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公开(公告)号：CN118284062A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410373513.0
申请日：2024-03-29
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了生物阻变存储器薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备海藻酸钠溶胶；步骤2，采用浸渍提拉法，在常温常压下使用提拉机，将固定器固定在柔性PET基片的一角，打开提拉机开关，以16mm/s‑20mm/s的速度在海藻酸钠溶胶中进行提拉，将提拉制得的海藻酸钠薄膜在常温常压下进行干燥1min‑2min，即可获得海藻酸钠阻变存储器薄膜。该生物阻变存储器薄膜的制备方法，选用从海藻中提取的海藻酸钠为原料，实现多糖生物阻变存储器薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN113831025B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202111009384.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃下退火处理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。
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公开(公告)号：CN114534990A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210025851.6
申请日：2022-01-11
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开的适用于柔性器件使用的双面ITO薄膜，步骤1，以纯乙醇、三氯化铟、四氯化锡、乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2,将聚酰亚胺基板作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜基板；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜基板置于管式炉中于200～350℃氧气气氛中进行热处理，气压0.05～0.5MPa，流量4～20mL/min，保温时间2～5h；步骤4，制备ITO纳米晶薄膜。能够解决现有ITO薄膜不能在低温下进行双面同时镀制的技术难题，而且该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明还公开一种适用于柔性器件使用的双面ITO薄膜。
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公开(公告)号：CN112499965A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011272097.3
申请日：2020-11-13
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明一种透明磷酸盐质子导体的制备方法，具体为：步骤1，制备透明的磷酸盐玻璃；步骤2，将步骤1得到的圆柱状透明的磷酸盐玻璃切片，再用砂纸对其中一个切面进行抛光处理；步骤3，将抛光后的切片置于超声波清洗机中清洗30min，之后，将抛光那一切面镀铂金；步骤4，将已镀铂金的切片放入已清洗的石墨坩埚内，将石墨坩埚内通入氢气，氢气的流速控制在3～6ml/min，然后在铂金上搭铝片，以熔融锡或石墨粉为底电极在石墨坩埚内进行固体电化学置换反应，温度控制在310～350℃，反应5个小时后取出，进行磨抛，即得透明的磷酸盐质子导体。该方法工艺可控。还提供了采用上述方法制备得到的一种透明磷酸盐质子导体。
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公开(公告)号：CN110467357A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910705383.5
申请日：2019-08-01
Applicant: 西安理工大学
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明公开了一种具有喇叭状孔隙结构的氧化钨薄膜，为在导电玻璃基板表面上覆盖的疏松多孔的氧化钨薄膜，氧化钨薄膜上孔隙的形状为喇叭状，孔隙的喇叭开口直径为0.3微米～1.2微米，孔隙的喇叭收缩口直径为80纳米～750纳米。该薄膜能够解决当前氧化钨薄膜着色效率低、变色响应速率慢以及循环使用寿命短的问题。该薄膜的制备方法为：步骤1，将六氯化钨与无水乙醇混合，室温搅拌至其溶解，再加入高沸点有机物，常温搅拌至澄清透明，即得氧化钨溶胶；步骤2，将获得的氧化钨溶胶通过浸渍提拉法在导电玻璃上制备凝胶薄膜；步骤3，将覆有氧化钨凝胶膜的基板样品放置于敞开的加热板上，进行热处理，即得。该方法简单易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108751737A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810539137.2
申请日：2018-05-30
Applicant: 西安理工大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C2217/24 , C03C2217/241 , C03C2217/70 , C03C2218/113
