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公开(公告)号：CN108801511B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810315148.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法，主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在镧锶锰氧做牺牲层的钛酸锶衬底上生长掺铌钛酸锶薄膜；2.在掺铌钛酸锶薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜；3.将掺铌钛酸锶薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上，在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯；4.在掺铌钛酸锶薄膜表面加电极，完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌钛酸锶阻变薄膜作为传感材料，耗能小，且提高了应力传感器的灵敏度，实现了传感器的弯曲，满足柔性电子设备的要求，可用于半导体器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108531857B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810315132.1
申请日：2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法，主要解决现有技术调控铁电材料铁电性能耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长单晶钛酸钡薄膜；2.在钛酸钡薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去氧化镁薄膜；3.将钛酸钡薄膜转移到后续所需的柔性衬底上，再固定在凸模或凹模上，通过改变凸模或凹模的曲率半径使得钛酸钡薄膜发生连续应变，实现钛酸钡薄膜剩余极化与矫顽场的连续变化，从而改善其铁电性质。本发明通过弯曲应力连续调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场，耗能小，且不增加器件尺寸，可用于制作柔性电场强度传感器及存储器。
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公开(公告)号：CN108801511A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810315148.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法，主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在镧锶锰氧做牺牲层的钛酸锶衬底上生长掺铌钛酸锶薄膜；2.在掺铌钛酸锶薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜；3.将掺铌钛酸锶薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上，在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯；4.在掺铌钛酸锶薄膜表面加电极，完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌钛酸锶阻变薄膜作为传感材料，耗能小，且提高了应力传感器的灵敏度，实现了传感器的弯曲，满足柔性电子设备的要求，可用于半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN108447945A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810351665.5
申请日：2018-04-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化铝薄膜的日盲型柔性紫外光探测器，主要解决现有日盲型紫外光探测器灵敏度低且不能弯曲的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在氧化锌做牺牲层的蓝宝石衬底上生长氮化铝薄膜；2.在氮化铝薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去氧化锌薄膜；3.将氮化铝薄膜转移到后续所需的柔性透光衬底上，用丙酮溶液除去聚甲基丙烯酸甲酯；4.在氮化铝薄膜表面加电极，完成柔性日盲型紫外探测器的制作。本发明采用氮化铝薄膜作为紫外探测材料，提高了探测器收集光生载流子的速度，提高了日盲型紫外探测器的灵敏度，实现了探测器的弯曲，满足柔性电子设备的要求，可用于半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN108531857A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810315132.1
申请日：2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法，主要解决现有技术调控铁电材料铁电性能耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长单晶钛酸钡薄膜；2.在钛酸钡薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去氧化镁薄膜；3.将钛酸钡薄膜转移到后续所需的柔性衬底上，再固定在凸模或凹模上，通过改变凸模或凹模的曲率半径使得钛酸钡薄膜发生连续应变，实现钛酸钡薄膜剩余极化与矫顽场的连续变化，从而改善其铁电性质。本发明通过弯曲应力连续调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场，耗能小，且不增加器件尺寸，可用于制作柔性电场强度传感器及存储器。
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公开(公告)号：CN108385166A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810315138.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用弯曲应力调控铁氧体单晶薄膜磁性的方法，主要解决现有技术调控铁氧体磁场强度耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积方法在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长铁酸钴薄膜；2.在铁酸钴薄膜表面旋涂聚苯乙烯PS，用硫酸铵溶液除去氧化镁薄膜；3.将铁酸钴薄膜转移到后续所需的柔性衬底上，得到高质量的柔性自支撑铁酸钴薄膜；4.将转移到柔性衬底上的铁酸钴薄膜固定在凸模或凹模上，通过改变凸模或凹模的曲率半径使得铁酸钴薄膜发生连续应变，实现铁酸钴薄膜磁性的连续变化。本发明通过弯曲应力连续调控铁氧体单晶薄膜磁性，耗能小，且不增加器件尺寸，可用于制作柔性磁场强度传感器及存储器。
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