公开(公告)号：CN116680875A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310559922.5

申请日：2023-05-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘阳 ,  赵依晗 ,  胡进 ,  马瑞 ,  王夏宇 ,  李栋 ,  朱樟明

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种硅基全集成单光子雪崩二极管的定时抖动建模方法，包括：获取单光子雪崩二极管的电学仿真数据和单光子雪崩二极管的光学仿真数据；获取电子的微观电离率、电子的宏观电离率、空穴的微观电离率、空穴的宏观电离率和初始雪崩电流前沿传播速度；使用预设的雪崩建立时间分布模型进行处理，得到雪崩建立时间分布；使用预设的雪崩传播时间分布模型进行处理，得到雪崩传播时间分布；使用预设漂移扩散时间分布模型进行处理，得到中性区漂移扩散时间分布；将雪崩建立时间分布、雪崩传播时间分布和中性区漂移扩散时间分布进行离散卷积操作，获取单光子雪崩二极管的定时抖动。本发明能够提高单光子二极管的定时抖动计算效率。

公开(公告)号：CN117010224A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210468263.X

申请日：2022-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘阳 ,  赵依晗 ,  马瑞 ,  胡进 ,  王夏宇 ,  李栋 ,  朱樟明

IPC: G06F30/23 ,  G06F17/16 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明提供的一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法，考虑到死空间距离以及非理想因素边缘效应，输入参数来自TCAD Sentaurus仿真提取，基于实际制造值和器件布局，无需加入额外拟合参数，计算发生在二维剖面上每点的击穿概率，非常直观易于优化器件结构，之后根据光学仿真数据以及总击穿概率，计算光子探测概率。并且本发明可以在Matlab平台中调用GPU进行并行加速计算，提升计算效率，因此本发明使用建立模型的预测效果和效率都较好。