公开(公告)号：CN103077938B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201210416034.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  D.M.谢多克 ,  E.A.安达拉维斯 ,  P.M.桑维克 ,  S.D.阿瑟 ,  V.逖尔卡

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称是“用于瞬时电压抑制器的方法和系统”。提供一种形成碳化硅瞬时电压抑制器（TVS）组件（218）的方法和用于瞬时电压抑制器（TVS）组件的系统。TVS组件包含采用台面结构的半导体芯片（302），该台面结构包含：具有第一极性的导电性的第一宽带隙半导体的第一层（306）；与第一层电接触地耦合的具有第二极性的导电性的第一或第二宽带隙半导体的第二层（308），其中第二极性不同于第一极性。TVS组件还包含与第二层电接触地耦合的具有第一极性的导电性的第一、第二或第三宽带隙半导体的第三层（312）。具有第二极性的导电性的层相对于具有第一极性的导电性的层轻掺杂。

公开(公告)号：CN106461799B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201580029613.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.索罗维夫 ,  P.M.桑维克 ,  S.I.多林斯基 ,  C-P.陈 ,  H.C.克莱门 ,  S.帕利特

IPC: G01T1/208

Abstract: 公开了用于检测光子的方法以及设备。所述设备包含固态光电倍增器装置，其中所述固态光电倍增器装置具有多个微单元，所述微单元具有在25℃大于大约1.7 eV的带隙。所述固态光电倍增器装置进一步包含与微单元的每一个相关联的集成抑制装置以及薄膜涂层。本文中公开的所述固态光电倍增器装置在大约‑40℃到大约275℃的温度范围中操作。

公开(公告)号：CN103077938A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210416034.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  D.M.谢多克 ,  E.A.安达拉维斯 ,  P.M.桑维克 ,  S.D.阿瑟 ,  V.逖尔卡

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称是“用于瞬时电压抑制器的方法和系统”。提供一种形成碳化硅瞬时电压抑制器（TVS）组件（218）的方法和用于瞬时电压抑制器（TVS）组件的系统。TVS组件包含采用台面结构的半导体芯片（302），该台面结构包含：具有第一极性的导电性的第一宽带隙半导体的第一层（306）；与第一层电接触地耦合的具有第二极性的导电性的第一或第二宽带隙半导体的第二层（308），其中第二极性不同于第一极性。TVS组件还包含与第二层电接触地耦合的具有第一极性的导电性的第一、第二或第三宽带隙半导体的第三层（312）。具有第二极性的导电性的层相对于具有第一极性的导电性的层轻掺杂。

公开(公告)号：CN104347616B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410357144.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  P.M.桑维克 ,  周锐 ,  P.A.罗西

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L2924/0002

Abstract: 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。

公开(公告)号：CN106461799A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580029613.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.索罗维夫 ,  P.M.桑维克 ,  S.I.多林斯基 ,  C-P.陈 ,  H.C.克莱门 ,  S.帕利特

IPC: G01T1/208

CPC classification number: G01V5/08 ,  E21B47/00 ,  G01T1/2006 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/24 ,  G01T1/248 ,  G01V5/04 ,  G01T1/208

Abstract: 公开了用于检测光子的方法以及设备。所述设备包含固态光电倍增器装置，其中所述固态光电倍增器装置具有多个微单元，所述微单元具有在25℃大于大约1.7 eV的带隙。所述固态光电倍增器装置进一步包含与微单元的每一个相关联的集成抑制装置以及薄膜涂层。本文中公开的所述固态光电倍增器装置在大约-40℃到大约275℃的温度范围中操作。

公开(公告)号：CN104347616A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410357144.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  P.M.桑维克 ,  周锐 ,  P.A.罗西

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L2924/0002

Abstract: 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。