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公开(公告)号：CN114166596A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111399095.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 贵研检测科技(云南)有限公司 , 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明涉及一种高塑性贵金属材料的透射电镜样品制样方法，属于贵金属材料分析测试技术领域。本发明线切割高塑性贵金属材料得到正方形金属片，金属片两面粗磨去除切割划痕至厚度不高于100μm，清洗晾干，采用透射样品冲孔机进行冲片得到圆片样品；将圆片样品等距粘接在样品台表面，再将样品台固定于精研一体机磨抛位置；以水为冷却液，采用不同目数的Al2O3磨盘进行磨抛逐级减薄至厚度为15～20μm；采用抛光绒布低抛以消除划痕和应力集中得到透射圆片样品；在氩气氛围中，采用离子减薄仪进行双离子束顺时针和逆时针旋转轰击减薄穿孔得到减薄透射电镜样品。本发明方法可获得大面积无应力条纹或花样的薄区以供透射电镜有效观察表征该类材料的微观组织结构。
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公开(公告)号：CN114166596B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111399095.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 贵研检测科技(云南)有限公司 , 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明涉及一种高塑性贵金属材料的透射电镜样品制样方法，属于贵金属材料分析测试技术领域。本发明线切割高塑性贵金属材料得到正方形金属片，金属片两面粗磨去除切割划痕至厚度不高于100μm，清洗晾干，采用透射样品冲孔机进行冲片得到圆片样品；将圆片样品等距粘接在样品台表面，再将样品台固定于精研一体机磨抛位置；以水为冷却液，采用不同目数的Al2O3磨盘进行磨抛逐级减薄至厚度为15～20μm；采用抛光绒布低抛以消除划痕和应力集中得到透射圆片样品；在氩气氛围中，采用离子减薄仪进行双离子束顺时针和逆时针旋转轰击减薄穿孔得到减薄透射电镜样品。本发明方法可获得大面积无应力条纹或花样的薄区以供透射电镜有效观察表征该类材料的微观组织结构。
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公开(公告)号：CN113418946B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110868750.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: G01N23/203 , G01N23/20008
Abstract: 本发明涉及一种金属钌的高标定率EBSD制样方法，属于EBSD样品制备技术领域。本发明将真空烧结的金属钌切割成金属钌样品；对金属钌样品的待EBSD分析表面或截面进行机械抛光，再采用乙醇对机械抛光面进行清洗；真空条件下，对金属钌样品的机械抛光面进行能量递减的氩离子抛光处理，取出样品即得金属钌的高标定率EBSD样品。本发明方法可以解决金属钌耐蚀性极强不易电解抛光腐蚀的问题，又能有效地去除样品表面因机械抛光所产生的表面应力层，以及消除高能量离子轰击样品表面产生的非晶层，有利于EBSD测试时获得更强的花样和较高的衍射花样标定率，以便对金属钌进行微观组织与织构的研究；金属钌样品，标定率可达99％以上。
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公开(公告)号：CN113418946A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110868750.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: G01N23/203 , G01N23/20008
Abstract: 本发明涉及一种金属钌的高标定率EBSD制样方法，属于EBSD样品制备技术领域。本发明将真空烧结的金属钌切割成金属钌样品；对金属钌样品的待EBSD分析表面或截面进行机械抛光，再采用乙醇对机械抛光面进行清洗；真空条件下，对金属钌样品的机械抛光面进行能量递减的氩离子抛光处理，取出样品即得金属钌的高标定率EBSD样品。本发明方法可以解决金属钌耐蚀性极强不易电解抛光腐蚀的问题，又能有效地去除样品表面因机械抛光所产生的表面应力层，以及消除高能量离子轰击样品表面产生的非晶层，有利于EBSD测试时获得更强的花样和较高的衍射花样标定率，以便对金属钌进行微观组织与织构的研究；金属钌样品，标定率可达99％以上。
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公开(公告)号：CN101645572A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910094906.3
申请日：2009-08-31
