公开(公告)号：CN108695309A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810283067.9

申请日：2018-04-02

Applicant: 瑞昱半导体股份有限公司

Inventor： 梁宝文 ,  林嘉亮

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/70 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F19/00 ,  H01F27/34 ,  H01L27/016 ,  H01L21/707 ,  H01L28/10

Abstract: 本发明公开了一种电感器，其一实施例包含：一第一金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于一第一金属层；一第二金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于该第一金属层；以及一第三金属走线线圈，其为一闭回路形态，且置于一第二金属层。于上述实施例中，该第一金属走线线圈被适当地布局，以在一第一轴线方面是实质地对称；该第二金属走线线圈被适当地布局，以在一第二轴线方面是该第一金属走线线圈的一近似镜像；以及从一顶视观点而言，该第三金属走线线圈被适当地布局，以大略地围绕该第一金属走线线圈与该第二金属走线线圈二者的大部分。

公开(公告)号：CN104425438B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410338435.7

申请日：2014-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾元泰 ,  刘铭棋 ,  周仲彦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  H01L21/707 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种新颖的集成电路及其制造方法。集成电路包括多个第一互连焊盘、多个第二互连焊盘、第一层间介电层、薄膜电阻器以及至少两个端帽。用作薄膜电阻器的连接件的端帽与多个第二互连焊盘放置在同一级内。因此，通过端帽和多个第二互连焊盘的直接连接可形成它们之间的电连接。因此，可用一种具备成本效益的方式来制造具有薄膜电阻器的集成电路，从而克服上述缺点。

公开(公告)号：CN106328592A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610970462.5

申请日：2016-10-27

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 朱夏明

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L2021/775 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。本发明的技术方案能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数。

公开(公告)号：CN104051233A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090637.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·勒纳 ,  S·阿里苏

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L21/707 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了集成电路中的电容器及其制造方法。在一个实施例中，电容器包括含有并联耦合的第一电容器元件和第二电容器元件的第一行，以及含有并联耦合的第三电容器元件和第四电容器元件的第二行。第一行与第二行串联连接。在工件上的金属化层中，第二电容器元件被放置在第一电容器元件和第三电容器元件之间。在金属化层中，第三电容器元件被放置在第二电容器元件和第四电容器元件之间。第一、第二、第三和第四电容器元件被放置在金属化层中。

公开(公告)号：CN105826231A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610351452.3

申请日：2016-05-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十一研究所

Inventor： 曹乾涛 ,  赵海轮 ,  孙佳文

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/01

CPC classification number: H01L21/707 ,  H01L27/016

Abstract: 本发明提出了一种在介质基片同一平面上集成两种方阻薄膜电路的图形电镀方法，包括以下步骤：在介质基片同一平面上依次溅射大方阻电阻薄膜、小方阻电阻薄膜、粘附层薄膜和导体层薄膜；通过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影及后烘，在待图形电镀面上形成图形化光刻胶区；在上述图形化光刻胶区电镀加厚金属电极层和保护层；将图形化光刻胶剥离，然后将未电镀加厚区域的导体层薄膜和粘附层薄膜刻蚀干净，再去除所述保护金属层；光刻蚀制作小方阻薄膜电阻；光刻蚀制作大方阻薄膜电阻。本发明制作出的电路图形具有导体图形侧生长小、线条边缘陡直、图形分辨率高等优点。

公开(公告)号：CN105428298A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510880957.4

申请日：2015-12-04

Applicant: 贵州振华风光半导体有限公司

Inventor： 杨成刚 ,  赵晓辉 ,  苏贵东 ,  聂平健 ,  路兰艳 ,  杨晓琴

IPC: H01L21/70 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/707 ,  H01L23/60

Abstract: 抗干扰薄膜混合集成电路的集成方法，是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求，具体的集成方法是：在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层，再进行半导体集成电路芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽；这样，管基和管帽用陶瓷材料和金属材料二者有机结合，即实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现提高薄膜混合集成电路抗干扰能力的目的。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。

公开(公告)号：CN105226045A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410239582.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈建桦 ,  李德章 ,  张勇舜 ,  李宝男

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/707 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/528 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/4813 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/0154

