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公开(公告)号:CN1507078A
公开(公告)日:2004-06-23
申请号:CN200310124601.5
申请日:2003-12-10
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/107 , G01J1/02
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/02161 , H01L31/03044 , H01L31/0312 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例,一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括:具有第一掺杂剂的衬底110;位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层111;位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层112;位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层114;用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116,122);位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层124;以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118,120),其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上;其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁;并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。
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公开(公告)号:CN100505331C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200310124601.5
申请日:2003-12-10
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/107 , G01J1/02
CPC classification number: H01L31/02322 , H01L31/02161 , H01L31/03044 , H01L31/0312 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例,一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括:具有第一掺杂剂的衬底(110);位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层(111);位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层(112);位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层(114);用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116,122);位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层(124);以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118,120),其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上;其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁;并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。
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公开(公告)号:CN1897272B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200610110813.1
申请日:2006-07-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14658 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/101 , H01L2224/48227 , H04N5/32
Abstract: 一种光电探测系统包含宽带隙光电探测器阵列(10),该光电探测器阵列物理且电集成在一个包含电连接(20)的柔性互连层(18)上,该光电探测器阵列以与处理电子器件(14)电集成的形式被封装并且封装和处理电子器件被配置用于获取并处理由光电探测器阵列探测到的信号,或者该阵列包括柔性互连层和处理电子器件的封装特性。
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公开(公告)号:CN1897272A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610110813.1
申请日:2006-07-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14658 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/101 , H01L2224/48227 , H04N5/32
Abstract: 一种光电探测系统包含宽带隙光电探测器阵列(10),该光电探测器阵列物理且电集成在一个包含电连接(20)的柔性互连层(18)上,该光电探测器阵列以与处理电子器件(14)电集成的形式被封装并且封装和处理电子器件被配置用于获取并处理由光电探测器阵列探测到的信号,或者该阵列包括柔性互连层和处理电子器件的封装特性。
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