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于制造微电机换向器元件的银铜稀土复合材料，包括铜层、镶嵌复合在铜层上的银合金层，其特征在于银合金层为含3～8％的Cu、0.2～0.8％的Sn、0.2～0.8％的Ce、余量为Ag的银合金。银合金层(1)镶嵌复合在铜层(2)的部分表面上。该材料具有优异的耐磨损能力、耐电弧烧蚀性、抗熔焊性能、抗硫化性能、抗金属转移性能和低而稳定的接触电阻。该材料制成微电机换向器元件，适用于视听电子设备、办公自动化设备、通信设备、汽车及家用电器制造业、电动玩具等电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101645573A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910094907.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于制造微电机换向器元件的银铜镍稀土复合材料，包括铜层、镶嵌复合在铜层上的银合金层，其特征在于银合金层为含3～8％的Cu、0.5～1.5％的Ni、0.2～0.8％的Ce、余量为Ag的银合金。银合金层(1)镶嵌复合在铜层(2)的部分表面上。该材料具有优异的耐磨损能力、耐电弧烧蚀性、抗熔焊性能、抗金属转移性能和低而稳定的接触电阻。该材料制成微电机换向器元件，适用于视听电子设备、办公自动化设备、通信设备、汽车及家用电器制造业、电动玩具等电子器件。
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公开(公告)号：CN118209575A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410612826.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及一种贵金属试样的显微组织显现方法，属于显微组织表征技术领域。本发明将贵金属块体试样的待测面进行机械抛光，清洗并烘干得到机械抛光样品；将机械抛光样品的待测面进行氩离子研磨抛光处理得到氩离子抛光样品；氩离子抛光样品置于双束电子显微镜的样品内并在真空条件下观察，采用低电流聚焦镓离子束成像方法，扫描待测样品表面成像，利用离子束增强通道衬度形成强取向衬度的晶粒组织图像。相比于金相法，本发明显微组织显现方法无需腐蚀液腐蚀，可以解决贵金属及其合金耐蚀性极强不易腐蚀的问题；相比于聚焦离子束切割（FIB）法，可获得厘米级较大区域面积的组织图像；相比于常规扫描电镜电子束成像，可获得衬度更明显的晶粒组织图像。
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公开(公告)号：CN118209575B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410612826.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及一种贵金属试样的显微组织显现方法，属于显微组织表征技术领域。本发明将贵金属块体试样的待测面进行机械抛光，清洗并烘干得到机械抛光样品；将机械抛光样品的待测面进行氩离子研磨抛光处理得到氩离子抛光样品；氩离子抛光样品置于双束电子显微镜的样品内并在真空条件下观察，采用低电流聚焦镓离子束成像方法，扫描待测样品表面成像，利用离子束增强通道衬度形成强取向衬度的晶粒组织图像。相比于金相法，本发明显微组织显现方法无需腐蚀液腐蚀，可以解决贵金属及其合金耐蚀性极强不易腐蚀的问题；相比于聚焦离子束切割（FIB）法，可获得厘米级较大区域面积的组织图像；相比于常规扫描电镜电子束成像，可获得衬度更明显的晶粒组织图像。
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公开(公告)号：CN111289546B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010256805.8
申请日：2020-04-02
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司
IPC: G01N23/203 , G01N23/20058 , G01N23/20008
Abstract: 本发明涉及一种贵金属超细丝材EBSD测试样品制备与表征方法。本发明将贵金属超细丝材样品拉展并粘接在双倾样品台斜面顶端，置于样品仓中选择样品截面制备及测试区域；倾转样品台，对视场中样品进行镀碳处理、离子束切割和离子束表面抛光处理得到无表面应力的贵金属超细丝材的截面观察样品，通过离子束通道衬度成像观察并获取丝材截面观察区域的微观组织结构形貌图像；倾转双倾样品台至观察截面与入射电子束角度呈70°，通过CCD探测器对超细丝材截面进行电子背散射衍射检测，得到样品微区截面的EBSD图像和晶体学信。本发明EBSD与离子束通道衬度像结合为贵金属超细丝材的微区分析提供更系统、更全面的数据支持，能扩展样品的综合分析范围。
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公开(公告)号：CN118010460B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202311821444.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 贵研检测科技(云南)有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种表征芯片引线键合微焊点组织的制样方法，属于材料分析表征制样技术领域。本发明将芯片样品夹持水平固定于模具中，将环氧树脂‑固化剂混合物加入到模具内淹没芯片样品及夹具，静置凝固得到冷镶样；在光学显微镜观察下，采用不同目数砂纸对冷镶样进行逐级磨样：冷镶样初磨至距离芯片样负极端面0.8～1.2mm，对冷镶样的芯片负极端进行粗磨、细磨和抛光至目标微焊点截面位置，采用无痕胶带覆盖冷镶样的芯片负极端；对冷镶样的芯片正极端进行粗磨至露出金属端，得到芯片键合微焊点组织样品；采用电镜观察表征芯片键合微焊点组织样品。本发明制样成本较低，且制样方法简单，短时间即可获得清晰完整的键合微焊点组织样品。
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