公开(公告)号：CN106716993B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580051138.7

申请日：2015-08-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.多林斯基 ,  J.郭 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  R.M.曼耶什瓦 ,  G.付

IPC: H04N5/365 ,  H04N5/3745

Abstract: 本文提供固态光电倍增管的实施例。在一些实施例中，固态光电倍增管可包括多个像素，其中多个像素的各像素包括：多个子像素；以及缓冲放大器的第一集合，其中缓冲放大器的第一集合的各缓冲放大器分别耦合到多个子像素的子像素。

公开(公告)号：CN107110985B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201580069109.3

申请日：2015-09-18

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.郭 ,  S.I.多林斯基

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/208 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明提供一种硅光电倍增管，所述硅光电倍增管包括多个微单元，所述多个微单元响应于入射辐射提供脉冲输出，每个微单元包括电路，所述电路配置成启用和禁用所述脉冲输出。每个微单元包括单元禁用开关。所述控制逻辑电路控制所述单元禁用开关和自测试电路。当所述单元禁用开关处于第一状态下时，微单元的脉冲输出被禁用。一种用于微单元的自测试校准方法包括：向所述微单元提供测试启用信号；在预定时间段内集成暗电流；将所述集成暗电流与预定阈值水平进行比较；以及如果高于所述预定阈值水平，则提供信号。

公开(公告)号：CN107110985A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069109.3

申请日：2015-09-18

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.郭 ,  S.I.多林斯基

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/208 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明提供一种硅光电倍增管，所述硅光电倍增管包括多个微单元，所述多个微单元响应于入射辐射提供脉冲输出，每个微单元包括电路，所述电路配置成启用和禁用所述脉冲输出。每个微单元包括单元禁用开关。所述控制逻辑电路控制所述单元禁用开关和自测试电路。当所述单元禁用开关处于第一状态下时，微单元的脉冲输出被禁用。一种用于微单元的自测试校准方法包括：向所述微单元提供测试启用信号；在预定时间段内集成暗电流；将所述集成暗电流与预定阈值水平进行比较；以及如果高于所述预定阈值水平，则提供信号。

公开(公告)号：CN106716993A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580051138.7

申请日：2015-08-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.多林斯基 ,  J.郭 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  R.M.曼耶什瓦 ,  G.付

IPC: H04N5/365 ,  H04N5/3745

Abstract: 本文提供固态光电倍增管的实施例。在一些实施例中，固态光电倍增管可包括多个像素，其中多个像素的各像素包括：多个子像素；以及缓冲放大器的第一集合，其中缓冲放大器的第一集合的各缓冲放大器分别耦合到多个子像素的子像素。