公开(公告)号：CN119932702A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510174294.8

申请日：2025-02-18

Applicant: 辽宁盛晶源半导体科技有限公司

Inventor： 覃佐燕 ,  殷利迎

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及氮化铝晶体生长设备技术领域，具体地说，涉及一种调节氮化铝晶体生长炉体热对流的热场结构。其包括上保温屏、上侧保温屏、对流阻隔屏、下侧保温屏和下保温屏，在本发明中，上保温屏装配在上侧保温屏内，上侧保温屏装配在对流阻隔屏上方，对流阻隔屏装配在下侧保温屏上方，下保温屏装配在下侧保温屏内，所有保温屏为圆周对称分布。使用本发明作为氮化铝晶体生长炉的热场结构，可将氮化铝晶体生长炉内的热对流区域分隔为上下两部分，增加氮化铝晶体生长用坩埚的纵向温度梯度，进而增加氮化铝晶体的生长速率、提高氮化铝晶体的产量。

公开(公告)号：CN119800492A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510077221.7

申请日：2025-01-17

Applicant: 辽宁盛晶源半导体科技有限公司

Inventor： 殷利迎 ,  覃佐燕

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种抑制AlN晶体PVT法生长过程中低温形核的坩埚及生长工艺，属于人工晶体生长技术领域，包括：籽晶托、坩埚筒和坩埚底；所述籽晶托下表面固定有AlN籽晶，并盖于所述坩埚筒顶部，所述坩埚筒内部设置有提前烧结定形的AlN原料块，所述AlN原料块放置于坩埚底顶部，所述坩埚底为凸字形状，且其边缘凹处均匀分布有多个AlN多晶片；所述坩埚筒底部由多个所述AlN多晶片进行支撑，使其位于坩埚底上方，本发明的坩埚结构，经过烧结AlN原料块、装配坩埚结构以及根据生长结果调整AlN多晶片厚度等多个步骤的生长工艺，区别于传统的温度梯度反转法，可以避免低温阶段气相成分在籽晶表现过早沉积对结晶质量的影响，可实现高质量籽晶的多次接续生长。

公开(公告)号：CN119779026A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202510077223.6

申请日：2025-01-17

Applicant: 辽宁盛晶源半导体科技有限公司

Inventor： 覃佐燕 ,  殷利迎

IPC: F27B14/04 ,  F27B14/08 ,  F27B14/14 ,  F27D17/20 ,  C01B21/072

Abstract: 本申请涉及一种氮化铝提纯用烧结装置及其提纯方法，提供一种氮化铝提纯用烧结装置，其包括炉体，所述炉体内设置有多层保温层，中心设置有生长腔室，所述生长腔室中心设置有用于存放原料的坩埚，所述坩埚顶部设置有盖体，所述坩埚内部和炉体内连通，所述生长腔室内还设置有用于加热的加热器，所述生长腔体下侧的多层保温层上设置有充气通道，所述生长腔体上侧的多层保温层上设置有抽气通道，所述充气通道和抽气通道相互背离的一端分别与充气泵和抽气泵连通设置,上侧多层所述保温层之间设置有固体沉积物收集板；本申请还包括使用该装置的提纯方法。本申请具有提高提纯效果，并保证烧结提纯的稳定性的效果。