-
公开(公告)号：CN113831025A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111009384.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃下退火处理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。
-
公开(公告)号：CN113831025B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202111009384.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃下退火处理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。
-
公开(公告)号：CN110386624A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910763531.9
申请日：2019-08-19
IPC: C01G45/00
Abstract: 本发明公开了一种紫外感光钙锰氧溶胶及其薄膜微细图形的制备方法。本发明将Ca(NO3)2·4H2O、Mn(CH3COO)2·4H2O和2,2′-联吡啶分别配制为甲醇溶液，再按比例混合，加入丙烯酸，定容、陈化后，得紫外感光CaMn7O12溶胶；再利用紫外感光CaMn7O12溶胶，通过浸渍提拉法在基板上制备凝胶薄膜，经干燥、曝光、溶洗、热处理，得CaMn7O12薄膜微细图形。本发明CaMn7O12是单相多铁材料，具有强的磁电耦合效应，其溶胶在298nm处有较强吸收峰，浸渍提拉法获得紫外感光CaMn7O12凝胶薄膜，薄膜厚度易控制，尺寸较大，轮廓清晰，结构规整，薄膜没有污染，性能稳定。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109399621A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811508831.4
申请日：2018-12-11
Applicant: 西安理工大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种制备大面积高质量石墨烯的方法，采用遮光材料在生长腔的高温区营造出一片阴影区域，用于遮挡通过热辐射到达金属衬底表面的热量，从而在金属衬底上形成局部低温区，使活性碳原子在该低温区形成局部过饱和并形成石墨烯晶核，并在阴影区逐渐长大。随着石墨烯生长前沿的扩大，在单位时间内能够吸纳更多的活性碳原子进入石墨烯晶格中，因此，在石墨烯的持续生长过程中可以适当提高前驱体的浓度，从而实现石墨烯的快速制备。采用本发明所述方法，不仅可以获得大面积高质量的石墨烯，而且形核生长过程可控，生长速度快，更有利于实现大面积高质量石墨烯的工业化制备，从而促进石墨烯应用研究的发展。
-
公开(公告)号：CN110386624B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910763531.9
申请日：2019-08-19
IPC: C01G45/00
Abstract: 本发明公开了一种紫外感光钙锰氧溶胶及其薄膜微细图形的制备方法。本发明将Ca(NO3)2·4H2O、Mn(CH3COO)2·4H2O和2,2′‑联吡啶分别配制为甲醇溶液，再按比例混合，加入丙烯酸，定容、陈化后，得紫外感光CaMn7O12溶胶；再利用紫外感光CaMn7O12溶胶，通过浸渍提拉法在基板上制备凝胶薄膜，经干燥、曝光、溶洗、热处理，得CaMn7O12薄膜微细图形。本发明CaMn7O12是单相多铁材料，具有强的磁电耦合效应，其溶胶在298nm处有较强吸收峰，浸渍提拉法获得紫外感光CaMn7O12凝胶薄膜，薄膜厚度易控制，尺寸较大，轮廓清晰，结构规整，薄膜没有污染，性能稳定。
-
公开(公告)号：CN113816602A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111084768.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开一种阻隔太阳辐射热的无镀膜玻璃的制备方法，具体步骤如下：步骤1，制备磷酸钆钠玻璃；步骤2，固体电化学处理磷酸盐玻璃；步骤3，抛光电化学处理后的磷酸盐玻璃，得到表面光洁的磷酸盐质子玻璃。还公开了采用上述方法制备得到的阻隔太阳辐射热的无镀膜玻璃，该玻璃无镀膜、具有良好的抗太阳辐射热性能及较高的可见光透过率。
-
公开(公告)号：CN109399621B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811508831.4
申请日：2018-12-11
Applicant: 西安理工大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种制备大面积高质量石墨烯的方法，采用遮光材料在生长腔的高温区营造出一片阴影区域，用于遮挡通过热辐射到达金属衬底表面的热量，从而在金属衬底上形成局部低温区，使活性碳原子在该低温区形成局部过饱和并形成石墨烯晶核，并在阴影区逐渐长大。随着石墨烯生长前沿的扩大，在单位时间内能够吸纳更多的活性碳原子进入石墨烯晶格中，因此，在石墨烯的持续生长过程中可以适当提高前驱体的浓度，从而实现石墨烯的快速制备。采用本发明所述方法，不仅可以获得大面积高质量的石墨烯，而且形核生长过程可控，生长速度快，更有利于实现大面积高质量石墨烯的工业化制备，从而促进石墨烯应用研究的发展。
-
公开(公告)号：CN109368622A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811426716.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 西安理工大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种在介电材料衬底上制备石墨烯的方法，1)在金属衬底上制备石墨烯薄膜；2)将金属衬底连同其上的石墨烯薄膜切割成小片；3)清洗介电材料衬底；4)将步骤2)小片上的石墨烯作为籽晶转移到介电衬底上，得到石墨烯籽晶/介电衬底；5)将石墨烯籽晶/介电衬底放入化学气相沉积系统中；6)打开真空泵，抽真空；7)通入惰性气体，将生长腔加热至1000℃～1300℃；8)通入氢气、碳氢化合物，促进石墨烯籽晶长大；9)待石墨烯生长完成后，关闭加热电源，关闭氢气和碳氢化合物流量计，使石墨烯/介电衬底冷却至室温；可直接在介电材料上制得了石墨烯样品，省去了金属衬底生长后转移的过程，工作量少，保护了石墨烯完整性和晶体质量，经济效益高。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.02 seconds)
