公开(公告)号：CN102057545B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200980120976.X

申请日：2009-06-03

Applicant: 通用纳米光学有限公司

Inventor： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金 ,  维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼 ,  阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克 ,  尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛

IPC: H01S5/32

CPC classification number: H01S5/0265 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/227 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。

公开(公告)号：CN102057545A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980120976.X

申请日：2009-06-03

Applicant: 通用纳米光学有限公司

Inventor： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金 ,  维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼 ,  阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克 ,  尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛

IPC: H01S5/32

CPC classification number: H01S5/0265 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/227 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。