公开(公告)号：CN104043330B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310084607.8

申请日：2013-03-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 林川 ,  张晓 ,  高绪彬 ,  傅琪佳 ,  杨佑浩

IPC: B01D53/86 ,  B01D53/62 ,  F01N3/035

Abstract: 本发明涉及氧化含碳物质的方法，其包括：将有效剂量的分子式为AxMyWOz的催化剂与含碳物质接触；在第一温度开始氧化含碳物质，第一温度低于含碳物质在无催化剂的情况下开始氧化的第二温度；其中A为铯和钾中的至少一种；M与A不同，且为铯、钾、镁、钙、锶、钡、铁、钴、镍、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和铋中的至少一种；0≤x≤1；0≤y≤1；2.2≤z≤3；当x=0，y>0；且当y=0，x>0。本发明也涉及包括分子式为AxMyWOz的催化剂的柴油颗粒捕集器和排气装置。

公开(公告)号：CN103566920B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210272152.8

申请日：2012-08-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 傅琪佳 ,  张晓 ,  林川 ,  杨佑浩 ,  丹尼尔.G.诺顿 ,  拉里.N.刘易斯 ,  鲍筱颖 ,  苏珊.科拉 ,  董昱 ,  汪德家 ,  王世忠

IPC: B01J23/04 ,  B01J23/10 ,  B01J23/78 ,  B01D53/86 ,  B01D53/94

CPC classification number: B01J23/005 ,  B01D53/944 ,  B01D2255/1023 ,  B01D2255/1025 ,  B01D2255/1026 ,  B01D2255/104 ,  B01D2255/106 ,  B01D2255/2022 ,  B01D2255/2025 ,  B01D2255/2065 ,  B01D2255/20723 ,  B01D2255/20746 ,  B01D2255/20753 ,  B01D2255/20784 ,  B01D2255/2092 ,  B01D2255/30 ,  B01D2255/40 ,  B01D2258/012 ,  B01J23/04 ,  B01J23/10 ,  B01J23/75 ,  B01J23/78 ,  B01J23/83 ,  C01B33/26 ,  C04B35/18 ,  C04B35/19 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/79 ,  F01N3/035 ,  F01N2510/065 ,  F02D41/029

Abstract: 本发明涉及一种具有形成F-43m立方结构的面心立方晶格、分子式为NaxMyAlaSibOδ的物质，其中M是锂、钾、铷、铯、钒、铬、铁、钴、镍、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金和铈中的至少一种；0 0；1≤a≤3；1≤b≤3；0

公开(公告)号：CN103794675A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210418424.0

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 金益腾 ,  黄群健 ,  林川 ,  费萨尔.艾哈迈德 ,  辛骞骞

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明涉及一种用来在基体上形成一层材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有熔点或最小软化温度的半导体多晶或无定形材料的材料源与基体接触；在一个时间段内使所述材料源和基体之间形成一个温度差，其中，所述材料源的温度处于第一温度范围，其平均温度为第一平均温度，所述基体的温度处于第二温度范围，其平均温度为第二平均温度，所述第一平均温度高于所述第二平均温度，且低于所述半导体多晶或无定形材料的熔点或最小软化温度，使得所述材料源上的一部分半导体多晶或无定形材料转移到所述基体上；以及将所述材料源从所述基体上分开，获得一个表面形成有一层所述半导体多晶或无定形材料的基体。

公开(公告)号：CN102295284B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201010212803.5

申请日：2010-06-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 邓志刚 ,  彭文庆 ,  林川 ,  王世忠 ,  傅琪佳 ,  古彦飞 ,  吴召平 ,  梁延刚 ,  佘铭钢

IPC: C01B31/18 ,  C01B31/20 ,  C01B31/02

CPC classification number: C10G9/00 ,  B01J19/24 ,  B01J2219/00245 ,  B01J2219/24 ,  C01B32/40 ,  C01B32/50 ,  C10G9/12 ,  C10G9/36 ,  C10G75/00 ,  C10G2300/1044 ,  C10G2300/1059 ,  C10G2300/1081 ,  C10G2300/807 ,  C10G2400/20

Abstract: 本发明涉及一种将碳转化为碳的氧化物的方法，其包括：在有分子式为(Na2O)xNa2[Al2Si2O8](其中0＜x≤1)的类三斜霞石物质存在的情况下使碳和水蒸气接触。本发明也涉及烃类裂解的方法及装置。

公开(公告)号：CN105080334A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410163154.2

申请日：2014-04-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 傅琪佳 ,  张晓 ,  林川 ,  黄群健 ,  王世忠 ,  周琰 ,  张星 ,  赵建智 ,  董昱

IPC: B01D53/86 ,  B01D53/62 ,  F01N3/035

Abstract: 本发明揭示了氧化含碳物质的方法、相应颗粒捕集器和排气装置。具体地，本发明涉及氧化含碳物质的方法，其包括：将有效剂量的分子式为NaxMnyOz的催化剂与含碳物质接触，其中0

