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公开(公告)号：CN103367640A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310114520.0
申请日：2013-04-03
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司 , 德累斯顿工业技术大学
CPC classification number: H01L51/057 , H01L51/002 , H01L51/105
Abstract: 本发明涉及一种垂直有机晶体管及生产方法。垂直有机晶体管在基板上具有电极（121）、对置电极（123）和布置在电极（121）与对置电极（123）之间的层布置，其中层布置由下列层形成：中央电极（122），其被实现为允许电载荷子通过中央电极（122）的通道，电载荷子从电极（121）注入到层布置中，使得注入的电载荷子能够从电极（121）通过层布置输运到对置电极；有机层（131），其由有机半导体材料制成，被布置在中央电极（122）与电极（121）之间；另一个有机层（132），其由有机半导体材料制成，被布置在中央电极（122）与对置电极（123）之间；以及掺杂层（141），其被布置在中央电极（122）与电极（121）之间。此外，本发明还涉及生产垂直有机晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN104396041B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380028226.6
申请日：2013-03-28
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 德累斯顿工业技术大学
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/0016 , H01L51/0018 , H01L51/0046 , H01L51/0055 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 公开一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的所述步骤和在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的所述步骤中的至少一个包括分别在所述第一和第二有机半导体层(3、6)上光刻结构化的步骤。另外，提供一种有机场效应晶体管和一种电子开关装置。
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公开(公告)号：CN105247696A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480018607.0
申请日：2014-03-25
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 德累斯顿工业技术大学
CPC classification number: H01L51/0018 , H01L51/0015 , H01L51/0016 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , H01L51/102 , H01L51/44 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本公开涉及一种制造有机电子装置的方法，该方法包括提供分层装置结构，该分层装置结构包括多个电极和设置成与该多个电极中的至少一个电接触的电子活性区域，所述提供分层装置结构包括以下步骤：提供有机半导电层；将结构化层施加到有机半导电层，结构化层具有第一区域和第二区域，第一区域由层材料覆盖；通过至少在第一区域中沉积有机掺杂剂材料和有机掺杂剂-基质材料中的至少一种，将接触改进层施加到结构化层；在至少在第一区域中的接触改进层上沉积层材料；以及移除至少在第二区域中的结构化层。此外，提供一种有机电子装置。
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公开(公告)号：CN104254929A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201280072226.1
申请日：2012-06-19
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 德累斯顿工业技术大学
CPC classification number: H01L51/0562 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 本发明涉及有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管包括：第一电极(1)和第二电极(2)，所述电极提供源电极和漏电极，与第一和第二电极(1，2)电接触的本征有机半导体层(3)，栅电极(6)，在栅电极(6)和本征有机半导体层(3)之间设置的栅极绝缘层(5)，和包含有机基质材料和有机掺杂剂的掺杂有机半导体层(4)，其中在栅极绝缘层(5)和本征有机半导体层(3)之间设置掺杂有机半导体层(4)，其中在掺杂有机半导体层(4)中形成第一和第二电极(1，2)之间的电荷载子沟道。此外，本发明涉及用于制造有机场效应晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN104396041A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380028226.6
申请日：2013-03-28
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 德累斯顿工业技术大学
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/0016 , H01L51/0018 , H01L51/0046 , H01L51/0055 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 公开一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的所述步骤和在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的所述步骤中的至少一个包括分别在所述第一和第二有机半导体层(3、6)上光刻结构化的步骤。另外，提供一种有机场效应晶体管和一种电子开关装置。
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公开(公告)号：CN102388475A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080012966.7
申请日：2010-03-19
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0583 , H01L29/866 , H01L51/002 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/4293 , H01L2251/308
Abstract: 有机齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，有机层系统包括下列有机层：电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层，所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成，所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样，所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外，设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。
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公开(公告)号：CN102388475B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201080012966.7
申请日：2010-03-19
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0583 , H01L29/866 , H01L51/002 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/4293 , H01L2251/308
Abstract: 有机齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，有机层系统包括下列有机层：电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层，所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成，所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样，所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外，设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。
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