公开(公告)号：CN119317178A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411408192.X

申请日：2024-10-10

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 刘建 ,  赵明琪 ,  税国华 ,  刘青 ,  杨法明 ,  肖添 ,  路婉婷 ,  张金龙 ,  陆泽灼 ,  陈俊吉 ,  曹荐 ,  谭星宇 ,  刘广川

IPC: H10D86/00 ,  H10D86/01 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构，方法包括依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层(103)、NMOS的P型一次埋层(104)、PMOS的N型二次埋层(105)；在SOI硅衬底上形成外延层(106)；在外延层(106)中形成NMOS的P型阱区(107)以及PMOS的N型阱区(108)；形成双多晶自对准双极结型晶体管和NMOS/PMOS的全介质岛隔离等步骤。本发明的半导体器件可实现高性能NPN/PNP与CMOS器件的各种组合，有效提升工艺整体器件特性，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域，提升芯片电学性能。

公开(公告)号：CN119317177A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411408185.X

申请日：2024-10-10

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 刘建 ,  赵明琪 ,  税国华 ,  刘青 ,  杨法明 ,  肖添 ,  路婉婷 ,  张金龙 ,  陆泽灼 ,  陈俊吉 ,  曹荐 ,  谭星宇 ,  刘广川

IPC: H10D86/00 ,  H10D86/01 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构，方法包括提供SOI硅衬底；依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层(103)、薄栅氧NMOS的P型一次埋层(104)、厚栅氧NMOS的P型二次埋层(105)；在SOI硅衬底上形成外延层(106)；在外延层中形成薄栅氧NMOS的P型一次阱区(107)以及厚栅氧NMOS的P型二次阱区(108)等步骤。本发明中的半导体器件可实现高性能NPN/PNP与厚薄栅氧CMOS器件的各种组合，有效提升工艺整体器件特性，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域，提升芯片电学性能。