公开(公告)号：CN104043330A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310084607.8

申请日：2013-03-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 林川 ,  张晓 ,  高绪彬 ,  傅琪佳 ,  杨佑浩

IPC: B01D53/86 ,  B01D53/62 ,  F01N3/035

Abstract: 本发明涉及氧化含碳物质的方法，其包括：将有效剂量的分子式为AxMyWOz的催化剂与含碳物质接触；在第一温度开始氧化含碳物质，第一温度低于含碳物质在无催化剂的情况下开始氧化的第二温度；其中A为铯和钾中的至少一种；M与A不同，且为铯、钾、镁、钙、锶、钡、铁、钴、镍、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和铋中的至少一种；0≤x≤1；0≤y≤1；2.2≤z≤3；当x=0，y>0；且当y=0，x>0。本发明也涉及包括分子式为AxMyWOz的催化剂的柴油颗粒捕集器和排气装置。

公开(公告)号：CN106637267A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510715694.1

申请日：2015-10-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 杨佑浩 ,  张利明 ,  武颖娜 ,  劳伦斯·J·维姆日 ,  周宏 ,  朱慧 ,  林川

IPC: C23G5/00

CPC classification number: C23G1/02 ,  C23G5/00

Abstract: 一种用于从金属基材去除氧化物的方法，包括：提供三氟化硼流；在第一温度加热所述金属基材；及，在不同于所述第一温度的第二温度加热所述金属基材。本发明也涉及相应的装置。

公开(公告)号：CN106637266A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510713532.4

申请日：2015-10-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 杨佑浩 ,  张利明 ,  武颖娜 ,  劳伦斯·J·维姆日 ,  周宏 ,  朱慧 ,  林川

IPC: C23G5/00 ,  C23F1/12

Abstract: 一种用于从金属基材去除氧化物的方法，包括：提供三氟化硼流；及，加热所述金属基材。本发明也涉及相应的装置。

公开(公告)号：CN103861662B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210541299.2

申请日：2012-12-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 郭明虎 ,  劳伦斯.B.库尔 ,  彭文庆 ,  周宏 ,  杨朝晖 ,  林川 ,  古彦飞

IPC: B01J33/00

CPC classification number: B01J8/06 ,  B01J23/002 ,  B01J23/02 ,  B01J23/10 ,  B01J23/26 ,  B01J23/34 ,  B01J23/78 ,  B01J23/83 ,  B01J23/86 ,  B01J23/8892 ,  B01J35/002 ,  B01J37/0036 ,  B01J37/0217 ,  B01J37/0219 ,  B01J37/0225 ,  B01J37/0226 ,  B01J37/0238 ,  B01J37/08 ,  B01J37/343 ,  B01J37/349 ,  B01J2208/06 ,  B01J2523/00 ,  B05D1/02 ,  C10G9/16 ,  C10G75/00 ,  C10G2300/708 ,  C23C2/02 ,  C23C4/134 ,  C23C8/10 ,  C23C8/80 ,  C23C10/30 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/44 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/18 ,  C23C24/06 ,  C23C24/106 ,  C23C28/04 ,  B01J2523/25 ,  B01J2523/3712 ,  B01J2523/48 ,  B01J2523/36 ,  B01J2523/3706 ,  B01J2523/67 ,  B01J2523/72

Abstract: 本发明涉及一种工件，该工件包括金属基体、防结焦催化剂层、以及设置在金属基体和防结焦催化剂层之间的氧化铝阻挡层。本发明还涉及制造该工件的工艺方法。

公开(公告)号：CN102557855B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010613288.1

申请日：2010-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 古彦飞 ,  彭文庆 ,  王世忠 ,  林川 ,  劳伦斯·库尔 ,  吴召平 ,  傅琪佳 ,  邓志刚

IPC: C07C11/04 ,  C07C11/06 ,  C07C5/327 ,  C10G9/14 ,  C10G9/20 ,  C10G9/16 ,  C10G9/36 ,  B05D7/24 ,  B05D3/00

CPC classification number: C10B43/14 ,  C10G9/16 ,  C10G2300/1044 ,  C10G2300/1059 ,  C10G2300/807 ,  C10G2400/20

Abstract: 裂解反应装置接触烃的表面含氧化铈、氧化锌、氧化锡、氧化锆、勃姆石和氧化硅中至少一种和化学式为AaBbCcDdO3-δ的钙钛矿材料的烧结产物，其中0＜a＜1.2，0≤b≤1.2，0.9＜a+b≤1.2，0＜c＜1.2，0≤d≤1.2，0.9＜c+d≤1.2，-0.5＜δ＜0.5；A为钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或其组合；B为锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或其组合；C为铈(Ce)、锆(Zr)、锑(Sb)、镨(Pr)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锡(Sn)、铽(Tb)或其组合；D为镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)或其组合。