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公开(公告)号：CN118010460B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202311821444.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种表征芯片引线键合微焊点组织的制样方法，属于材料分析表征制样技术领域。本发明将芯片样品夹持水平固定于模具中，将环氧树脂‑固化剂混合物加入到模具内淹没芯片样品及夹具，静置凝固得到冷镶样；在光学显微镜观察下，采用不同目数砂纸对冷镶样进行逐级磨样：冷镶样初磨至距离芯片样负极端面0.8～1.2mm，对冷镶样的芯片负极端进行粗磨、细磨和抛光至目标微焊点截面位置，采用无痕胶带覆盖冷镶样的芯片负极端；对冷镶样的芯片正极端进行粗磨至露出金属端，得到芯片键合微焊点组织样品；采用电镜观察表征芯片键合微焊点组织样品。本发明制样成本较低，且制样方法简单，短时间即可获得清晰完整的键合微焊点组织样品。
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公开(公告)号：CN118010460A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311821444.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种表征芯片引线键合微焊点组织的制样方法，属于材料分析表征制样技术领域。本发明将芯片样品夹持水平固定于模具中，将环氧树脂‑固化剂混合物加入到模具内淹没芯片样品及夹具，静置凝固得到冷镶样；在光学显微镜观察下，采用不同目数砂纸对冷镶样进行逐级磨样：冷镶样初磨至距离芯片样负极端面0.8～1.2mm，对冷镶样的芯片负极端进行粗磨、细磨和抛光至目标微焊点截面位置，采用无痕胶带覆盖冷镶样的芯片负极端；对冷镶样的芯片正极端进行粗磨至露出金属端，得到芯片键合微焊点组织样品；采用电镜观察表征芯片键合微焊点组织样品。本发明制样成本较低，且制样方法简单，短时间即可获得清晰完整的键合微焊点组织样品。
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公开(公告)号：CN114166596A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111399095.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 贵研检测科技(云南)有限公司 , 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明涉及一种高塑性贵金属材料的透射电镜样品制样方法，属于贵金属材料分析测试技术领域。本发明线切割高塑性贵金属材料得到正方形金属片，金属片两面粗磨去除切割划痕至厚度不高于100μm，清洗晾干，采用透射样品冲孔机进行冲片得到圆片样品；将圆片样品等距粘接在样品台表面，再将样品台固定于精研一体机磨抛位置；以水为冷却液，采用不同目数的Al2O3磨盘进行磨抛逐级减薄至厚度为15～20μm；采用抛光绒布低抛以消除划痕和应力集中得到透射圆片样品；在氩气氛围中，采用离子减薄仪进行双离子束顺时针和逆时针旋转轰击减薄穿孔得到减薄透射电镜样品。本发明方法可获得大面积无应力条纹或花样的薄区以供透射电镜有效观察表征该类材料的微观组织结构。
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公开(公告)号：CN114166596B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111399095.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 贵研检测科技(云南)有限公司 , 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明涉及一种高塑性贵金属材料的透射电镜样品制样方法，属于贵金属材料分析测试技术领域。本发明线切割高塑性贵金属材料得到正方形金属片，金属片两面粗磨去除切割划痕至厚度不高于100μm，清洗晾干，采用透射样品冲孔机进行冲片得到圆片样品；将圆片样品等距粘接在样品台表面，再将样品台固定于精研一体机磨抛位置；以水为冷却液，采用不同目数的Al2O3磨盘进行磨抛逐级减薄至厚度为15～20μm；采用抛光绒布低抛以消除划痕和应力集中得到透射圆片样品；在氩气氛围中，采用离子减薄仪进行双离子束顺时针和逆时针旋转轰击减薄穿孔得到减薄透射电镜样品。本发明方法可获得大面积无应力条纹或花样的薄区以供透射电镜有效观察表征该类材料的微观组织结构。
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