述方法制备得到的一种无机全固态电致变色器件。该无机全固态电致变色器件具有良好的电致变色性能。

    一种基于无人机助降紫外LED朗伯功率估算方法

    公开(公告)号:CN111932863B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202010544665.4

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 本发明提出了一种基于无人机助降紫外LED朗伯功率估算方法,在降落过程中地面平台根据信号发送机按照一定规则放置间隔均匀的LED阵列紫外光为无人机提供引导信号;无人机接近自主着陆平台时,搭载在无人机上的接收机开始探测地面紫外光信号,无人机距离地面h1时探测到紫外光信号,通过译码获取紫外光信息确定此处为无人机目的投放平台。通过分析紫外LED的朗伯特性研究LED光源的发散性,使得紫外LED作为引导光源时可以为无人机飞行引导提供更为准确地信息,从而提高无人机降落的可靠性,该方法设计合理,能够在不同情况下实现准确降落,适用性广泛。

    一种基于无人机助降紫外LED朗伯功率估算方法

    公开(公告)号:CN111932863A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010544665.4

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 本发明提出了一种基于无人机助降紫外LED朗伯功率估算方法,在降落过程中地面平台根据信号发送机按照一定规则放置间隔均匀的LED阵列紫外光为无人机提供引导信号;无人机接近自主着陆平台时,搭载在无人机上的接收机开始探测地面紫外光信号,无人机距离地面h1时探测到紫外光信号,通过译码获取紫外光信息确定此处为无人机目的投放平台。通过分析紫外LED的朗伯特性研究LED光源的发散性,使得紫外LED作为引导光源时可以为无人机飞行引导提供更为准确地信息,从而提高无人机降落的可靠性,该方法设计合理,能够在不同情况下实现准确降落,适用性广泛。

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