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公开(公告)号：CN103094219B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210492847.7
申请日：2012-11-28
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了三维集成高密度陶瓷厚膜多芯片组件的集成方法，方法是先制作所需多层陶瓷厚膜基片，在多层陶瓷厚膜基片上，制作厚膜导带-阻带网络，小多层陶瓷基片的对外引脚制作在的同一端的端面或者两面；然后在垂直集成的相应键合区形成金球；再采用厚膜混合集成的方式进行集成，在小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成引线键合；最后，采用共晶、合金或浆料粘接等焊接方式将集成后的小多层陶瓷基片垂直集成在底座多层陶瓷基片上。本发明采用三维竖向垂直集成，可将一个以上半导体芯片或其他片式元器件垂直集成在同一底座多层陶瓷基片上，实现高密度三维集成，提高多芯片组件的集成度和提高应用系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN103107123A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210535356.6
申请日：2012-12-12
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
IPC: H01L21/70
Abstract: 本发明公开了三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用丝网印刷或描绘的方式，将导带或阻带浆料按产品设计的图形印刷或描绘在凸型陶瓷基片上，经高温烧结和激光调阻后，得到所需基片，两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上；最后用厚膜混合集成方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法提升了功率混合集成电路最大使用功率，生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。
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公开(公告)号：CN103107109A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210537332.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用分层整体化学镀和电镀方法形成镍-铬-金薄膜，再采用光刻、选择性腐蚀方法，按产品设计的图形形成所需的导带薄膜或阻带薄膜；采用激光调阻后，得到所需的薄膜基片；两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；采用共晶焊接或浆料粘接方式将基片装贴在管基底座上，最后采用薄膜混合集成的方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。
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公开(公告)号：CN103107105A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210533083.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法，该方法在原有工艺的厚膜电阻修调并测试完毕后，增加金厚膜键合区表面局部化学机械抛光工艺，具体是：选择贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后用机械掩模方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在成膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。此类器件应用领域广泛，特别适用于大功率、高可靠、宇航级等领域。
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公开(公告)号：CN102891113A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210396194.2
申请日：2012-10-18
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
IPC: H01L21/98
Abstract: 一种高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成方法，该方法是：先采用丝网印刷的方法，印刷形成厚膜电阻、金属导带、金属键合区；再用丝网印刷的方法，印刷形成厚膜热敏电阻；用同样的方法在热敏电阻厚膜上形成厚膜绝缘介质层及芯片粘贴所需的厚膜金属化层；之后用常规混合集成电路组装工艺，将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、其他有源或无源元器件等直接装贴在厚膜基片上，用键合丝进行键合，最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封，即得到所需高灵敏温控厚膜混合集成电路器件。本方法实现了厚膜热敏电阻与温控器件主芯片在最大接触面的无间隙的原子间接触，可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻，以实现高灵敏温度控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105552062A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510881790.3
申请日：2015-12-04
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/16152 , H01L2924/00014 , H01L23/552 , H01L21/4817 , H01L21/4846
Abstract: 抗干扰半导体集成电路的集成方法，是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽外层的材料，具体做法是：在预先烧结成型的陶瓷管帽的外表面，用涂覆金属浆料烧结方式或化学电镀方式或真空镀膜的方式形成所需管帽金属层；用低温共烧陶瓷工艺及厚膜印刷与烧结工艺制作管基底座，形成半导体集成电路芯片键合区、外表面管基金属层、对外引脚结构；再进行半导体集成电路芯片的装贴、引线键合和封帽；使封装内外电磁环境实现良好的隔离，以满足从低频到高频的电磁全频段的屏蔽要求。用本发明方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
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公开(公告)号：CN103646906B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310706157.1
申请日：2013-12-19
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了无引线球脚表贴式厚膜混合集成电路集成方法，该方法是采用在陶瓷基片上，直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面，对外连接端为金属球面形；在陶瓷基片的正面进行混合集成，对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护，对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护。本方法特点有：①体积大幅缩小；②减小高频干扰；③减小正面导带长度，提升频率特性和集成度；④缩小装备体积，提升装备的高频性能；⑤提高装备系统的可靠性。本方法生产的集成电路广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
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公开(公告)号：CN105428298A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510880957.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L21/707 , H01L23/60
Abstract: 抗干扰薄膜混合集成电路的集成方法，是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求，具体的集成方法是：在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层，再进行半导体集成电路芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽；这样，管基和管帽用陶瓷材料和金属材料二者有机结合，即实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现提高薄膜混合集成电路抗干扰能力的目的。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
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公开(公告)号：CN102931124B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210492815.7
申请日：2012-11-28
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
IPC: H01L21/70
Abstract: 本发明公开了一种高密度薄膜混合集成电路的集成方法，该方法是先采用薄膜制作工艺，制作含有薄膜导带、阻带及键合区的底座基片及小陶瓷基片，小陶瓷基片与底座基片连接的引脚以薄膜方式分别从小陶瓷基片的两面制作在与底座基片集成的同一端；接着在引脚键合区和底座基片相应的键合区形成金球；然后，采用薄膜混合集成方式，在小陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后，将集成后的小基片垂直集成在底座基片上，完成高密度薄膜混合集成电路。本发明采用三维竖向垂直集成，将一个以上半导体芯片或片式元器件垂直集成在同一底座基片上，实现高密度三维集成，提高薄膜混合集成电路的集成度。
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公开(公告)号：CN104072206B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410304879.9
申请日：2014-06-30
Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法，包括：(1)在高真空环境中对氮化铝陶瓷基片进行加热烘烤，加热和抽真空同步进行，将水汽完全挥发和抽掉；(2)在高真空环境下，用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺，在氮化铝陶瓷基片的正面利用金属掩模选择性地形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜，在氮化铝陶瓷基片的背面整体形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜；(3)在已形成复合金属薄膜的氮化铝陶瓷基片正面进行厚膜导带、厚膜阻带的丝网印刷、烧结和调阻，进行常规混合集成，即得到附着力较高的氮化铝陶瓷基片。用本法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于高可靠装备系统领域。
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