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括衬底、第一晶种层、第一图案化金属层、第一电介质层以及第一金属层。所述衬底具有第一表面，且所述第一晶种层位于所述第一表面上。所述第一图案化金属层位于所述第一晶种层上且具有第一厚度。所述第一图案化金属层包含所述第一图案化金属层的第一部分以及所述第一图案化金属层的第二部分。所述第一电介质层沉积于所述第一图案化金属层的所述第一部分上。所述第一金属层沉积于所述第一电介质层上且具有第二厚度，其中所述第一厚度大于所述第二厚度，其中所述第一图案化金属层的所述第一部分、所述第一电介质层以及所述第一金属层形成电容器，所述第一图案化金属层的所述第一部分为所述电容器的下电极，且所述第一图案化金属层的所述第二部分为电感器。

公开(公告)号：CN104992948A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510301084.7

申请日：2015-06-03

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 孙宏达 ,  宋泳锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/78633 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/005 ,  H01L33/44 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法，涉及显示技术领域，能够减少外部光线照射到有源层上产生的不良影响。所述薄膜晶体管包括依次形成的栅极、绝缘层、有源层、源漏层，还包括光线阻挡层图形，光线阻挡层图形可阻挡经由绝缘层射入的光线进入有源层，光线阻挡层图形与栅极同层设置且与栅极无电性连接。本发明实施例用于显示装置。

公开(公告)号：CN103053044A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180041107.5

申请日：2011-07-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S.哈特曼恩 ,  C.里克斯 ,  H.F.博尔纳 ,  H.里夫卡 ,  H.施瓦布

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L21/707 ,  H01L51/00 ,  H01L51/5212

Abstract: 本发明涉及一种使得能够应用廉价制造技术来制作可靠和鲁棒有机薄膜器件(EL)的方法，该方法包括下述步骤：提供(P)透明衬底(1)，该透明衬底至少部分地覆盖有第一层堆叠，该第一层堆叠包括优选地为导电层的至少一个透明层(2)，以及沉积在透明层(2)之上的第一和第二不透明导电区域(31、32)的图案；在第一层堆叠之上沉积(D)由电绝缘光致抗蚀剂抗蚀剂材料制成的光致抗蚀剂层(4)，该光致抗蚀剂层至少完全覆盖第二不透明导电区域(32)；利用合适波长的光(5)穿过透明衬底(1)照射(IL)光致抗蚀剂层(4)，使得在下方不具有不透明导电区域(31、32)的光致抗蚀剂层(4)的区域(43)中光致抗蚀剂材料是可溶解的；移除(R)光致抗蚀剂层(4)的可溶解区域(43)；加热(B)保留在至少第二不透明导电区域(32)之上的光致抗蚀剂层(4)的区域(42)，从而使光致抗蚀剂层(4)回流以覆盖第二不透明导电区域(32)的接触透明层(2)的边缘(E)；以及硬化(H)光致抗蚀剂层(4)的剩余区域(42)。本发明还涉及用于在这些有机薄膜器件(EL)中使用的导电部件(CC)并且涉及该有机薄膜器件(EL)本身。

公开(公告)号：CN106409841A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610964428.7

申请日：2016-10-28

Applicant: 陆磊 ,  王文 ,  郭海成

Inventor： 陆磊 ,  王文 ,  郭海成

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/70 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/1214 ,  H01L21/707 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786

Abstract: 一种电路结构，包括：衬底和多个位于衬底之上的由金属氧化物构成有源层的薄膜晶体管，所述有源层包含有与栅极叠层相毗邻的沟道区，部分薄膜晶体管的整个沟道区上方设有调节层，在所述调节层覆盖下的形成耗尽型沟道区，在非调节层覆盖下的形成增强型沟道区；具有耗尽型沟道区的薄膜晶体管形成耗尽型薄膜晶体管，具有增强型沟道区的薄膜晶体管形成增强型薄膜晶体管；所述耗尽型薄膜晶体管和增强型薄膜晶体管相互电连接构成电路结构。本发明还涉及上述电路结构的制作方法和具有上述电路结构的显示器面板，可在增加薄膜晶体管阈值电压的调制范围的同时保持薄膜晶体管的高性能，制造工艺简化，成本低，可用于集成电路，特别是显示器面板中的电路。