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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109399621B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811508831.4
申请日：2018-12-11
Applicant: 西安理工大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种制备大面积高质量石墨烯的方法，采用遮光材料在生长腔的高温区营造出一片阴影区域，用于遮挡通过热辐射到达金属衬底表面的热量，从而在金属衬底上形成局部低温区，使活性碳原子在该低温区形成局部过饱和并形成石墨烯晶核，并在阴影区逐渐长大。随着石墨烯生长前沿的扩大，在单位时间内能够吸纳更多的活性碳原子进入石墨烯晶格中，因此，在石墨烯的持续生长过程中可以适当提高前驱体的浓度，从而实现石墨烯的快速制备。采用本发明所述方法，不仅可以获得大面积高质量的石墨烯，而且形核生长过程可控，生长速度快，更有利于实现大面积高质量石墨烯的工业化制备，从而促进石墨烯应用研究的发展。
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公开(公告)号：CN109368622A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811426716.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 西安理工大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种在介电材料衬底上制备石墨烯的方法，1)在金属衬底上制备石墨烯薄膜；2)将金属衬底连同其上的石墨烯薄膜切割成小片；3)清洗介电材料衬底；4)将步骤2)小片上的石墨烯作为籽晶转移到介电衬底上，得到石墨烯籽晶/介电衬底；5)将石墨烯籽晶/介电衬底放入化学气相沉积系统中；6)打开真空泵，抽真空；7)通入惰性气体，将生长腔加热至1000℃～1300℃；8)通入氢气、碳氢化合物，促进石墨烯籽晶长大；9)待石墨烯生长完成后，关闭加热电源，关闭氢气和碳氢化合物流量计，使石墨烯/介电衬底冷却至室温；可直接在介电材料上制得了石墨烯样品，省去了金属衬底生长后转移的过程，工作量少，保护了石墨烯完整性和晶体质量，经济效益高。
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公开(公告)号：CN109399621A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811508831.4
申请日：2018-12-11
Applicant: 西安理工大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种制备大面积高质量石墨烯的方法，采用遮光材料在生长腔的高温区营造出一片阴影区域，用于遮挡通过热辐射到达金属衬底表面的热量，从而在金属衬底上形成局部低温区，使活性碳原子在该低温区形成局部过饱和并形成石墨烯晶核，并在阴影区逐渐长大。随着石墨烯生长前沿的扩大，在单位时间内能够吸纳更多的活性碳原子进入石墨烯晶格中，因此，在石墨烯的持续生长过程中可以适当提高前驱体的浓度，从而实现石墨烯的快速制备。采用本发明所述方法，不仅可以获得大面积高质量的石墨烯，而且形核生长过程可控，生长速度快，更有利于实现大面积高质量石墨烯的工业化制备，从而促进石墨烯应用研究的发展。
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公开(公告)号：CN119710905A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411984860.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种PVT法生长碳化硅单晶的坩埚结构及安装方法，坩埚结构包括发热体坩埚，发热体坩埚的顶部保温层的中心具有向上凸起的圆柱形凸起部，圆柱形凸起部的中心位置设有测温孔；位于发热体坩埚内部的籽晶的边缘夹持悬挂于籽晶压环与籽晶托之间；籽晶压环与发热体坩埚内侧壁之间以及籽晶托与发热体坩埚内侧壁之间填充有籽晶隔热层；籽晶托的下方设有导流环，导流环内侧为曲面，籽晶托顶部内侧为斜面；导流环的下方设有原料坩埚，碳化硅原料装填于原料坩埚内。本发明能够改善原料区内轴向温度梯度、籽晶周围径向温度梯度，同时通过双导流结构形成的传质通道有利于高质量、大尺寸的碳化硅单晶生长。
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公开(公告)号：CN212758411U
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202020950663.0
申请日：2020-05-29
Applicant: 西安理工大学 , 珠海亿特立新材料有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅陶瓷生产用混料装置，混料腔体的中心转动安装有竖向的第二转轴，第二转轴内部滑动套设有第三转轴，第三转轴的横截面为多边形，第二转轴的中部固定套设有水平锥齿轮，水平锥齿轮两侧分别与对应的竖向锥齿轮啮合传动，第一转轴上安装有第二搅拌叶片，其中一个第一转轴与电机的输出轴固定连接，第二转轴上设有第一搅拌叶片，第三转轴的下端伸出第二转轴，第三转轴的下端安装有弧形的第三搅拌叶，第三搅拌叶的形状与混料腔体的弧形腔体相匹配，第三搅拌叶靠近弧形腔体内壁的位置间隔设有多个橡胶刮片。本实用新型提供一种碳化硅陶瓷生产用混料装置，混料均匀性更好，搅拌效率更高，出料口不容易堵塞。
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