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公开(公告)号：CN101989615A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010251981.9
申请日：2010-08-02
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/0623 , H01L29/0646 , H01L29/1608
Abstract: 提供包括碳化硅(SiC)的半导体结构(100)和器件以及用于制作其的方法。该结构(100)和器件包括基底或屏蔽层(116)、沟道(118)和表面层(120)，它们都可取地通过离子注入形成。因此，本发明提供的结构和器件是硬“常截止”器件，即，呈现大于大约3伏特的阈值电压。
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公开(公告)号：CN100505331C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200310124601.5
申请日：2003-12-10
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/107 , G01J1/02
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/02161 , H01L31/03044 , H01L31/0312 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例，一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括：具有第一掺杂剂的衬底(110)；位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层(111)；位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层(112)；位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层(114)；用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116，122)；位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层(124)；以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118，120)，其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。
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公开(公告)号：CN1897272B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610110813.1
申请日：2006-07-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14658 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/101 , H01L2224/48227 , H04N5/32
Abstract: 一种光电探测系统包含宽带隙光电探测器阵列(10)，该光电探测器阵列物理且电集成在一个包含电连接(20)的柔性互连层(18)上，该光电探测器阵列以与处理电子器件(14)电集成的形式被封装并且封装和处理电子器件被配置用于获取并处理由光电探测器阵列探测到的信号，或者该阵列包括柔性互连层和处理电子器件的封装特性。
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公开(公告)号：CN1897272A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610110813.1
申请日：2006-07-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14658 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/101 , H01L2224/48227 , H04N5/32
Abstract: 一种光电探测系统包含宽带隙光电探测器阵列(10)，该光电探测器阵列物理且电集成在一个包含电连接(20)的柔性互连层(18)上，该光电探测器阵列以与处理电子器件(14)电集成的形式被封装并且封装和处理电子器件被配置用于获取并处理由光电探测器阵列探测到的信号，或者该阵列包括柔性互连层和处理电子器件的封装特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100520318C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410032977.8
申请日：2004-04-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01J1/04
CPC classification number: H01L31/103 , C02F2201/326 , G01J1/429 , G02B5/208 , H01L31/02164 , H01L31/0312
Abstract: 一种紫外线传感器(10)，监测在消毒系统中使用的紫外线灯的效力。该传感器包括被配置为用于检测200-300nm波长的光的协同操作的紫外线光电探测器(12)和滤波器(14，32)。用于空气或水的净化系统结合将紫外光指向空气或水的紫外线灯(44)使用该传感器。
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公开(公告)号：CN1330852C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN02151301.5
申请日：2002-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: F01D1/02
CPC classification number: F01D9/048 , F01D9/045 , F05D2220/31 , Y10T29/49238
Abstract: 在蒸汽轮机壳体的相对两侧设置一对蒸汽轮机进汽端口(20)，用于使蒸汽沿相反的圆周方向流入环状的蒸汽腔室并通过沿轴向上相反的出口流入涡轮机的第一级。上、下壳(10、12)的腔室部分的横截面积沿着远离进汽口部分的圆周方向而减小，从而提供在所述腔室内沿径向向内的具有均匀速度的汽流以及通过所述轴向出口(18)的均匀轴向汽流。
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公开(公告)号：CN1538151A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410032977.8
申请日：2004-04-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01J1/04
CPC classification number: H01L31/103 , C02F2201/326 , G01J1/429 , G02B5/208 , H01L31/02164 , H01L31/0312
Abstract: 一种紫外线传感器(10)，监测在消毒系统中使用的紫外线灯的效力。该传感器包括被配置为用于检测200－300nm波长的光的协同操作的紫外线光电探测器(12)和滤波器(14，32)。用于空气或水的净化系统结合将紫外光指向空气或水的紫外线灯(44)使用该传感器。
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公开(公告)号：CN1507078A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310124601.5
申请日：2003-12-10
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/107 , G01J1/02
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/02161 , H01L31/03044 , H01L31/0312 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例，一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括：具有第一掺杂剂的衬底110；位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层111；位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层112；位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层114；用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116，122)；位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层124；以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118，120)，其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。
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公开(公告)号：CN1420257A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02151301.5
申请日：2002-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: F01D1/02
CPC classification number: F01D9/048 , F01D9/045 , F05D2220/31 , Y10T29/49238
Abstract: 在蒸汽轮机壳体的相对两侧设置一对蒸汽轮机进汽端口(20)，用于使蒸汽沿相反的圆周方向流入环状的蒸汽腔室并通过沿轴向上相反的出口流入涡轮机的第一级。上、下壳(10、12)的腔室部分的横截面积沿着远离进汽口部分的圆周方向而减小，从而提供在所述腔室内沿径向向内的具有均匀速度的汽流以及通过所述轴向出口(18)的均匀轴向汽流。
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