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公开(公告)号：CN112540363B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202011419041.6
申请日：2020-12-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G01S7/4861
Abstract: 本发明提供的一种用于激光雷达的硅光电倍增管读出电路，有源淬灭有源复位单元中的光电二极管SPAD在接收到光子后，通过正反馈进行有源淬灭所述SPAD，并有源复位所述SPAD，所述全差分电流输出单元用于将有源淬灭有源复位单元输出的负向电压脉冲进行脉冲压缩，并输出与压缩后的负向电压脉冲宽度相同的差分电流脉冲至后级电路。因此本发明的读出电路可以降低SPAD的死区时间，减少噪声和毛刺干扰，降低后续时刻鉴别电路的误触发概率，使得时刻鉴别结果准确度更高。
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公开(公告)号：CN112540363A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011419041.6
申请日：2020-12-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G01S7/4861
Abstract: 本发明提供的一种用于激光雷达的硅光电倍增管读出电路，有源淬灭有源复位单元中的光电二极管SPAD在接收到光子后，通过正反馈进行有源淬灭所述SPAD，并有源复位所述SPAD，所述全差分电流输出单元用于将有源淬灭有源复位单元输出的负向电压脉冲进行脉冲压缩，并输出与压缩后的负向电压脉冲宽度相同的差分电流脉冲至后级电路。因此本发明的读出电路可以降低SPAD的死区时间，减少噪声和毛刺干扰，降低后续时刻鉴别电路的误触发概率，使得时刻鉴别结果准确度更高。
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公开(公告)号：CN114050797A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111187755.3
申请日：2021-10-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多路径频率补偿的全差分高带宽跨阻放大器，包括：反馈电阻单元、多路径频率补偿核心放大器单元、信号输入端和信号输出端，多路径频率补偿核心放大器单元包括第一放大级、第二放大级、第三放大级、第一前馈级和第二前馈级，其中，多路径频率补偿核心放大器单元的输入端与信号输入端连接、输出端与信号输出端连接，反馈电阻单元的第一端与信号输入端连接、第二端与信号输出端连接。本发明中，多路径频率补偿核心放大器单元基于三级放大结构进行多路径前馈补偿，在提升放大器增益的同时，改善了相位裕度，并实现推挽输出级的功能，进而使跨阻放大器可在较低的静态功耗下驱动硅光电倍增管的最大输出电流、且不出现反向脉冲。
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公开(公告)号：CN111628729B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010575188.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H03F1/02 , H03F1/42 , H03F1/32 , G01S7/4913
Abstract: 本发明公开了一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，包括：可重构放大器单元、增益切换单元、输出驱动单元，增益切换单元，用于根据第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行增益切；可重构放大器单元，用于根据第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行自适应调节；输出驱动单元，用于将可重构放大器单元与增益切换单元的输出进一步驱动，并从信号输出端输出。本发明采用了一种新型跨阻放大器结构，通过增益切换单元的增益切换，同时可重构放大器单元的自适应电路拓扑结构，从而提供不同增益状态下的稳定性调节能力，并且提供高带宽输出能力，通过单一结构实现跨阻放大器的大线性动态范围、高带宽和低功耗。
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公开(公告)号：CN111628729A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010575188.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H03F1/02 , H03F1/42 , H03F1/32 , G01S7/4913
