公开(公告)号：CN103077938B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201210416034.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  D.M.谢多克 ,  E.A.安达拉维斯 ,  P.M.桑维克 ,  S.D.阿瑟 ,  V.逖尔卡

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称是“用于瞬时电压抑制器的方法和系统”。提供一种形成碳化硅瞬时电压抑制器（TVS）组件（218）的方法和用于瞬时电压抑制器（TVS）组件的系统。TVS组件包含采用台面结构的半导体芯片（302），该台面结构包含：具有第一极性的导电性的第一宽带隙半导体的第一层（306）；与第一层电接触地耦合的具有第二极性的导电性的第一或第二宽带隙半导体的第二层（308），其中第二极性不同于第一极性。TVS组件还包含与第二层电接触地耦合的具有第一极性的导电性的第一、第二或第三宽带隙半导体的第三层（312）。具有第二极性的导电性的层相对于具有第一极性的导电性的层轻掺杂。

公开(公告)号：CN103077938A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210416034.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.S.卡什亚普 ,  D.M.谢多克 ,  E.A.安达拉维斯 ,  P.M.桑维克 ,  S.D.阿瑟 ,  V.逖尔卡

IPC: H01L23/62

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称是“用于瞬时电压抑制器的方法和系统”。提供一种形成碳化硅瞬时电压抑制器（TVS）组件（218）的方法和用于瞬时电压抑制器（TVS）组件的系统。TVS组件包含采用台面结构的半导体芯片（302），该台面结构包含：具有第一极性的导电性的第一宽带隙半导体的第一层（306）；与第一层电接触地耦合的具有第二极性的导电性的第一或第二宽带隙半导体的第二层（308），其中第二极性不同于第一极性。TVS组件还包含与第二层电接触地耦合的具有第一极性的导电性的第一、第二或第三宽带隙半导体的第三层（312）。具有第二极性的导电性的层相对于具有第一极性的导电性的层轻掺杂。