公开(公告)号：CN101092735B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200610064728.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： Y·莫里卡瓦 ,  K·卡瓦萨基 ,  S..-J.黄 ,  M·谢普肯斯

IPC: C30B15/10 ,  C30B23/06 ,  C23C14/24 ,  C23C16/00 ,  F27B14/10

CPC classification number: C30B15/00 ,  B22D7/00 ,  B22D33/00 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B35/00 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/1064

Abstract: 一种元素提纯、化合及半导体晶体生长例如为在高温下熔化硅等的分子束外延(MBE)工艺中使用的单一体多组件坩埚。该坩埚具有固定连接构成坩埚的多个组件的外涂层。本发明还提供了一种制造包括具有负拉伸结构的含热解氮化硼的单一体的方法，该方法不需要石墨型芯复杂的突出结构或通过在高温下烧结而除去石墨型芯。

公开(公告)号：CN101092735A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610064728.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： Y·莫里卡瓦 ,  K·卡瓦萨基 ,  S..-J.黄 ,  M·谢普肯斯

IPC: C30B15/10 ,  C30B23/06 ,  C23C14/24 ,  C23C16/00 ,  F27B14/10

CPC classification number: C30B15/00 ,  B22D7/00 ,  B22D33/00 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B35/00 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/1064

Abstract: 一种元素提纯、化合及半导体晶体生长例如为在高温下熔化硅等的分子束外延(MBE)工艺中使用的单一体多组件坩埚。该坩埚具有固定连接构成坩埚的多个组件的外涂层。本发明还提供了一种制造包括具有负拉伸结构的含热解氮化硼的单一体的方法，该方法不需要石墨型芯复杂的突出结构或通过在高温下烧结而除去石墨型芯。