公开(公告)号：CN108780816B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201780019386.2

申请日：2017-02-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P.A.罗西 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  G.T.邓恩 ,  A.V.博罗特尼科夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/08 ,  H01L29/808 ,  H01L29/745 ,  H01L29/739

Abstract: 本文中提供了碳化硅（SiC）装置的实施例。在一些实施例中，碳化硅（SiC）装置可以包括布置在SiC半导体层之上的栅电极，其中SiC半导体层包括：具有第一导电类型的漂移区域；布置在邻接于漂移区域的阱区域，其中阱区域具有第二导电类型；以及布置在邻接于阱区域的、具有第一导电类型的源区域，其中源区域包括源接触区域和收缩区域，其中收缩区域仅部分布置在栅电极之下，其中收缩区域中的薄片掺杂密度低于2.5x1014 cm‑2，并且其中收缩区域配置为在高于SiC装置的标称电流密度的电流密度耗尽以增加源区域的电阻。

公开(公告)号：CN104303314B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380025695.2

申请日：2013-05-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  A.V.博洛特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  K.S.马托查 ,  R.J.赛亚 ,  Z.M.斯塔姆 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  K.V.S.R.基肖尔 ,  J.W.克雷奇默

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613

Abstract: 提供一种半导体器件(200)，包括：含碳化硅的衬底(202)；布置在衬底(202)上的漂移层(214)，漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二区掺第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型。半导体器件还包括与第二(阱)区相邻布置的结终端扩展(JTE)(220)。JTE具有宽度Wjte且包括在第一、第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体沿着远离主阻断结(230)边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布。宽度Wjte小于或等于一维耗尽宽度(Wdepl 1D)五倍的倍数，以及半导体器件的电荷容差大于1.0x1013/cm2。

公开(公告)号：CN108780807B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780019463.4

申请日：2017-02-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L29/745 ,  H01L29/732 ,  G06F30/367

Abstract: 在一个实施例中，制造碳化硅(SiC)装置的方法包括:接收对在特定施加电压的特定地球宇宙射线(TCR)额定值的选择；至少基于在特定施加电压的特定TCR额定值来确定SiC装置的击穿电压；至少基于击穿电压来确定漂移层设计参数。漂移层设计参数包括漂移层的掺杂浓度和厚度。所述方法还包括制作具有带有所确定的漂移层设计参数的漂移层的SiC装置。该SiC装置具有在特定施加电压的特定TCR额定值。

公开(公告)号：CN104303314A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025695.2

申请日：2013-05-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  A.V.博洛特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  K.S.马托查 ,  R.J.赛亚 ,  Z.M.斯塔姆 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  K.V.S.R.基肖尔 ,  J.W.克雷奇默

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613

Abstract: 提供一种半导体器件(200)，包括：含碳化硅的衬底(202)；布置在衬底(202)上的漂移层(214)，漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二区掺第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型。半导体器件还包括与第二(阱)区相邻布置的结终端扩展(JTE)(220)。JTE具有宽度Wjte且包括在第一、第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体沿着远离主阻断结(230)边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布。宽度Wjte小于或等于一维耗尽宽度(Wdepl 1D)五倍的倍数，以及半导体器件的电荷容差大于1.0x1013/cm2。

公开(公告)号：CN108780816A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019386.2

申请日：2017-02-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P.A.罗西 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  G.T.邓恩 ,  A.V.博罗特尼科夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/08 ,  H01L29/808 ,  H01L29/745 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/745 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083

Abstract: 本文中提供了碳化硅（SiC）装置的实施例。在一些实施例中，碳化硅（SiC）装置可以包括布置在SiC半导体层之上的栅电极，其中SiC半导体层包括：具有第一导电类型的漂移区域；布置在邻接于漂移区域的阱区域，其中阱区域具有第二导电类型；以及布置在邻接于阱区域的、具有第一导电类型的源区域，其中源区域包括源接触区域和收缩区域，其中收缩区域仅部分布置在栅电极之下，其中收缩区域中的薄片掺杂密度低于2.5x1014 cm-2，并且其中收缩区域配置为在高于SiC装置的标称电流密度的电流密度耗尽以增加源区域的电阻。

公开(公告)号：CN108780807A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019463.4

申请日：2017-02-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L29/745 ,  H01L29/732 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L29/06 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5068 ,  G06F2217/06 ,  H01L23/552 ,  H01L23/556 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/745 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 在一个实施例中，制造碳化硅(SiC)装置的方法包括:接收对在特定施加电压的特定地球宇宙射线(TCR)额定值的选择；至少基于在特定施加电压的特定TCR额定值来确定SiC装置的击穿电压；至少基于击穿电压来确定漂移层设计参数。漂移层设计参数包括漂移层的掺杂浓度和厚度。所述方法还包括制作具有带有所确定的漂移层设计参数的漂移层的SiC装置。该SiC装置具有在特定施加电压的特定TCR额定值。

公开(公告)号：CN106030757A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009268.4

申请日：2015-01-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.J.麦克马洪 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  S.D.阿瑟 ,  T.B.戈尔奇卡 ,  R.A.博普雷 ,  Z.M.斯坦 ,  A.V.波罗特尼科夫

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068

Abstract: 提出了半导体装置。该装置包括半导体层，该半导体层包括碳化硅，并且具有第一表面和第二表面。栅极绝缘层设置于半导体层的第一表面的一部分上，并且栅极电极设置于栅极绝缘层上。该装置进一步包括氧化物，该氧化物设置于栅极绝缘层与栅极电极之间在与栅极电极的边缘相邻的拐角处，以便栅极绝缘层具有在拐角处比在层的中心处的厚度大的厚度。还提供用于制作装置的方法。