公开(公告)号：CN1748290A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200380109711.2

申请日：2003-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 马克·P·德维林 ,  朴东实 ,  史蒂文·F·莱博厄夫 ,  拉里·B·罗兰 ,  克里斯蒂·J·纳兰 ,  洪慧聪 ,  彼得·M·桑维克

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/40 ,  C30B9/12

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 一种器件，其包括至少一个设置在由氮化镓构成的单晶衬底上的外延半导体层，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm－2、并且基本上没有倾斜边界并且氧杂质水平低于1019cm－3。该电子装置可以是比如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)应用的发光应用形式，并且可以是这样的器件：GaN基晶体管、整流器、晶闸管和共射共基开关等。还提供了一种形成由氮化镓构成的单晶衬底的方法，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm－2、并且基本上没有倾斜边界以及氧杂质水平低于1019cm－3，以及同质外延形成至少一个在衬底上的半导体层以及电子器件。