公开(公告)号：CN101101887A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610064284.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·J·奥莱奇诺维茨 ,  D·M·鲁辛科 ,  W·范 ,  D·萨里加尼斯 ,  M·谢普肯斯 ,  D·A·龙沃思 ,  V·L·罗 ,  X·刘 ,  J·克卢格

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46

Abstract: 一种晶片处理设备特征在于具有抗腐蚀连接，用于其电连接、穿通沟道、凹进区、升高区、MESA、通孔例如起模顶杆孔、螺栓孔、盲孔等，特定的结构采用具有良好化学稳定性质和最佳CTE的连接体和填料，该最佳的CTE即具有紧密匹配基底基板层的CTE、电极以及涂层的CTE的热膨胀系数(CTE)。在一个实施例中，采用了包括玻璃-陶瓷材料的填料组成。