Abstract: 本发明公开了一种锡掺杂氧化镍‑二氧化锡复合纳米晶薄膜，其特征在于，锡掺杂氧化镍‑二氧化锡复合纳米晶薄膜是一种+4价锡离子掺杂的氧化镍纳米晶与二氧化锡纳米晶复合的电致变色薄膜。该薄膜能够提高褪色态NiOx薄膜的透射率、增大薄膜的光学调制幅度。其制备方法为：步骤1，配制含Sn‑Ni元素的复合溶胶C；步骤2，提拉制备凝胶薄膜，将获得的含Sn‑Ni元素的溶胶通过浸渍提拉法在FTO导电玻璃上制备凝胶薄膜，并将提拉制备的凝胶薄膜基片于100～150℃下干燥10分钟后取出，空冷至室温；步骤3，将步骤2中的凝胶薄膜基片放置于马弗炉中热处理，重复步骤2和步骤3得到一定厚度的薄膜后，取出并空冷至室温，即得。
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公开(公告)号：CN107994098A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711162186.0
申请日：2017-11-21
Applicant: 西安理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种绒面透明导电薄膜，以石英玻璃为基底，在基底上依次沉积有Pt层、TiO2薄膜层及FTO薄膜层，形成的FTO/TiO2/Pt复合薄膜作为薄膜太阳电池的前电极；其制备方法为，在不高于100℃的条件下采用磁控溅射技术，在石英玻璃衬底上沉积Pt层；制备喷涂液A；通过喷雾热解工艺将喷涂液A喷涂在Pt层上得到TiO2薄膜层，对制备的TiO2薄膜层进行退火处理，得到缓冲层；制备喷涂液B；通过喷雾热解工艺将喷涂液B喷涂在缓冲层上得到FTO薄膜层，最后退火处理。本发明制备的薄膜与单一的TCO薄膜相比，其雾度明显提高，导电性能良好，光学透过率高，适用于太阳能电池前电极透明导电薄膜的要求。
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公开(公告)号：CN107935405A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711181059.5
申请日：2017-11-23
Applicant: 西安理工大学
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂氧化锡电致变色薄膜的制备方法，具体步骤如下：步骤1，配制喷涂液：首先将三氯化锑加入乙酰丙酮中，然后加入五水四氯化锡，待混合溶液冷却到室温后，向其中加入乙酸酐并室温搅拌30min，最后再加入无水乙醇，在室温下搅拌20min，得到ATO喷涂液；步骤2，制备ATO薄膜：首先将钠钙玻璃基板放入加热炉中加热到350℃～450℃时，由传动装置带动将其平移至喷涂室，以氮气为载气，使用超声喷雾喷枪在钠钙玻璃基板表面喷涂由步骤1制备得到的ATO喷涂液，待喷涂结束后，强风冷却，卸载镀膜玻璃，最终得到锑掺杂氧化锡电致变色薄膜。其制备方法制备方法工艺简单、不需要特殊的真空环境和反应室。
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公开(公告)号：CN115558918A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211205709.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安特种设备检验检测院 , 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种生长于碳素钢表面的微纳点阵二氧化硅及其生长方法，该生长于碳素钢表面的微纳点阵二氧化硅的阵点直径为2μm～25μm，阵点高度为0.5μm～1μm，其生长方法包括：步骤一、以正硅酸乙酯、无水乙醇、乙酰丙酮和己烷为主要原料，配制二氧化硅感光溶胶；步骤二、通过超声冷喷，将二氧化硅感光溶胶喷涂于碳素钢表面，干燥，空冷，放置掩模板，紫外曝光，溶洗，烧制，完成在碳素钢表面生长微纳点阵二氧化硅涂层。本发明利用碳素钢表面二氧化硅微纳点阵结构所特有的超疏水性能形成涂层，通过二氧化硅自身的抗腐蚀稳定性，实现微纳点阵二氧化硅与碳素钢的高强度结合，避免腐蚀介质与碳素钢接触，赋予碳素钢高的防腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN108793766B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201810602473.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 西安理工大学
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明公开了一种有效调制中红外透射率的电致变色薄膜，铝掺杂氧化锌纳米阵列薄膜，其中格点直径为500～2000nm、孔阵深度为10～50nm、孔阵周期为1000～5000nm、调制波段在2～8μm的中红外区。该薄膜能够解决现有电致变色材料难以有效调制中红外辐射热的问题。其制备方法为：步骤1，配制含Zn‑Al元素的复合溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，将AZO感光凝胶膜基片置于四光束激光干涉系统中曝光；步骤4，将曝光后的AZO感光凝胶膜基片置于溶洗剂中溶洗，将未曝光部分溶洗去除，得到具有纳米孔阵的AZO凝胶膜；步骤5，将具有纳米孔阵的AZO凝胶膜基片放置于马弗炉中退火处理，即得。
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