一种水热原子层沉积制备钴基氧族复合超级电容器材料的方法

    公开(公告)号:CN118221169A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410323976.6

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种水热原子层沉积制备钴基氧族复合超级电容器材料的方法,以泡沫镍为基底,以氟化铵、铁氰化钾、金属钴盐、尿素和去离子水按照一定比例,在密封高温高压条件下,反应一定时间,通过干燥烘箱干燥,得到在泡沫镍上生长的前驱体材料,前驱体材料经过煅烧获得Co3O4,在经过原子层沉积使表面硫化获得钴基氧族复合材料Co3O4/Co3S4。采用水热法和原子层沉积法制备的钴基氧族复合材料Co3O4/Co3S4颗粒尺寸均一且粒度为超细纳米粒子,作为超级电容器电极活性物质,表现出优异的比电容和倍率性能。

    一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN111446328B

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202010162557.0

    申请日:2020-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法,基于电化学沉积法,采用硝酸锌配成水溶液,pH值调整为4,控制溶液温度为60℃,沉积电压为‑0.6~‑1.3V,沉积时间为1~3min,经处理后的ITO上制备ZnO薄膜作为n层;CuSO4水溶液加入乳酸,用KOH溶液调整溶液的pH值为12.5,控制溶液温度为40℃,沉积电流为‑1~‑3mA/cm2,沉积时间为5~10min,ZnO薄膜上制备Cu2O薄膜作为i层;Cu(NO3)2和NH4NO3配成溶液,用NH4OH将溶液的pH值调整至为8~10,室温条件下在Cu2O薄膜上沉积CuO薄膜作为p层;采用蒸发法在p‑CuO薄膜和ITO上蒸镀方形结构In电极。本发明提高太阳能电池的光吸收率并有望提高光电转换效率。

    一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN111446328A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010162557.0

    申请日:2020-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法,基于电化学沉积法,采用硝酸锌配成水溶液,pH值调整为4,控制溶液温度为60℃,沉积电压为-0.6~-1.3V,沉积时间为1~3min,经处理后的ITO上制备面积为1cm*1cm的ZnO薄膜作为n层;CuSO4水溶液加入乳酸,用KOH溶液调整溶液的pH值为12.5,控制溶液温度为40℃,沉积电流为-1~-3mA/cm2,沉积时间为5~10min,ZnO薄膜上制备面积为1cm*1cm的Cu2O薄膜作为i层;Cu(NO3)2和NH4NO3配成溶液,用NH4OH将溶液的pH值调整至为8~10,室温条件下在Cu2O薄膜上沉积面积为0.6cm*0.6cm的CuO薄膜作为p层;采用蒸发法在p-CuO薄膜和ITO上蒸镀1mm*1mm的方形结构In电极。本发明制备的pin异质结太阳能电池,提高太阳能电池的光吸收率并有望提高光电转换效率。

    一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111321443A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN202010137045.9

    申请日:2020-03-02

    Abstract: 本发明公开了一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法,包括:(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底,后用二次纯水洗净,在室温环境下用氮气吹干;(b)称量CuSO4溶于二次纯水中并加入乳酸,再用KOH溶液调节使所配溶液的pH值为11.5~13.5;(c)电化学沉积,以ITO衬底为工作电极,铂片为对电极,Ag/AgCl为参比电极;(d)控制溶液温度为40℃,沉积电流为-1~-3mA/cm2,沉积时间为5~15min;(e)沉积薄膜用二次纯水洗净,自然晾干,得到氧化亚铜薄膜;(f)将氧化亚铜薄膜放入退火炉中,O2气氛下进行退火处理,自然冷却至室温后取出。本发明实现了氧化亚铜薄膜的禁带宽度由2.3eV缩小至2.1~1.9eV范围内,将获得的薄膜应用于太阳能电池可提高太阳能电池光吸收率。

    一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111321443B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202010137045.9

    申请日:2020-03-02

    Abstract: 本发明公开了一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法,包括:(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底,后用二次纯水洗净,在室温环境下用氮气吹干;(b)称量CuSO4溶于二次纯水中并加入乳酸,再用KOH溶液调节使所配溶液的pH值为11.5~13.5;(c)电化学沉积,以ITO衬底为工作电极,铂片为对电极,Ag/AgCl为参比电极;(d)控制溶液温度为40℃,沉积电流为‑1~‑3mA/cm2,沉积时间为5~15min;(e)沉积薄膜用二次纯水洗净,自然晾干,得到氧化亚铜薄膜;(f)将氧化亚铜薄膜放入退火炉中,O2气氛下进行退火处理,自然冷却至室温后取出。本发明实现了氧化亚铜薄膜的禁带宽度由2.3eV缩小至2.1~1.9eV范围内,将获得的薄膜应用于太阳能电池可提高太阳能电池光吸收率。

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