公开(公告)号：CN103376457A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310157709.8

申请日：2013-05-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G.V.麦克布鲁姆 ,  金昌龙 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  J.L.马拉尼 ,  W.T.彼得森

IPC: G01T1/164

CPC classification number: G01R33/481 ,  G01R33/34046 ,  G01R33/34076 ,  G01T1/1603

Abstract: 正电子发射断层摄影（PET）检测器组装件包括：具有第一侧和相对的第二侧的冷板，该冷板由导热且非导电材料制造；多个PET检测器单元，其耦合于该冷板的第一侧；以及读出电子器件段，其耦合于该冷板的第二侧。在本文还描述射频（RF）主体线圈组装件和双模态成像系统。

公开(公告)号：CN106716993A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580051138.7

申请日：2015-08-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.多林斯基 ,  J.郭 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  R.M.曼耶什瓦 ,  G.付

IPC: H04N5/365 ,  H04N5/3745

Abstract: 本文提供固态光电倍增管的实施例。在一些实施例中，固态光电倍增管可包括多个像素，其中多个像素的各像素包括：多个子像素；以及缓冲放大器的第一集合，其中缓冲放大器的第一集合的各缓冲放大器分别耦合到多个子像素的子像素。

公开(公告)号：CN106716993B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580051138.7

申请日：2015-08-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.多林斯基 ,  J.郭 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  R.M.曼耶什瓦 ,  G.付

IPC: H04N5/365 ,  H04N5/3745

Abstract: 本文提供固态光电倍增管的实施例。在一些实施例中，固态光电倍增管可包括多个像素，其中多个像素的各像素包括：多个子像素；以及缓冲放大器的第一集合，其中缓冲放大器的第一集合的各缓冲放大器分别耦合到多个子像素的子像素。

公开(公告)号：CN107393897A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710345864.0

申请日：2017-05-16

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.W.罗斯 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  S.I.多林斯基 ,  S.帕利特

IPC: H01L23/498 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L31/02005 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L27/1446

Abstract: 本发明公开一种硅光电倍增器阵列，所述硅光电倍增器阵列包括在所述光电倍增管阵列内且位于硅晶片上的多个微单元，所述多个微单元以行和列布置，所述多个微单元中的每一个包括输出端口，并且配置成提供：具有脉冲特征的脉冲波形；与硅晶片层背表面接触的至少一个重新图案化介电层，所述硅晶片具有与所述背表面相对的有源表面；以及多个相应的硅通孔，所述硅通孔将所述硅晶片的所述有源表面上的所述多个微单元中的相应微单元的输出端口连接到设置在所述硅晶片的所述背表面的所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。本发明还公开了一种用于制造硅光电倍增器阵列的方法。