Abstract: 本发明公开了一种大线性动态范围高带宽可重构跨阻放大器，包括：可重构放大器单元、增益切换单元、输出驱动单元，增益切换单元，用于根据第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行增益切；可重构放大器单元，用于根据第二开关信号、第三开关信号对输入信号进行自适应调节；输出驱动单元，用于将可重构放大器单元与增益切换单元的输出进一步驱动，并从信号输出端输出。本发明采用了一种新型跨阻放大器结构，通过增益切换单元的增益切换，同时可重构放大器单元的自适应电路拓扑结构，从而提供不同增益状态下的稳定性调节能力，并且提供高带宽输出能力，通过单一结构实现跨阻放大器的大线性动态范围、高带宽和低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551631B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210090168.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10F30/225 , H10F77/14 , H10F39/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器，二极管结构包括：P型外延层和布线层；若干隔离结构，每一隔离结构包括堆叠设置于P型外延层内的浅槽隔离层、隔离N阱和深槽隔离层；电极保护环，设置于布线层内且靠近浅槽隔离层；若干光源感应区，间隔分布于相邻隔离结构之间；每个光源感应区包括：堆叠设置的有源P+层、有源区P阱、深N阱和N型埋层；P阱保护环，设置于有源P+层和有源区P阱两侧；阳极电极，设置于有源P+层下方的布线层内；反射金属板，设置于与有源P+层相对的布线层内；共享阴极，包括电极N阱，设置于P型外延层内且与深N阱相接；阴极电极，设置于靠近电极N阱的布线层内。本发明可以提高探测效率。
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公开(公告)号：CN118550179A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410762492.1
申请日：2024-06-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及基于多斜坡的时间幅度转换器，包括：带隙基准单元、跨导放大器单元、多斜坡量化单元、输出选择单元、斜坡计数单元和校准位产生单元，其中，多斜坡量化单元用于生成第一多斜坡信号和第二多斜坡信号；输出选择单元用于输出有效电压值；斜坡计数单元计数斜坡总数量并输出计数信号值。本发明通过多斜坡量化单元将时间信号转换为交叠的第一多斜坡信号和第二多斜坡信号，结合第一多斜坡信号和第二多斜坡信号的斜率、有效电压值、校准位以及计数信号值，即可得到时间间隔，克服了传统时间幅度转换器动态范围和量化精度相互制约的限制，同时实现宽动态范围和高时间分辨率的时间测量。
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公开(公告)号：CN113985387B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010734375.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/4861 , G01S7/4865 , G01S7/497
Abstract: 本发明涉及一种激光雷达前端接收电路及强度信息补偿方法，包括：模拟前端电路和距离与强度信息获取单元，其中，模拟前端电路用于接收探测目标反射的光电流信号和信号处理与控制单元产生的复位信号，输出上升沿时刻鉴别信号、下降沿时刻鉴别信号与幅度信号；距离与强度信息获取单元的输入端与模拟前端电路的输出端电连接，接收上升沿时刻鉴别信号、下降沿时刻鉴别信号、幅度信号、参考时钟信号以及信号处理与控制单元产生的开始信号，输出第一激光脉冲飞行时间信息、第二激光脉冲飞行时间信息和脉冲幅度信息。该激光雷达前端接收电路，在不需要高速模数转换器的情况下，能够同时输出距离信息与强度信息，有效降低了整机成本和设计复杂度。
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公开(公告)号：CN115084305A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110264658.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硅基短波近红外单光子雪崩二极管及其制作方法，二极管的雪崩区由中心深N阱401和深P阱5构成，可以形成较宽的雪崩倍增区，可以有效提高短波近红外波段的光子吸收，增大光谱响应，SPAD的保护环由未掺杂的P衬底构成虚拟保护环。由深P阱与保护环构成6构成的附加结电场小于雪崩区电场，可实现平整倍增主结区边缘电场，提高光子探测效率。
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公开(公告)号：CN114551631A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210090168.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L27/146 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器，二极管结构包括：P型外延层和布线层；若干隔离结构，每一隔离结构包括堆叠设置于P型外延层内的浅槽隔离层、隔离N阱和深槽隔离层；电极保护环，设置于布线层内且靠近浅槽隔离层；若干光源感应区，间隔分布于相邻隔离结构之间；每个光源感应区包括：堆叠设置的有源P+层、有源区P阱、深N阱和N型埋层；P阱保护环，设置于有源P+层和有源区P阱两侧；阳极电极，设置于有源P+层下方的布线层内；反射金属板，设置于与有源P+层相对的布线层内；共享阴极，包括电极N阱，设置于P型外延层内且与深N阱相接；阴极电极，设置于靠近电极N阱的布线层内。本发明可以提高探测效率。
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