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公开(公告)号：CN101092735B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200610064728.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C30B15/00 , B22D7/00 , B22D33/00 , C30B23/066 , C30B25/02 , C30B35/00 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1064
Abstract: 一种元素提纯、化合及半导体晶体生长例如为在高温下熔化硅等的分子束外延(MBE)工艺中使用的单一体多组件坩埚。该坩埚具有固定连接构成坩埚的多个组件的外涂层。本发明还提供了一种制造包括具有负拉伸结构的含热解氮化硼的单一体的方法，该方法不需要石墨型芯复杂的突出结构或通过在高温下烧结而除去石墨型芯。
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公开(公告)号：CN101142696A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200580046401.X
申请日：2005-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 具有至少一个高度完整性保护涂层的复合物品，所述高度完整性保护涂层具有至少一个平面化层和至少一个有机－无机组合物隔离涂层。一种沉积高度完整性保护涂层的方法。
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公开(公告)号：CN101142696B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200580046401.X
申请日：2005-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 具有至少一个高度完整性保护涂层的复合物品，所述高度完整性保护涂层具有至少一个平面化层和至少一个有机-无机组合物隔离涂层。一种沉积高度完整性保护涂层的方法。
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公开(公告)号：CN101101887A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610064284.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/00 , C23C16/44 , C23C16/46
Abstract: 一种晶片处理设备特征在于具有抗腐蚀连接，用于其电连接、穿通沟道、凹进区、升高区、MESA、通孔例如起模顶杆孔、螺栓孔、盲孔等，特定的结构采用具有良好化学稳定性质和最佳CTE的连接体和填料，该最佳的CTE即具有紧密匹配基底基板层的CTE、电极以及涂层的CTE的热膨胀系数(CTE)。在一个实施例中，采用了包括玻璃-陶瓷材料的填料组成。
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公开(公告)号：CN101045990A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610172997.4
申请日：2006-11-30
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及用于晶片处理组件的抗蚀刻加热器，其具有良好的至少20℃/每分钟的上升速率，在整个表面，至少是一个电极上具有最大温度差(例如在300mm最大温度差＞100℃)。该加热器涂有保护性外涂层，使加热器在提高加热器温度＞1500℃下辐射效率高于70％，并且在NF3中600℃下具有小于100A/分钟的蚀刻率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154555A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200610064415.0
申请日：2006-12-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , C03B11/12
Abstract: 提供了一种用于调节/控制衬底表面温度的加热装置。至少一个热解石墨(TPG)层嵌入加热器，以扩散加热装置中不同部件的温度差并且提供衬底表面温度的时间空间上的控制，从而实现衬底上最高和最低温度点之间的差值低于10℃的相对均匀的衬底温度。
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公开(公告)号：CN101092735A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610064728.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C30B15/00 , B22D7/00 , B22D33/00 , C30B23/066 , C30B25/02 , C30B35/00 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1064
Abstract: 一种元素提纯、化合及半导体晶体生长例如为在高温下熔化硅等的分子束外延(MBE)工艺中使用的单一体多组件坩埚。该坩埚具有固定连接构成坩埚的多个组件的外涂层。本发明还提供了一种制造包括具有负拉伸结构的含热解氮化硼的单一体的方法，该方法不需要石墨型芯复杂的突出结构或通过在高温下烧结而除去石墨型芯。
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公开(公告)号：CN1599520A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410054980.X
申请日：2004-07-26
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L21/67132 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L51/0002
Abstract: 装置(10)包括夹紧装置，其中包括至少一个内部件(14)和至少一个外部件(16)。使夹紧装置(10)的形状能够将膜(12)固定在至少一个内部件(14)和至少一个外部件(16)之间。可以进一步加工被固定的膜(12)，获得一种经加工的膜。被固定在夹紧装置(10)中的一种经加工的膜，可以进一步进行附加的生产步骤，生产经加工的制品。本申请所述的装置(10)和方法适合生产各种制品，例如微电子器件和光电子器件。
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公开(公告)号：CN1957485B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580017007.3
申请日：2005-03-01
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L51/0097 , H01L51/5256 , H01L51/5259 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/31504
Abstract: 具有密封边沿的有机电子封装。更具体地说，提供具有有机电子器件的封装。提供若干密封机制来密封该封装的边沿，以便完全保护该有机电子器件免受外部因素影响。可以实现密封剂以完全包围该有机电子器件。作为另一方案，可以提供边封，以便完全包围该有机电子器件。
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公开(公告)号：CN101048055A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610172962.0
申请日：2006-11-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H05K7/20 , F28F3/02 , F28F21/02 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于电子装置或者发热装置的受热器组件由超薄石墨层构成。该超薄石墨层表现出本质上各向异性并且在至少一个平面上大于500W/m℃的导热率并且包括至少一个石墨烯层。该超薄石墨层由层结构支持，该层包括金属、聚合树脂、陶瓷及其混合物中的至少一种，其设置在石墨层的至少一个表面上。
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